-
公开(公告)号：CN111261702A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811467502.X
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型功率器件及其形成方法，该器件包括有若干个元胞，每个所述元胞包括：元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层；其中，所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。通过在元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅(栅)，形成多晶硅-填充金属层-多晶硅的复合结构，有利于改善器件使用过程中的Cgc反向电容，改善芯片开关特性，同时能降低开关损耗。
-
公开(公告)号：CN111243952A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010062843.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供了一种IGBT的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在晶圆基片的正面上设置硬掩膜层；步骤S2，在硬掩膜层的保护下对晶圆基片进行图形化处理，得到多个沿第一方向排列的沟槽；步骤S3，在沟槽中设置沟槽栅结构，沟槽栅结构的裸露表面与硬掩膜层的顶表面在同一平面上；步骤S4，去除硬掩膜层，使沟槽栅结构突出于晶圆基片的表面；步骤S5，在沟槽栅结构周围的晶圆基片中形成P阱区；步骤S6，对晶圆基片进行单边或双边的N型离子倾斜注入，利用沟槽栅结构的遮挡效应在P阱区中形成位于沟槽栅结构一侧或两侧的N+发射极，N型离子倾斜注入的注入方向与第一方向的夹角θ为锐角或钝角。避免了改版、简化了工艺、节约了成本。
-
公开(公告)号：CN111163595A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010006235.7
申请日：2020-01-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H05K3/34 , H01L23/495 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开一种芯片封装方法，该芯片封装方法包括：形成预结合组件，其中，预结合组件包括引线框架母体和多个芯片，引线框架母体包括多个引线框架单元，每个引线框架单元周围形成有容纳凹陷，容纳凹陷内填充有第一结合材；多个芯片一一对应地固定于多个引线框架单元的安装面，其中，每个芯片通过导线与对应的引线框架单元上的触点键合；在引线框架母体安装面形成封装体，其中，封装体包括多个封装单元，每个封装单元覆盖一个芯片；沿每个容纳凹陷中第一结合材的中部切割；每个引线框架的侧面遗留有第一结合材的部分结构，有利于降低引线框架与电路板的焊接难度，并提高焊接结合强度。
-
公开(公告)号：CN111162057A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010008279.3
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/15 , H01L25/07
Abstract: 本发明涉及一种半导体功率器件及用于半导体功率器件的功率处理组件，其中功率处理组件包括绝缘基板；设置在绝缘基板上的多个芯片；温度传感器，其包括完整地设于绝缘基板内并位于选定的芯片下方的传感器本体，以及与传感器本体相连并从绝缘基板上穿出的电连接件。该功率处理组件可以在降低短路电弧击穿损坏温度传感器的风险的同时，解决温度传感器的温度检测结果与选定芯片的实际工作温度之间误差较大的问题，有利于对芯片的工作温度进行精准控制。
-
公开(公告)号：CN111029265A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911362878.9
申请日：2019-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供一种防止QFN模封框架翘曲的塑封模具，塑封模具内设有与模封框架对应布置的用于塑封灌注的空腔，空腔内沿模封框架长度方向的两侧部高度低于中间部分的高度。塑封模具上设有与空腔连接的注入口。本发明还提供一种防止QFN模封框架翘曲的塑封方法，包括S10：将芯片搭载在模封框架上。S20：将已搭载芯片的模封框架固定在上述所述的任一项塑封模具内。S30：通过注入口进行塑封灌注。S40：对经过S30处理的整块塑封料进行磨平。S50：根据芯片的位置和形状进行完全切割。本发明提供的防止QFN模封框架翘曲的塑封模具及方法，可以使模封框架所受应力均匀，不发生翘曲，从而有效提高QFN芯片封装出产率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110571148A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910652079.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/739
Abstract: 本申请涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种功率半导体器件的加工方法及功率半导体器件。功率半导体器件的加工方法包括以下步骤：在元胞区上刻蚀形成沟槽，在器件表面形成多晶硅层，多晶硅填满所述沟槽并在器件表面形成一定厚度；对元胞区部分的多晶硅层进行刻蚀，形成器件的栅极结构，对终端区部分的多晶硅层进行刻蚀形成器件的场板；其中，通过各向同性刻蚀方法刻蚀终端区部分的多晶硅层，所形成的场板的刻蚀剖面的侧壁与器件表面呈倾斜设置。通过变更刻蚀方法，采用各向同性的刻蚀方法将多晶硅层的边缘角度由直角刻蚀成斜角，ILD在垫积的时候不会形成凹坑，避免了钨刻蚀之后的钨残留问题，从而解决了金属钨与多晶硅接触短路的问题。
-
公开(公告)号：CN110504220A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910791503.8
申请日：2019-08-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及一种功率器件封装方法及功率器件封装结构，涉及半导体技术领域，用于提高现有的封装器件的过流能力题。本发明的功率器件封装方法，通过将第一芯片远离第一框架的侧面与第二芯片远离第二框架的侧面相连，并将所述第一框架与所述第二框架相连，使第一芯片、第二芯片、第一框架和第二框架能够被一同塑封在一个壳体内形成封装结构，使单个封装结构的过流能力增加大，从而降低应用端的成本；此外，由于将第一芯片和第二芯片都塑封在壳体内，因此相比塑封单个芯片的封装结构，相当于减少了封装结构的数量，从而大大缩减应用端实际体积。
-
公开(公告)号：CN110400776A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910589553.8
申请日：2019-07-02
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L23/538 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及电子芯片技术领域，公开一种功率芯片及其制备方法。在衬底的一侧表面形成沟道层和势垒层，通过隔离工艺形成一个SBD有源区和一个HEMT有源区；在势垒层上形成芯片器件层，芯片器件层包括SBD阳极、SBD阴极、HEMT源极、HEMT漏极、HEMT栅极、第一金属层、阳极焊盘和阴极焊盘，SBD阴极与HEMT源极通过第一金属层电连接，SBD阳极和HEMT栅极与阳极焊盘电连接，HEMT漏极与阴极焊盘电连接；在芯片器件层上形成表面钝化介质层，并通过构图工艺在表面钝化介质层上形成过孔以露出阳极焊盘和阴极焊盘。本申请实施例可同时实现低开启电压和高反向耐压，降低封装难度，减小芯片寄生效应，提高电路工作效率。
-
公开(公告)号：CN110176451A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910394758.0
申请日：2019-05-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种功率模块及其封装方法，其功率模块包括承载板，所述承载板包括绝缘层和设置于所述绝缘层一表面的金属层；所述功率模块还包括至少一个功率芯片和至少一个驱动芯片，分别贴装在所述金属层的远离所述绝缘层的表面，并通过键合线与所述金属层电性连接。本发明通过将功率芯片、驱动芯片和引脚贴装在承载板的金属层，即通过承载板代替现有技术用的高密度引线框架和PCB板，从而大大的节约了成本，简化了封装工艺。
-
公开(公告)号：CN106783983A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611019709.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 史波
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/66325
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法。所述绝缘栅双极型晶体管器件的正面结构包括：N型衬底正面的多个沟槽以及填充在所述多个沟槽内的多个沟槽多晶硅栅结构；所述多个沟槽多晶硅栅结构上方的氧化层介质膜层及其两侧的侧墙结构；分别位于所述多个沟槽多晶硅栅结构中、相邻的沟槽多晶硅栅结构之间的多个接触孔；位于所述多个接触孔两侧、且在所述侧墙结构下方的N型掺杂发射极区；所述多个接触孔底部的P型注入区；填充在所述多个接触孔中的钨塞填充结构；所述氧化层介质膜层及其两侧的侧墙结构上覆盖的正面金属层；以及所述正面金属层上方的表面钝化层。根据本发明，能缩小器件元胞结构的尺寸，提高元胞密度，从而提高单位面积的电流密度，降低成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
341
records
(took 0.039 seconds)
