公开(公告)号：CN101276825A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087612.3

申请日：2008-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 长谷川昭博

IPC: H01L27/144 ,  H01L23/00 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L31/02024 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置，对应光检测器的受光部，在层间绝缘膜上设置开口部。沿着受光部(4)和电路部(6)之间的边界，在布线构造层90内用金属材料形成包围开口部(120)的隔壁，该隔壁通过对配置在受光部(4)外周的分离区域(74)的多段构成的接触构造形成。具体地来说，在布线构造层(90)被层叠的各Al层(94、98、102)下的层间绝缘膜(92、96、100)上，沿着受光部(4)的外周形成沟槽(134)，在这些沟槽上埋入各Al层，形成沿着周边延长的塞子(136)。通过沿着外周配置的电极(130)使这些各层的塞子(136)连成纵向，构成壁。通过此隔壁，能够阻止从开口部壁面来的吸湿或光的侵入，抑制受光部周围的电路元件的特性变动或布线劣化。

公开(公告)号：CN101276823A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086579.2

申请日：2008-03-20

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 长谷川昭博

IPC: H01L27/144

CPC classification number: H01L27/14678 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供一种受光元件，包括：第一受光区域，其形成于半导体基板上，至少具有一个被分割为多个区段并生成与入射光对应的电流信号的受光部；第二受光区域，其形成于上述半导体基板上，至少具有一个被分割为多个区段并生成与入射光对应的电流信号的受光部；和选择电路，其与上述第一受光区域及上述第二受光区域连接，择一地从上述第一受光区域及上述第二受光区域的一方输出上述电流信号，并且将另一方连接到规定的电位。由此，在具有多个受光区域的受光元件中，可以防止来自其他受光区域的噪声电荷向各受光区域的信号电荷的叠加，各受光区域可以生成正确的电流信号。

公开(公告)号：CN101276825B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200810087612.3

申请日：2008-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 长谷川昭博

IPC: H01L27/144 ,  H01L23/00 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L31/02024 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置，对应光检测器的受光部，在层间绝缘膜上设置开口部。沿着受光部(4)和电路部(6)之间的边界，在布线构造层90内用金属材料形成包围开口部(120)的隔壁，该隔壁通过对配置在受光部(4)外周的分离区域(74)的多段构成的接触构造形成。具体地来说，在布线构造层(90)被层叠的各Al层(94、98、102)下的层间绝缘膜(92、96、100)上，沿着受光部(4)的外周形成沟槽(134)，在这些沟槽上埋入各Al层，形成沿着周边延长的塞子(136)。通过沿着外周配置的电极(130)使这些各层的塞子(136)连成纵向，构成壁。通过此隔壁，能够阻止从开口部壁面来的吸湿或光的侵入，抑制受光部周围的电路元件的特性变动或布线劣化。

公开(公告)号：CN101276822A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086527.5

申请日：2008-03-14

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 长谷川昭博

IPC: H01L27/144

CPC classification number: H01L27/1446

Abstract: 本发明提供一种受光元件，包括：第一受光区域，其形成于具有第一导电型的半导体基板上，至少具有一个被分割为多个区段并输出与入射光对应的电流值的受光部；第二受光区域，其形成于上述半导体基板上，至少具有一个被分割为多个区段并输出与入射光对应的电流值的受光部；和漏极区域，其形成于所述半导体基板上，且形成于所述第一受光区域与所述第二受光区域之间，并具有与上述第一导电型不同的第二导电型。由此，在具有多个受光区域的受光元件中，可以防止来自其他受光区域的噪声电荷向各受光区域的信号电荷的叠加，各受光区域可以生成正确的电流信号。

公开(公告)号：CN1971929A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610146437.1

申请日：2006-11-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长谷川昭博 ,  野村洋治

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，在电路部(74)中邻接受光部(72)设置缓冲区域(区域140、138)。在缓冲区域中，为了抑制层间绝缘膜(136)的凹凸，将配置在布线(132)之间的平坦化焊盘(134)的密度，从区域(142)中的标准值，随着接近受光部(72)而阶段性地降低。通过降低平坦化焊盘的密度，使层间绝缘膜(136)的表面高度降低，所以在受光部(72)和与其相邻接的区域(138)之间的阶梯差减小。由此，可抑制滞留在受光部(72)的周缘区域(144)的层间绝缘膜的厚度，而且区域(144)的宽度也被缩小，从而提高了受光部(72)上的层间绝缘膜(136)的均匀性，并提高了光敏性的均匀性。

公开(公告)号：CN100446265C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200610081759.2

申请日：2006-05-11

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长谷川昭博

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/02024 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供一种在半导体基板的主面上形成被分割为多个划区的受光部的半导体装置，其在成为每个划区(62)的PIN光电二极管(PIN-PD)的共同的阳极的P-sub层(80)上，生长成为PIN-PD的i层的高电阻率的外延层(82)。在划区(62)的边界上，通过从基板表面的离子注入而形成作为p+区域的分离区域(64)。在将各划区(62)上形成的阴极区域(66)和P-sub层(80)反向偏置而使PIN-PD起作用时，分离区域(64)和P-sub层(80)一起被施加接地电位而成为阳极。其结果是，在被分离区域(64)和P-sub层(80)所夹的位置的外延层(82)中，形成与电子相对的电位势垒。由此，能够防止在各划区(62)中由于光的吸收而产生的电子向相邻的划区(62)移动，从而实现元件分离。

公开(公告)号：CN1870279A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610081759.2

申请日：2006-05-11

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长谷川昭博

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/02024 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供一种在半导体基板的主面上形成被分割为多个划区的受光部的半导体装置，其在成为每个划区(62)的PIN光电二极管(PIN－PD)的共同的阳极的P－sub层(80)上，生长成为PIN－PD的i层的高电阻率的外延层(82)。在划区(62)的边界上，通过从基板表面的离子注入而形成作为p+区域的分离区域(64)。在将各划区(62)上形成的阴极区域(66)和P－sub层(80)反向偏置而使PIN－PD起作用时，分离区域(64)和P－sub层(80)一起被施加接地电位而成为阳极。其结果是，在被分离区域(64)和P－sub层(80)所夹的位置的外延层(82)中，形成与电子相对的电位势垒。由此，能够防止在各划区(62)中由于光的吸收而产生的电子向相邻的划区(62)移动，从而实现元件分离。

公开(公告)号：CN100483751C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200610084804.X

申请日：2006-05-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长谷川昭博

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L31/02024 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其在半导体基板的主面形成成为PIN光电二极管(PIN-PD)的三层的高电阻率的外延层(82)。在外延层(82)的表面形成沟槽(68、70)，在沟槽(68)的表面形成成为PIN-PD的阴极区域(64)的n-区域，在沟槽(70)的表面形成成为阳极区域(66)的p+区域。若使阴极区域(64)和阳极区域(66)为反向偏置，则作为阴极区域(64)和阳极区域(66)之间的i层的受光半导体区域(72)被耗尽化。该耗尽层扩展到半导体基板表面。因此，对于吸收长短的蓝色光，可使其在半导体基板表面生成信号电荷而将该电荷收集到阴极区域(64)而作为受光信号取出。

公开(公告)号：CN1874008A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610084804.X

申请日：2006-05-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长谷川昭博

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L31/02024 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其在半导体基板的主面形成成为PIN光电二极管(PIN－PD)的i层的高电阻率的外延层(82)。在外延层(82)的表面形成沟槽(68、70)，在沟槽(68)的表面形成成为PIN－PD的阴极区域(64)的n+区域，在沟槽(70)的表面形成成为阳极区域(66)的p+区域。若使阴极区域(64)和阳极区域(66)为反向偏置，则作为阴极区域(64)和阳极区域(66)之间的i层的受光半导体区域(72)被耗尽化。该耗尽层扩展到半导体基板表面。因此，对于吸收长短的蓝色光，可使其在半导体基板表面生成信号电荷而将该电荷收集到阴极区域(64)而作为受光信号取出。