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公开(公告)号：CN118732556A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410759897.X
申请日：2024-06-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05B19/042 , G01R31/40
Abstract: 本公开涉及电源监测技术领域，具体涉及一种用于电源监测的嵌入式系统、解码方法和解码芯片、电子设备、介质及产品。所述嵌入式系统包括：定时器、数据采集模块和数据处理模块；定时器提供基准定时信号；数据采集模块从电源芯片获取自定义IO监测波形；数据处理模块，根据指定采集频率对自定义IO监测波形进行采集，得到原始数据序列，然后对原始数据序列进行滑窗解析操作，在解析完预同步对时数据段和同步时钟数据段之后解析出监测数据段，并将监测数据段作为自定义IO监测波形的解码结果。本公开可以通过软件方式实现自定义IO监测波形的灵活解码，灵活适应不同波形的同步时钟频率，成本较低，且解码的执行效率较高，占用的CPU资源较少。
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公开(公告)号：CN116847715B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311105192.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及磁存储器领域，提供一种基于交换偏置的自旋轨道矩磁存储单元、磁随机存储器。包括重金属层以及设置于重金属层上的磁隧道结，磁隧道结自下而上依次为反铁磁层、自由层、势垒层以及参考层。重金属层的宽度从重金属层的第一端至第二端逐渐增大。重金属层用于在被施加逐步增大的电流时产生不同强度的自旋轨道力矩，利用反铁磁层与自由层之间的交换偏置作用，在不同强度的自旋轨道力矩的作用下使自由层的磁矩从部分翻转逐步至全部翻转，使自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向平行或反平行，以实现多阻态写入。本发明通过使用具有不同宽度的重金属层，并利用交换偏置作用，实现无外场的确定性翻转和稳定的多阻态。
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公开(公告)号：CN115878539A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310046767.7
申请日：2023-01-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G06F13/42
Abstract: 本发明提供一种串口自适应电路、电子设备和电路板，属于RS‑232通讯串口领域。所述串口自适应电路包括：电平转换模块、对称型电阻网络模块和RS‑232接口；电平转换模块用于实现两路TTL电平串口信号与两路RS‑232负逻辑电平信号之间的转换；对称型电阻网络模块与电平转换模块连接，用于将两路RS‑232负逻辑电平信号转换为输出信号，或者将输入信号转换为两路RS‑232负逻辑电平信号；RS‑232接口与对称型电阻网络模块连接，用于接入输入信号或者输出输出信号。该自适应电路可以实现RS‑232通讯接口接收信号和发送信号的自动适应，在工程实践中可以有效避免由于串口线类型差异导致的信号不匹配问题。
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公开(公告)号：CN115271058B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211202953.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明实施例提供一种类脑计算芯片和数据处理终端，属于芯片技术领域。所述类脑计算芯片包括类脑计算阵列，用于类脑计算任务的数据处理，所述类脑计算阵列包括多个脉冲神经处理单元，所述多个脉冲神经处理单元呈阵列分布，所述多个脉冲神经处理单元中的每一个脉冲神经处理单元用于处理神经元计算和突触计算。本发明实施例提供的类脑计算芯片包括由多个脉冲神经处理单元组成的类脑计算阵列；每一个脉冲神经处理单元都可以同时处理神经元计算和突触计算；替代了传统的类脑计算架构中分离式的神经元和神经突触，减少了因神经元和神经突触之间频繁的数据交换造成的能量损失和计算时延，显著提高了运算速度，降低了芯片在处理大量数据时的系统功耗。
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公开(公告)号：CN116847715A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311105192.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及磁存储器领域，提供一种基于交换偏置的自旋轨道矩磁存储单元、磁随机存储器。包括重金属层以及设置于重金属层上的磁隧道结，磁隧道结自下而上依次为反铁磁层、自由层、势垒层以及参考层。重金属层的宽度从重金属层的第一端至第二端逐渐增大。重金属层用于在被施加逐步增大的电流时产生不同强度的自旋轨道力矩，利用反铁磁层与自由层之间的交换偏置作用，在不同强度的自旋轨道力矩的作用下使自由层的磁矩从部分翻转逐步至全部翻转，使自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向平行或反平行，以实现多阻态写入。本发明通过使用具有不同宽度的重金属层，并利用交换偏置作用，实现无外场的确定性翻转和稳定的多阻态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115878539B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310046767.7
申请日：2023-01-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G06F13/42
Abstract: 本发明提供一种串口自适应电路、电子设备和电路板，属于RS‑232通讯串口领域。所述串口自适应电路包括：电平转换模块、对称型电阻网络模块和RS‑232接口；电平转换模块用于实现两路TTL电平串口信号与两路RS‑232负逻辑电平信号之间的转换；对称型电阻网络模块与电平转换模块连接，用于将两路RS‑232负逻辑电平信号转换为输出信号，或者将输入信号转换为两路RS‑232负逻辑电平信号；RS‑232接口与对称型电阻网络模块连接，用于接入输入信号或者输出输出信号。该自适应电路可以实现RS‑232通讯接口接收信号和发送信号的自动适应，在工程实践中可以有效避免由于串口线类型差异导致的信号不匹配问题。
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公开(公告)号：CN114694727A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210177188.1
申请日：2022-02-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本申请实施例提供一种非易失性存储单元数据读取方法及存内计算数据读取方法，属于半导体技术领域。方法包括：响应于第一数据读取指令，向非易失性存储器件与位线连接的一端施加第一电压，并向三端开关元件与源线连接的一端施加第二电压，第二电压低于第一电压，且第一电压与第二电压的差值大于三端开关元件的阈值电压；通过非易失性存储器件与位线连接的一端获取非易失性存储器件的存储数据。本申请能有效避免了现有的反向读取过程中需对与非易失性存储器件连接的源线施加高电压，导致开关元件产生衬偏效应，进而导致开关元件阈值电压变化，影响存储单元的读取速度和裕度的问题。
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公开(公告)号：CN114222142B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210165456.8
申请日：2022-02-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本申请实施例提供一种基于脉冲神经网络的图像编码方法及装置，属于神经计算及图像处理技术领域。方法包括：获取待处理图像；对于待处理图像中的每一像素点，获取像素点的特征属性，依据像素点的特征属性确定像素点的信息强度值；将像素点编码为表征像素点在预设时间窗口内对应的脉冲发放时刻的时域编码数据，并以时域编码数据作为待处理数据输入输入神经元，像素点对应的脉冲发放时刻与像素点的信息强度值负相关。本申请通过将像素点的信息强度值近似线性地映射到预设时间窗口内的脉冲发放时刻，使得输入输入神经元的像素点的信息强度值越高，输入神经元的脉冲发放时间越早，从而有助于提高有效数据的区分度，降低数据处理的延时和计算复杂度。
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公开(公告)号：CN113887734B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111482824.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明实施例提供一种随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述随机磁隧道结器件包括：由顶端电极、参考层、隧穿势垒层和自由调控层依次层叠组成的叠层结构；其中，所述自由调控层包括：自由层、底端电极和位于磁隧道结周围任意位置的导线层，所述导线层用于产生调控所述自由层磁化取向的奥斯特场。本发明方案将传统通过势垒层两端电压控制器件翻转概率的方法修改为通过底端电极电压与磁场协同控制翻转概率，在自由层端增设一个奥斯特场，基于该奥斯特场进行自由层磁化取向控制。避免了传统方法中需要自旋转移矩电流需要连续不断的通过磁隧道结的超薄隧穿势垒层，从而造成势垒层寿命降低的问题。
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公开(公告)号：CN113805044B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111354981.6
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片，该方法包括测试芯片的抗ESD能力；添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路，组成新电路，其中，所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感，所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感；对所述新电路进行老化测试，以确定所述芯片的老化特性；根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性，对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。
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