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公开(公告)号：CN116736089A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202311026936.7
申请日：2023-08-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种芯片高低温可靠性测试设备及方法。设备包括温控装置、顶板、电路板以及连接于顶板与温控装置之间的升降杆和伸缩返流管；温控装置的顶面开设有若干第一气流口；顶板的底面开设有若干第二气流口，顶板的内部开设有气流通道；电路板其中一面的面板上设有若干用于放置待测芯片的安装槽，安装槽与第二气流口适配；安装槽的槽底壁开设有气孔；所述电路板的另一面上与安装槽所在位置相对应处设有与所述第一气流口相适配的对接口；电路板上预先焊接有测试所需的连接线路以及测试板卡。采用该装置可延长测试板卡的使用寿命，并实现批量准确的高低温可靠性测试。
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公开(公告)号：CN116699482A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310988221.3
申请日：2023-08-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电磁传感技术领域，提供一种磁传感器、防窃电的电能表。所述磁传感器包括磁敏元件以及与磁敏元件相连的信号处理电路；磁敏元件包括第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥，第一惠斯通电桥由多个能够感应X轴方向磁场的X磁阻单元构成，第二惠斯通电桥由多个能够感应Y轴方向磁场的Y磁阻单元构成；多个X磁阻单元与多个Y磁阻单元间隔排布，每一个X磁阻单元与相邻的Y磁阻单元的距离相等；所述磁敏元件感应电能表周围的磁场强度并输出电压信号；信号处理电路对电压信号进行处理，产生开关信号。本发明能够检测来自360°全方位的磁场干扰，无检测盲区，可及时发现各个方向来源的磁场干扰，提升电能表的防窃电功能。
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公开(公告)号：CN116699373A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310988227.0
申请日：2023-08-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁场抗干扰检测技术领域，提供一种芯片外部恒定磁场抗扰度检测装置及芯片。所述装置包括：滑动控制组件、芯片姿态调整组件以及控制器。滑动控制组件包括主电机、滑动导轨以及安装于滑动导轨的移动臂，移动臂上安装有永磁铁。芯片姿态调整组件包括旋转电机、旋转机构以及安装于旋转机构上的芯片座。控制器用于通过控制主电机的启动来带动移动臂沿滑动导轨移动，以使移动臂上的永磁铁靠近或远离芯片座，通过控制旋转电机的启动来带动旋转机构进行旋转，以使芯片座上放置的待测芯片相对永磁铁旋转运动。本发明可实现芯片的全球面多角度的抗扰度检测，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN116299082A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310203775.8
申请日：2023-03-02
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法，属于传感器封装技术领域。所述三维磁场传感器包括：外围集成电路单元和三个磁敏感单元，所述外围集成电路单元与三个磁敏感单元在垂直方向上堆叠设置；三个磁敏感单元包括基于霍尔(Hall)效应的Z轴磁敏感单元和基于各向异性磁阻(AMR)效应的X轴磁敏感单元及Y轴磁敏感单元；三个磁敏感单元与外围集成电路单元通过硅通孔导线相互电连接。采用硅通孔技术及3D堆叠技术，可以有效克服传统键合引线互联法带来的面积和体积消耗大、集成度低的缺点，为AMR/Hall混合三轴磁场传感器的微小型化和商业化应用带来可能。
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公开(公告)号：CN112710405B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011461453.6
申请日：2020-12-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115948100A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211651282.2
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 天津大学 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) , 国家电网有限公司
IPC: C09D163/02 , C09D5/08 , C09D109/00 , C09D115/00
Abstract: 本发明涉及芯片封装材料领域，公开了一种复合材料组合物及复合材料的制备方法及复合材料和应用。该组合物包含环氧树脂、液体橡胶、固化剂和溶剂；其中，所述环氧树脂、所述液体橡胶、所述固化剂和所述溶剂的重量比为1：(0.1‑0.5)：(1‑3)：(1‑5)。本发明提供的复合材料在3.5％(w/v)的盐水环境下浸泡60天后，阻抗值在6.35E+07Ω以上，静态接触角在60°以上，硬度在60D以上，落重冲击测试的直接抗冲击强度在48cm以上，500g负载下，经1000目砂纸摩擦2000圈后的厚度损失在31％以下，具有良好的防腐性能，同时具有良好的机械性能和耐磨性能。
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公开(公告)号：CN115863397A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310056857.4
申请日：2023-01-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN115642182A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211461416.4
申请日：2022-11-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：硅衬底；阱区；第一氧化隔离层和第二氧化隔离层，形成于阱区的两侧；第一漏极重掺杂区和第二漏极重掺杂区均为具有至少一个坡面的凸台状梯形体结构，第一漏极重掺杂区形成于部分第一氧化隔离层上，第二漏极重掺杂区形成于部分第二氧化隔离层上；第一漏极重掺杂区与第一漏极金属电极构成第一漏极，第二漏极重掺杂区与第二漏极金属电极构成第二漏极；体区、漂移区、第一场板、栅极、源极，形成于阱区。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN115241183B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211122807.3
申请日：2022-09-15
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L23/64
Abstract: 本申请涉及半导体领域，提供一种电压钳位的超结器件及制造方法。所述超结器件包括有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构和电阻结构，所述平板电容结构与所述电阻结构串联连接构成RC吸收电路；所述RC吸收电路与源极和截止环区相连，用于对超结器件的漏源电压进行电压钳位。本申请在超结器件的终端区集成RC吸收电路，将器件漏源电压钳位在安全电压值范围内，可以减缓器件电压电流振铃，防止器件因过压击穿而损坏；充分利用超结器件终端区芯片面积，不需要额外占用超结器件有源区面积，不会引起超结器件其它参数的退化，提高系统的集成度和可靠性。
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公开(公告)号：CN115128427B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211036892.1
申请日：2022-08-29
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种MOS器件寿命预测方法、装置、电子设备、介质及程序产品。所述MOS器件寿命预测方法包括：获取MOS器件在老化实验条件下的指标参数偏离初始值预定范围的参数退化量数据，并建立参数退化量时间序列；根据时间序列分解算法处理所述参数退化量时间序列得到分解后的数据；将所述分解后的数据作为样本数据，并利用所述样本数据训练Holt‑Winters模型；利用训练后的所述Holt‑Winters模型对所述MOS器件进行寿命预测。上述技术方案减少了现有技术中因对MOS器件进行完整的加速应力实验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了MOS器件的生产周期，解决了MOS器件生产效率低的问题。
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