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公开(公告)号：CN116072714A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211584624.3
申请日：2022-12-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种集成式栅电极结构的HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域。该方法在栅介质层上通过设计版图结构以及电子束蒸发角度，采用单步电极制备工艺便实现了双金属栅和栅电极为一体的集成式栅电极结构，并完成HEMT器件的制备；具体包括：定义栅极及栅场板光刻窗口，利用电子束蒸发，采用向左蒸发的角度沉积第一步栅金属，利用电子束蒸发，再采用垂直蒸发的角度沉积第二步栅金属和栅场板，以形成集成式栅电极结构。本发明能进一步有效调制栅漏有源区的电场，削弱势垒层表面的电子俘获并加速了被俘获的电子的及时释放，最终提升器件的耐压和动态性能。
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公开(公告)号：CN115695977A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211333864.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种曝光时间不受限的压缩超快成像系统及方法，属于计算成像领域。通过互补式轮流采样方式，将长时间曝光的采集过程，按时间交替分配到两个或多个条纹相机和积分相机的组合上，同时利用一个额外的积分相机来记录轮次切换中可能遗漏的信息，这样每个条纹相机上得到采样帧数就可以控制在较低水平。而目前的主流重构算法，即使在具有SI辅助的条件下，当压缩帧率大于50帧时，重构图像的PSNR也难以超过30dB。这种成像方式不受采样帧率的影响，并且切换过程也不会丢失信息，还可以进行长时间曝光，当每组帧数控制在10帧以内时，重构图像的PSNR可以优于30dB，这样的图像质量从视觉上已经难以察觉其与原始图像的差别。
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公开(公告)号：CN113517865B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110427459.X
申请日：2021-04-20
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于记忆多项式的功放模型及其硬件实现方法，其中，方法包括：将记忆多项式复基带模型拆分成公式和公式两个公式分别通过LUT模块和卷积模块实现；将信号x(n)输入卷积模块；将信号x(n)输入LUT模块进行联合寻址，寻找到LUT模块存储的与该输入信号相应的查找表内容，即信号x(n)|x(n)|2，x(n)|x(n)|4…x(n)|x(n)|2K；LUT模块将信号x(n)|x(n)|2，x(n)|x(n)|4…x(n)|x(n)|2K并行输出至卷积模块；通过卷积模块将信号x(n)，x(n)|x(n)|2，x(n)|x(n)|4…x(n)|x(n)|2K与外部输入的复增益系数Akq进行卷积运算，得到输出信号y(n)。与现有技术相比，本发明能够消耗更少的硬件乘法器，硬件设计更为简单，不需要过多的地址控制逻辑与时序控制逻辑，运算周期更短，提高了预失真系统的频率。
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公开(公告)号：CN115148806A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210926822.7
申请日：2022-08-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种集成钳位二极管的超结4H‑SiC IGBT器件，属于功率半导体器件领域。该器件包括P+发射区、N+发射区、P‑body区、NCEL层、N‑drift区、N‑buffer区、P+集电区、P‑pillar区、P+shield区、金属集电极、金属浮空电极、栅极氧化层、多晶硅栅极、P+区、N+区和金属发射极。本发明引入P‑pillar区改善了漂移区内电场分布；注入P+shield区能够屏蔽栅极氧化层高电场；引入NCEL层作为空穴势垒层，具有载流子注入增强效应；器件顶部集成4H‑SiC PN二极管，既保证导通压降不增大，也减小了饱和电流密度，同时在器件关断时提供了一条空穴的快速抽取路径。
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公开(公告)号：CN114937666A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210517761.9
申请日：2022-05-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L27/07 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。本发明的LIGBT器件，具有以下结构及性能特征：(1)反向导通MOS与低关断损耗MOS均包含N‑base﹑P‑base和N+集电极，金属栅极通过多晶硅层分别与N‑base和N+集电极短接，无需额外栅信号控制。(2)正向导通时，无负阻效应；反向导通时，当VGS,RC>VTH,反向导通MOS自动开启，器件实现反向导通；在关断时刻，器件满足VGS,FC>VTH，低关断损耗MOS开启，电子可以通过低关断损耗MOS抽取，减小了关断时间，降低了关断损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111146574B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201911413938.5
申请日：2019-12-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于非福斯特匹配电路的小型化盘锥天线，整个设计包括小型化盘锥天线与非福斯特匹配电路，非福斯特匹配电路包括负阻抗变换器、变压器及缓冲电路，其使用折线结构代替传统盘锥天线的伞骨结构，使天线小型化，并在此基础上加入非福斯特匹配电路提高天线的性能。折线结构在不增加天线尺寸的情况下增加电流路径，减小天线尺寸，引入非福斯特匹配电路降低天线反射系数，提高天线的传输系数。本发明可以有效解决超短波通信中天线尺寸过大的问题，有助于降低超短波通信中天线制造与架设成本，提高天线的辐射效率。
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公开(公告)号：CN111181622B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010005626.7
申请日：2020-01-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04B7/155
Abstract: 本发明涉及一种可配置的数字多媒体广播微型无线直放站，属于无线通信领域。本发明具备可重构的优点，兼容同频和移频直放站，通过FPGA控制RF开关芯片和数据选择器，配置同频或移频直放站两种工作模式中的一种，灵活适用于不同场合。该无线直放站包括：施主天线、DMB射频接收模块、数据选择器、LMS自适应回波抵消电路、IQ混频器、低通滤波器、上变频器、功放、RF开关模块、耦合器和转发天线；DMB射频接收模块包括带通滤波器、III波段DMB调谐器、模数转换部分；射频接收和上变频部分采用专用集成芯片设计，提高了系统的稳定性和可集成性，且采用基于AD9957正交上变频方案，有效抑制镜像现象，抗噪性能较强。
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公开(公告)号：CN113517865A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110427459.X
申请日：2021-04-20
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于记忆多项式的功放模型及其硬件实现方法，其中，方法包括：将记忆多项式复基带模型拆分成公式和公式两个公式分别通过LUT模块和卷积模块实现；将信号x(n)输入卷积模块；将信号x(n)输入LUT模块进行联合寻址，寻找到LUT模块存储的与该输入信号相应的查找表内容，即信号x(n)|x(n)|2，x(n)|x(n)|4…x(n)|x(n)|2K；LUT模块将信号x(n)|x(n)|2，x(n)|x(n)|4…x(n)|x(n)|2K并行输出至卷积模块；通过卷积模块将信号x(n)，x(n)|x(n)|2，x(n)|x(n)|4…x(n)|x(n)|2K与外部输入的复增益系数Akq进行卷积运算，得到输出信号y(n)。与现有技术相比，本发明能够消耗更少的硬件乘法器，硬件设计更为简单，不需要过多的地址控制逻辑与时序控制逻辑，运算周期更短，提高了预失真系统的频率。
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公开(公告)号：CN111131165B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201911186947.5
申请日：2019-11-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于多描述编码的DMB视频推送方法，属于DMB视频推送领域，包括以下步骤：S1：将源视频分解成一个低质量视频的描述和一个高质量视频的描述，并压缩打包；S2：采用高低质量视频交替推送的方式将步骤S1中处理后的视频文件推送到接收端；S3：接收端对发射端所推送的两个子信号进行校验解码，再重建出相应的视频进行播放。本发明将源视频分解成分辨率一高一低两个描述，通过DMB系统将两个视频进行分段交叉推送，使得接收端能够在短时间内播放一个画质粗糙但是可以接受的视频，等待高质量视频段接收后再与对应低质量段进行合成替换，以缩短接收端因等待接收高清且内存较大的视频而出现的一个较长的空白期。
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公开(公告)号：CN113097310A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110362550.8
申请日：2021-04-02
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有电子积累效应的鳍式EAFin‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件分为：衬底、埋氧层和器件上面部分；其中器件上面部分包括：栅氧化层；栅氧化层外侧部分：从左至右依次是源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区和漏极N+区；栅氧化层内侧部分：从左至右依次是栅极P+区、栅极P‑body、控制结构的漂移区、控制结构的漏极N+区和控制结构的漏极P+区。本发明在器件中使用了电子积累效应，并采用了鳍式结构，在保持较高的击穿电压下大幅度降低Ron,sp，最终提高了Baliga优值FOM。
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