公开(公告)号：CN114694727A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210177188.1

申请日：2022-02-25

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  潘成 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  薛晓勇 ,  赵文龙 ,  吴峰霞 ,  姜静雯 ,  郭之望

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/24

Abstract: 本申请实施例提供一种非易失性存储单元数据读取方法及存内计算数据读取方法，属于半导体技术领域。方法包括：响应于第一数据读取指令，向非易失性存储器件与位线连接的一端施加第一电压，并向三端开关元件与源线连接的一端施加第二电压，第二电压低于第一电压，且第一电压与第二电压的差值大于三端开关元件的阈值电压；通过非易失性存储器件与位线连接的一端获取非易失性存储器件的存储数据。本申请能有效避免了现有的反向读取过程中需对与非易失性存储器件连接的源线施加高电压，导致开关元件产生衬偏效应，进而导致开关元件阈值电压变化，影响存储单元的读取速度和裕度的问题。

公开(公告)号：CN113889163A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111485264.7

申请日：2021-12-07

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京航空航天大学

Inventor： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  付振 ,  邵瑾 ,  殷加亮 ,  潘成 ,  王文赫 ,  赵文龙 ,  肖睿 ,  卓昱东 ,  曹凯华 ,  赵巍胜

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明实施例提供一种翻转概率可控的随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述器件包括：基础磁隧道结三明治结构，自上而下包括参考层、隧穿势垒层和自由层；位于所述参考层上方的顶端电极，所述顶端电极具有顶端电极端口；位于所述自由层下方的调控层，用于为所述自由层提供偏置磁场，所述调控层包括重叠布置的交换偏置场层和底端电极；所述底端电极两端分别具有底端第一电极端口和底端第二电极端口；所述顶端电极端口、所述底端第一电极端口和所述底端第二电极端口用于单个或任意组合使用以调控所述随机隧道结器件的翻转概率。本发明方案实现了随机磁隧道结器件翻转概率可控。

公开(公告)号：CN113889163B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111485264.7

申请日：2021-12-07

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京航空航天大学

Inventor： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  付振 ,  邵瑾 ,  殷加亮 ,  潘成 ,  王文赫 ,  赵文龙 ,  肖睿 ,  卓昱东 ,  曹凯华 ,  赵巍胜

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明实施例提供一种翻转概率可控的随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述器件包括：基础磁隧道结三明治结构，自上而下包括参考层、隧穿势垒层和自由层；位于所述参考层上方的顶端电极，所述顶端电极具有顶端电极端口；位于所述自由层下方的调控层，用于为所述自由层提供偏置磁场，所述调控层包括重叠布置的交换偏置场层和底端电极；所述底端电极两端分别具有底端第一电极端口和底端第二电极端口；所述顶端电极端口、所述底端第一电极端口和所述底端第二电极端口用于单个或任意组合使用以调控所述随机隧道结器件的翻转概率。本发明方案实现了随机磁隧道结器件翻转概率可控。

公开(公告)号：CN112834890B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202011598468.7

申请日：2020-12-29

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京大学

Inventor： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  张海峰 ,  付振 ,  赵文龙 ,  庞振江 ,  周芝梅 ,  刘芳 ,  万勇 ,  何燕冬

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。

公开(公告)号：CN112834890A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011598468.7

申请日：2020-12-29

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京大学

Inventor： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  张海峰 ,  付振 ,  赵文龙 ,  庞振江 ,  周芝梅 ,  刘芳 ,  万勇 ,  何燕冬

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。