公开(公告)号：CN101222243B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200810002883.4

申请日：2008-01-11

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 井上健生 ,  大桥秀纪

IPC: H04B3/23 ,  H04M3/00

Abstract: 本发明的滤波系数设定装置，具备：滤波系数初始设定部，在回声防止装置起动时，对第1及第2FIR滤波器设定预定的滤波系数；响应信号取得部，由使第1信号产生而取得自第1FIR滤波器的输出，到AD转换器的输出的第1响应信号，并由使第2信号产生而取得自第2FIR滤波器的输出，到AD转换器的输出的第2响应信号；以及滤波系数设定部，为了使第4模拟信号成为，从第1模拟信号与第3模拟信号组合而成的信号中消除或衰减第1模拟信号后而得的信号，而对第2FIR滤波器设定根据第1响应信号所得的滤波系数，并对第1FIR滤波器设定根据第2响应信号所得的滤波系数。

公开(公告)号：CN101803173B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200880107630.1

申请日：2008-02-13

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 新井满次 ,  大池豪

IPC: H02P8/38 ,  H02P8/12

CPC classification number: H02P8/36 ,  B41J19/202 ,  H02P8/12

Abstract: 提供一种马达驱动装置，该马达驱动装置具备：开关元件，其对流过步进马达的第一线圈的电流进行控制，该步进马达具有被电磁耦合的第一和第二线圈；整流元件，其能够从接地侧向第二线圈进行通电；线圈电流检测部，其能够对流过第一线圈的电流进行检测；再生电流检测部，其能够对流过整流元件的电流进行检测；控制部，其以规定间隔来接通开关元件，并且根据线圈电流检测部的检测结果，当流过第一线圈的电流达到规定的设定电流时，断开开关元件；以及负电流检测部，其检测在开关元件从接通转换为断开之后的被断开期间是否有绝对值大于规定的设定值的负电流流过整流元件，其中，控制部根据负电流检测部的检测结果，在未流过负电流的情况下，保持开关元件的断开状态。

公开(公告)号：CN101533859B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910126539.0

申请日：2009-03-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 三好诚二 ,  冈田哲也

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  Y10S438/979

Abstract: 本发明涉及二极管。在半导体基板的第一主面设置有电导率调制型元件的pn结二极管中，若为缩短反向恢复时间(trr)而降低p型杂质区域的杂质浓度，则存在空穴的注入降低，某电流点的正向电压(VF)的值变高的问题。若导入用于降低反向恢复时间的寿命扼杀剂则存在漏电流增加等问题。在单晶硅层即n-型半导体层上设置p型多晶硅层。与单晶硅层相比，由于多晶硅层中晶界多，故可抑制施加正向电压时从p型多晶硅层注入到n-型半导体层的空穴量。也可通过形成p型多晶硅层时形成在n-型半导体层和p型多晶硅层之间的自然氧化膜来降低注入到n-型半导体层的空穴量。可以不使用寿命扼杀剂而缩短施加反向电压时抽出空穴所需时间即反向恢复时间。

公开(公告)号：CN101404276B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810161386.9

申请日：2008-09-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋电机民用电子株式会社

Inventor： 高草木贞道 ,  小野幸一郎 ,  松本章寿

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/075 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/056 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H05K3/002 ,  H05K3/0032 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/10106 ,  Y10T29/49169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目提供一种提升散热性同时防止反射率降低的发光模块。本发明的发光模块(10A)主要具备：金属基板(12)；导电图案(14)，形成在金属基板(12)的上表面；以及发光元件(20)，配置于金属基板(12)的上表面并且电性连接于导电图案(14)。并且，在发光模块(10A)的导电图案(14)的下方的区域留存有绝缘层(24)，并将导电图案(14)不存在的区域的绝缘层(24)去除。亦即，在导电图案(14)不存在的区域，金属基板(12)的上表面不由绝缘层(24)所披覆，而使构成金属基板(12)的金属材料露出。

公开(公告)号：CN101789742B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010003206.1

申请日：2010-01-11

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 高井和顺

IPC: H02P7/29

CPC classification number: H02P6/08

Abstract: 本发明提供一种电动机速度控制装置，解决从电动机仅能获得一种与旋转同步的脉冲信号的电动机速度控制装置会产生电动机的反转失控的课题。前馈控制部输入设定电动机的目标旋转速度ωT的大小和方向的目标设定值，并根据ωT生成目标指令信号。反馈控制部生成对应于(ω-ωT)的誤差信号Ve，并根据Ve生成补偿指令信号。电动机速度控制装置根据将目标指令信号和补偿指令信号合成后的合成信号，将电动机的旋转速度控制为ωT。在合成信号的对旋转速度的调节方向与ωT的方向相反、且合成信号的强度超过了规定的阈值的状态持续了规定期间的情况下，判断为反转失控状态，并进行向正常状态的恢复处理。

公开(公告)号：CN101640178B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200910163614.0

申请日：2009-07-30

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 境春彦

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/40

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框。该半导体装置的制造方法及引线框容易使密封树脂蔓延到岛的内表面。在本发明的半导体装置的制造方法中，将安装有半导体装置的岛(12)的侧面形成为倾斜面(11)。这样，在自浇口(80)将密封树脂注入到注塑模具的模腔(66)中时，被注入的密封树脂与设置在岛(12)的侧面上的倾斜面(11)接触。于是，密封树脂沿着倾斜面(11)流动而被填充到岛(12)的下方的空间中。因而，由于较薄地覆盖岛(12)的下表面，因此，即使岛(12)的下方空间形成得较小，也能够将密封树脂无空隙地填充到该空间中。

公开(公告)号：CN101420239B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200810173232.1

申请日：2008-10-24

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小林启二

IPC: H04B1/16 ,  H04B1/10 ,  H04B17/00

CPC classification number: H04B1/1036 ,  H04B2001/1045 ,  H04B2001/1054

Abstract: 在FM接收机中，在接收电场强度、调制度、以及相邻干扰的强度的各种状态下，很难设定带通滤波器(IFBPF)的通频带宽WF以充分抑制所有的噪声、声音失真、以及相邻干扰。IFBPF能够可变地设定WF和衰减斜率KF。由硬件构成的带宽控制电路与由接收电场强度、调制度、以及相邻干扰的强度的组合构成的接收状态相应地控制WF。微型计算机根据保存在非易失性存储器中的程序来控制KF，进行有效的通频带宽的微调。在弱电场状态下，在高调制并且有相邻干扰的情况下，需要进行声音失真的防止与相邻干扰的抑制相矛盾的WF的控制，从而使设定变得微小。特别是在这种情况下，可通过程序变更KF的结构容易得到较佳的接收状态。

公开(公告)号：CN101636830B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200780052298.9

申请日：2007-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 中里功

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48511 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85423 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种薄型半导体装置及其制造方法，该半导体装置使金属细线的环路高度比现有的更低。本发明的半导体装置采用如下结构，即经由金属细线(51)将半导体芯片(54)的接合垫(55)和电极(53B)连接。所述金属细线(51)从第一接合点描绘弯曲部(57)，且经由弯曲部(57)端部的曲折部(59)而具有直线状的第二延伸部(60)。

公开(公告)号：CN101276825B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200810087612.3

申请日：2008-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 长谷川昭博

IPC: H01L27/144 ,  H01L23/00 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L31/02024 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置，对应光检测器的受光部，在层间绝缘膜上设置开口部。沿着受光部(4)和电路部(6)之间的边界，在布线构造层90内用金属材料形成包围开口部(120)的隔壁，该隔壁通过对配置在受光部(4)外周的分离区域(74)的多段构成的接触构造形成。具体地来说，在布线构造层(90)被层叠的各Al层(94、98、102)下的层间绝缘膜(92、96、100)上，沿着受光部(4)的外周形成沟槽(134)，在这些沟槽上埋入各Al层，形成沿着周边延长的塞子(136)。通过沿着外周配置的电极(130)使这些各层的塞子(136)连成纵向，构成壁。通过此隔壁，能够阻止从开口部壁面来的吸湿或光的侵入，抑制受光部周围的电路元件的特性变动或布线劣化。

公开(公告)号：CN101419965B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810211468.X

申请日：2008-09-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 坂本英行 ,  西塔秀史 ,  小池保広 ,  月泽正雄

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种经由引脚将内建的电路元件予以电性连接，由此同时达成高功能化及小型化的电路装置。在混合集成电路装置(10)中，重叠的第1电路基板(18)及第2电路基板(20)组入盒材(12)。并且，在第1电路基板(18)上表面配置有第1电路元件(22)，在第2电路基板(20)上表面配置有第2电路元件。再者，在装设于混合集成电路装置(10)的引脚中具有：引脚(28A)，仅连接在安装于第1电路基板(18)的第1电路元件(22)；引脚(30)，仅连接在安装于第2电路基板(20)的第2电路元件(24)；及引脚(28B)，连接在第1电路元件(22)及第2电路元件(24)的两方。