公开(公告)号：CN107293515A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710473619.8

申请日：2017-06-20

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  北京大学

Inventor： 官勇 ,  陈兢 ,  金玉丰 ,  林挺宇 ,  尹雯 ,  曹立强

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明提供了一种TSV封装结构的制备方法及其所制备的TSV封装结构，其中所述方法包括：在衬底的第一表面形成盲孔；衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在盲孔内填充导电金属；对衬底的第二表面进行减薄至露出盲孔内的导电金属；在板体的第二表面制作第一布线层，第一布线层的至少一条导线与盲孔内的导电金属连接；在盲孔内填充导电金属的步骤之后，还包括：在板体的第一表面制作第二布线层，第二布线层的至少一条导线与盲孔内的导电金属连接。由于盲孔的底部朝向衬底的第二表面突出，则在TSV封装结构深宽比较大、盲孔较深时，采用传统方法即可用在盲孔的整个内壁制备得到致密均匀的铜种子层，从而在盲孔内部所填充的Cu较均匀。

公开(公告)号：CN107275237A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710267132.4

申请日：2017-04-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 曾清华 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/492

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/4926 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/10155

Abstract: 本发明提供一种提高焊球疲劳寿命的硅岛阵列结构，其形成于倒装芯片封装结构中的集成电路芯片的有源面，包括：若干阵列布置的柱状或台状硅岛。同时提供基于前述硅岛阵列结构的倒装芯片封装结构方法。改变传统技术思路，在不改变焊接连接结构的前提下也可有效避免封装结构在经历热膨胀过程中出现的连接失效问题。从而提高连接结构的疲劳寿命，确保倒装芯片封装结构的稳定性。

公开(公告)号：CN106782666A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201510831373.8

申请日：2015-11-25

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 崔小乐 ,  张世界 ,  金玉丰

IPC: G11C29/44

Abstract: 一种三维堆叠存储器，包括多层存储器，每层存储器包括：由存储单元排布成的存储阵列，用于存储数据；备用存储单元，用于作为冗余资源替换故障存储单元；内建自测试模块，用于对存储器进行测试，并标定存储阵列中故障存储单元的位置；冗余资源替换模块，用于使用故障存储单元所属层的备用存储单元及与其相邻层中的备用存储单元按照内建自测试模块标定的故障存储单元的位置对故障存储单元进行替换。因为，冗余资源替换模块使用故障存储单元所属层的备用存储单元及与其相邻层中的备用存储单元按照内建自测试模块标定的故障存储单元的位置对故障存储单元进行替换，所以在较少硅通孔面积的条件下可提高冗余资源的利用率和故障单元修复率。

公开(公告)号：CN105470240A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510817569.1

申请日：2015-11-23

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 崔小乐 ,  井兵强 ,  金玉丰

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14

Abstract: 本申请涉及硅通孔及三维集成电路中硅通孔组的测试电路和方法，包括：激励源，其与TSV的输入端相连接，用于提供激励信号；并联的两条电路支路，其与TSV的输出端相连接，其中一电路支路包括反相器件，另一电路支路包括电平触发器件和开关器件，开关器件用于控制电平触发器件所处电路支路的通断；第三电路支路，其与并联的两条电路支路的输出端相连接，用于根据电路支路当前处于的导通或断开状态，予以相应的输出；检测电路支路，用于根据第三电路支路的输出的信号表现，确定TSV是否存在开路缺陷或短路缺陷。本申请通过分析两条电路支路输出端的信号表现，来判断TSV缺陷，实现采用同一套测试电路即可覆盖开路缺陷和短路缺陷测试。

公开(公告)号：CN104952789A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510214323.5

申请日：2015-04-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所 ,  北京大学

Inventor： 官勇 ,  魏晓旻 ,  马盛林 ,  曾清华 ,  邱颖霞 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明提供了一种含高深宽比TSV的转接板的制作方法。该转接板包括多个高深宽比的垂直TSV通孔、绝缘层、再布线层，所述转接板具有相对的第一表面和第二表面；所述TSV为直径5～150μm，深宽比约10:1，垂直贯穿所述转接板的第一表面和第二表面的垂直通孔；所述绝缘层保型覆盖整个衬底表面及TSV侧壁；所述再分布线层在所述转接板第一表面和第二表面。相应地，本发明详细描述了该转接板的制作步骤。本发明可以有效的避免TSV尺寸太小带来的背面绝缘层不连续、背面绝缘层开裂，以及小尺寸TSV侧壁种子层金属生长过快导致快速封口而带来TSV内存空洞的问题，能够提高含高深宽比TSV的转接板的成品率和电学可靠性。

公开(公告)号：CN102569183B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210053684.2

申请日：2012-03-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱韫晖 ,  方孺牛 ,  马盛林 ,  孙新 ,  陈兢 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明是一种多层石墨烯垂直互连结构制作方法，包括步骤：S101.在基片上制作垂直孔；S102.在所述基片的表面上制作催化层，所述催化层覆盖所述垂直孔的内表面；S103.在所述催化层上制作石墨烯层；S104.重复制作催化层和石墨烯层，直到获得所需的导电效果；S105.对垂直孔进行填充，直到获得对垂直孔所需的填充效果。通过本发明可以提高垂直互连结构的电信号传输性能。

公开(公告)号：CN102937695B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210400993.2

申请日：2012-10-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱韫晖 ,  孙新 ,  马盛林 ,  缪旻 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔超薄晶圆测试结构及测试方法。该测试结构包括一带有重新布线层的转接板，该转接板的表面设有用于与待测试的带有硅通孔的超薄晶圆形成电学连接的键合结构。将待测试的带有硅通孔的超薄晶圆与带有重新布线层的转接板通过临时键合形成电学连接后，采用普通平面探针台或自动测试设备即可进行晶圆测试，转接板对超薄晶圆提供了良好地机械支撑，不会产生翘曲或碎裂，有利于快速、准确地进行晶圆测试。

公开(公告)号：CN102270603B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201110230266.1

申请日：2011-08-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  王贯江 ,  孙新 ,  朱蕴晖 ,  陈兢 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔互连结构的制作方法，属于微电子封装领域。本方法为：1)在硅晶圆正面粘接一玻璃晶圆；2)将所述硅晶圆背面减薄至目标厚度，并制备所述硅晶圆的硅通孔；3)在所述硅晶圆背面依次沉积绝缘层、种子层；4)在所述硅晶圆背面制作电镀掩膜，电镀导电材料填充硅通孔，形成凸点；然后在凸点上制作焊盘，并暴露出凸点周围的绝缘层；5)将所述硅晶圆背面粘接到一晶圆上，剥离所述玻璃晶圆；在所述硅晶圆正面，刻蚀掉硅通孔底部所沉积的绝缘层，制作一重新布线层电连接硅通孔中所沉积的种子层与所述微电子电路，并制作所述重新布线层的焊盘。本发明便于种子层沉积效果、电镀填充效果监测，降低了工艺的技术难度，提高成品率。

公开(公告)号：CN103364584A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210093089.1

申请日：2012-03-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱智源 ,  于民 ,  朱韫晖 ,  孙新 ,  陈兢 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: G01P15/12 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的压阻式加速度传感器包括含有硅通孔阵列的质量块，含硅通孔的硅基边框，多个弹性梁，压敏电阻及半导体底板；所述质量块位于加速度传感器中央并具有平整规则的顶面与底面；所述质量块中硅通孔分为填充通孔和非填充通孔；所述硅集边框上的硅通孔位于边框对角处，经由金属导线与压敏电阻相连；所述弹性梁一端与质量块顶部边缘连接，另一端与硅基边框内缘连接；所述压敏电阻位于弹性梁端部；所述质量块，硅基边框，弹性梁均固定在半导体底板上。本发明还公开了含有硅通孔压阻式加速度传感器的制造方法。本发明可用于现代工业生产、科学研究及日常生活中的多个应用领域。

公开(公告)号：CN102097521B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010523325.X

申请日：2010-10-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡璐 ,  于民 ,  羊晋 ,  王金延 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  G01T1/24 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种曲面结构的硅漂移探测器。本发明的硅漂移探测器包括N型硅片，位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极，施加于所述入射面的反向偏置电压，和位于所述N型硅片的背面的阳极，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的P型曲面漂移电极，所述曲面从距离所述阳极设定的距离处向外围凹陷。本发明还公开了一种硅漂移探测器的制造方法，在该方法中，所需的曲面通过用腐蚀剂腐蚀基底表面而得到。本发明可用于X射线光谱分析，可用于空间探测等技术领域。