公开(公告)号：CN105390475A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510684784.9

申请日：2015-10-20

Applicant: 北京大学 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 曾清华 ,  陈兢 ,  何洪文 ,  曹立强 ,  靖向萌

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76879 ,  H01L2221/1068

Abstract: 本发明涉及一种衬底内部的电容集成结构，包括衬底，该衬底上设有TSV盲孔，该TSV盲孔从侧壁表面向外依次为隔离层、第一电极层、介质层、第二电极层，在该衬底表面设有第一电极层、第二电极层的引出电极。其中，衬底为Si衬底或者SOI衬底，TSV盲孔的数量为1个、2个或者多个，隔离层、第一电极层、介质层、第二电极层采用ALD技术沉积。本发明通过衬底内部横向空腔结构，利用ALD工艺技术实现该结构内侧壁表面薄膜的沉积，进而在衬底内部集成电容，能够增加衬底表面可利用面积，提高集成度。

公开(公告)号：CN107275299B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201710385095.7

申请日：2017-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 官勇 ,  马盛林 ,  曾清华 ,  孟伟 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种微通道换热器及其制作方法，属于半导体结构制造领域。该微通道换热器包括第一衬底和第二衬底，第一衬底和第二衬底均具有相对的第一表面和第二表面，第一衬底具有贯穿其第一表面和第二表面的微通道，第二衬底在其第一表面上形成一定深度的通道；第一衬底的第一表面、第二表面以及微通道内设有第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，导电层介于第一绝缘层和第二绝缘层之间；第一衬底的第一表面设有再布线层；第一衬底的第二表面和第二衬底的第一表面设有键合层，第一衬底和第二衬底通过键合层键合在一起。本发明的微通道兼具传热和导电的功能，能够提高微通道的散热效率和整个系统的热学可靠性。

公开(公告)号：CN107275299A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710385095.7

申请日：2017-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 官勇 ,  马盛林 ,  曾清华 ,  孟伟 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种微通道换热器及其制作方法，属于半导体结构制造领域。该微通道换热器包括第一衬底和第二衬底，第一衬底和第二衬底均具有相对的第一表面和第二表面，第一衬底具有贯穿其第一表面和第二表面的微通道，第二衬底在其第一表面上形成一定深度的通道；第一衬底的第一表面、第二表面以及微通道内设有第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，导电层介于第一绝缘层和第二绝缘层之间；第一衬底的第一表面设有再布线层；第一衬底的第二表面和第二衬底的第一表面设有键合层，第一衬底和第二衬底通过键合层键合在一起。本发明的微通道兼具传热和导电的功能，能够提高微通道的散热效率和整个系统的热学可靠性。

公开(公告)号：CN107275237A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710267132.4

申请日：2017-04-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 曾清华 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/492

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/4926 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/10155

Abstract: 本发明提供一种提高焊球疲劳寿命的硅岛阵列结构，其形成于倒装芯片封装结构中的集成电路芯片的有源面，包括：若干阵列布置的柱状或台状硅岛。同时提供基于前述硅岛阵列结构的倒装芯片封装结构方法。改变传统技术思路，在不改变焊接连接结构的前提下也可有效避免封装结构在经历热膨胀过程中出现的连接失效问题。从而提高连接结构的疲劳寿命，确保倒装芯片封装结构的稳定性。

公开(公告)号：CN104952789A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510214323.5

申请日：2015-04-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所 ,  北京大学

Inventor： 官勇 ,  魏晓旻 ,  马盛林 ,  曾清华 ,  邱颖霞 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明提供了一种含高深宽比TSV的转接板的制作方法。该转接板包括多个高深宽比的垂直TSV通孔、绝缘层、再布线层，所述转接板具有相对的第一表面和第二表面；所述TSV为直径5～150μm，深宽比约10:1，垂直贯穿所述转接板的第一表面和第二表面的垂直通孔；所述绝缘层保型覆盖整个衬底表面及TSV侧壁；所述再分布线层在所述转接板第一表面和第二表面。相应地，本发明详细描述了该转接板的制作步骤。本发明可以有效的避免TSV尺寸太小带来的背面绝缘层不连续、背面绝缘层开裂，以及小尺寸TSV侧壁种子层金属生长过快导致快速封口而带来TSV内存空洞的问题，能够提高含高深宽比TSV的转接板的成品率和电学可靠性。