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公开(公告)号：CN101834273A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010102213.7
申请日：2010-01-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法，该单元结构包括集成电路衬底、位于集成电路衬底上的第一绝缘介质层、被第一绝缘介质层包围并与集成电路衬底连接的驱动二极管、被第一绝缘介质层包围并位于驱动二极管上的过渡层、位于第一绝缘介质层上的第二绝缘介质层、被第二绝缘介质层包围并位于过渡层上的下电极、位于第二绝缘介质层上的第三绝缘介质层、被第三绝缘介质层包围并位于下电极上的相变材料层和位于相变材料层上的上电极；所述的过渡层的热导率为0.01W/m·K～20W/m·K。该结构可有效地减少从下电极的热损耗，提高加热效率，并通过对驱动二极管的加热提高其正向导通电流，从而达到降低相变存储器功耗的目的。
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公开(公告)号：CN101818047A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010106871.3
申请日：2010-02-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105 , H01L21/762 , B24B7/24
Abstract: 本发明属于微电子加工中的化学机械抛光浆液领域，具体涉及氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用。本发明的氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒包含氧化硅和氧化铈，且所述复合磨料颗粒的内核为球形氧化硅内核，外壳为氧化铈包覆层。由本发明的氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒配制成的抛光液对超大规模集成电路玻璃、二氧化硅介质层和STI进行抛光，可以提高抛光去除率和抛光选择比，减少抛光缺陷。
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公开(公告)号：CN101758457A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010022997.2
申请日：2010-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法，包括下列步骤：将已使用过的抛光液经过滤膜过滤后收集滤液；将滤液过阳离子交换树脂后，收集流出液；将获得的流出液再过阴离子交换树脂，收集流出液；将获得的流出液作为原料用于配制新的化学机械抛光液，或者将获得的流出液浓缩后作为原料用于配制新的化学机械抛光液。本发明的方法磨料回收率高，环保且节省资源。
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公开(公告)号：CN101325154A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810040645.2
申请日：2008-07-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构及其制作方法，特征在于有源层由单晶锗和单晶硅构成，且单晶硅的晶向由衬底硅决定。制备该结构的关键是能够制作出绝缘层上锗单晶薄膜，本发明利用等离子体低温键合和低温剥离的工艺，将单晶锗薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶锗薄膜上选择性刻蚀、外延单晶硅，从而制备出混合有图形化单晶硅的绝缘层上锗结构衬底。本发明可用于砷化镓外延，实现与III－V族半导体的集成。同时存在的图形化单晶硅材料可以进行常规CMOS工艺加工，制备常规器件与电路，有效解决氧化埋层的自加热效应。这种新型混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构，在高速高性能CMOS器件，光电集成电路，高速光探测器等方面有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN100440513C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410067217.0
申请日：2004-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体(CMOS)器件结构及其制备方法，属微电子技术领域。本发明的特征是提出了三维多层CMOS结构，层与层之间用连线连接。制备该结构的关键是能够制备出多层由绝缘层隔离的单晶薄膜，本发明提出低温键合和低温剥离的工艺，将单晶薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶薄膜上制备器件有源层。本发明提出的三维CMOS没有改变CMOS的基本结构，采用常规的CMOS工艺和设备条件就可实现高密度集成，工艺方法简单，并可减少金属互连线的长度和层数，提高器件的速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101241967A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810034355.7
申请日：2008-03-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种用于相变存储器的粘附层材料及制备方法，其特征在于所述的粘附层材料为至少含W元素的粘附层材料。具体地说为WxTi1－x或WxSi1－x，式中x为元素的原子百分比，满足0＜x＜1；所述的制备方法为采用双靶磁控共溅射法、蒸发法、激光辅助沉积法、原子层沉积法、原子气相沉积法、化学气相沉积和金属有机物热分解法中的任意一种。本发明特点是利用W基粘附层材料的与W电极和二极管多晶硅材料粘附性好、界面电阻低等优点，所述的至少含W元素的粘附层材料的作用可改善器件的欧姆接触、改善1D1R相变存储器单元的1D与1R之间的界面粘附性等性能，从而降低1D与1R之间的串联电阻，提高器件的操作性能。
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公开(公告)号：CN101174640A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710170408.3
申请日：2007-11-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种以低介电常数材料为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其制备方法，属于微电子学半导体材料及其制备工艺。本发明的特征在于此结构由三层构成：顶层半导体层、中间为相对介电常数小于4.2的绝缘埋层和下层硅衬底。其制备特征在于利用化学气相沉积或溶胶凝胶法等方法在硅片上制备低介电常数薄膜，然后与含半导体层的硅片键合，采用智能剥离技术或背面减薄技术实现顶层半导体层的转移。采用低介电常数材料代替已有的绝缘层上硅(SOI)中的SiO2埋层，使得绝缘埋层的电容减小，进而增大了高频下埋层的等效阻抗(1/2πfC)，因此，已有的SOI衬底材料相比，能够降低高频下通过衬底的信号串扰，更加适合低噪声SOI电路的需要。
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公开(公告)号：CN100342550C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410067219.X
申请日：2004-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法，其结构包括底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区，其中底栅比顶栅宽，沟道区为单晶半导体薄膜。本发明的双栅金属氧化物半导体晶体管结构，较长的底栅用于克服短沟道效应，而尽量小的顶栅目的是为了提高速度，有源区制备在大面积高质量单晶半导体薄膜上，可提高速度，降低功耗。该双栅结构的制备方法是，在制备好底栅(包括栅电极和栅介质层)之后将单晶半导体薄膜转移至底栅上部，在高质量的单晶半导体薄膜上制备晶体管的有源区，然后制备顶部栅介质层和栅电极，形成高性能的双栅金属氧化物半导体晶体管。
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公开(公告)号：CN101046457A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710040418.5
申请日：2007-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于生物微质量检测的硅基压电薄膜传感器及制备方法。本发明特征是在(100)取向的硅片上，先后沉积具有λ/4(λ为波长)厚度的Bragg反射层；接着在Bragg反射层上沉积压电薄膜层和金电极层；采用相关电极图形化工艺，在其上制作与标准微波测量相匹配的电极结构；经相关退火温度得到硅基压电薄膜传感器；在硅基压电薄膜传感器上先后涂敷系列生物探针，结合清洗后，采用三明治夹心技术点样特异性结合生物体微量，可测出传感器谐振频率的相应变化。进而由相应公式换算得到待测生物体的微质量。这种多功能集成传感技术与现代生物技术相结合，可使微量生物测量的高通量、强特异性、高灵敏分析成为可能。
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公开(公告)号：CN1300839C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410053565.2
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO2。通过曝光、刻蚀，在SiO2上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多孔氧化铝，同时对每个孔进行进一步的加工，可以形成唯一的一个纳米尺度的氧化铝小孔，或形成孔径一致，分布均匀纳米孔阵列，或形成孔径分散而分布均匀纳米孔阵列。再用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积薄膜，实现纳米孔的W填充，通过纳米抛光技术实现纳米孔顶端的平坦化，然后沉积相变材料与电极材料，引线，封装，实现纳米存储单元。
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