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公开(公告)号：CN103896578B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410102318.0
申请日：2014-03-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，所述方法包括在掺杂ZnO粉体中加入助烧剂，助烧剂是Bi2O3、B2O3和SiO2中的一种、两种或三种，并于不低于摄氏1200度的温度下烧结。本方法能够使得制备的氧化锌陶瓷靶材不仅具有高密度、低电阻率及降低对氧化锌粉体的粒度要求，而且因为降低了烧结温度，从而导致能耗的大幅降低。另外，本方法制备的氧化锌陶瓷靶材由于具有超高的密度及低的电阻率，使得在磁控溅射镀膜时，可以使用直流工艺进行溅射镀膜，在对靶材加高压进行镀膜过程中的放电次数少，高速沉积薄膜，靶材表面节瘤少。
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公开(公告)号：CN104987060A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510344609.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有骨架网络结构的氧化锌蒸镀靶材的制备方法：高温烧制获得微米级粉体，加入纳米级粉体、碎颗粒、氢氧化物浆料中的一种或者多种混合，再加入粘接剂压制成型，高温烧结后得到蒸镀靶材。本发明通过构建具有三维骨架网络的结构，实现对低密度蒸发材料的结构强化，所制备的氧化锌蒸镀材料具有较高的强度，抗热冲击性能好，彻底解决高能电子束轰击时开裂的问题。
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公开(公告)号：CN104891989A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510244734.9
申请日：2015-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1-xMxTi1-xO3高储能密度陶瓷及其制备方法，制备方法采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1-xMxTi1-xO3高储能密度陶瓷，其中：0.05≤x≤0.3，M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。本发明制备的高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.9~2.4？J/cm3，可承受最高交流电压介于115~210？kV/cm之间。
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公开(公告)号：CN104710174A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510104203.X
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高压电、高储能密度无铅陶瓷介质材料，成分以通式(0.95-x-y-z)Bi0.5Na0.5TiO3–xBi0.5K0.5 TiO3–yBa0.65Sr0.35Ti-O3–zK0.5Na0.5NbO3 –0.05LiTaO3来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0.002≤x≤0.3，0.002≤y≤0.2，0.001≤z≤0.3。本发明采用放电等离子烧结，可在低烧结温度下获得均匀致密的陶瓷组织。本发明的压电、高储能密度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高压电常数，储能密度可达1.75J/cm3，储能效率可达65%，压电常数d33可达682pm/V、实用性好。
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公开(公告)号：CN102585762B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210031373.6
申请日：2012-02-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 本发明公开了一种电气石基空气负离子与电磁屏蔽功能基元材料及其制备方法，具体步骤是：1、将硝酸铁溶液与电气石超细粉混合、烘干、煅烧得电气石表面包覆纳米α-Fe2O3\TiO2核壳结构复合粉体；2、把α-Fe2O3\TiO2复合粉体与氧化钛溶胶混合、烘干、煅烧得到电气石表面包覆α-Fe2O3\TiO2双层核壳结构纳米复合粉体；3、进一步把步骤2的产品在氩气或氮气的气氛炉中煅烧，得到电气石表面包覆Fe3O4\TiO2核壳结构纳米复合粉体；4、将步骤3所得产品经球磨后即得到电气石基空气负离子与电磁屏蔽功能基元材料。本发明产品产生的负离子浓度高，电磁屏蔽能力强，且制备工艺简单，原材料成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103236497A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310145707.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极，上、下电极材料为导电氧化物或金属，上、下电极的厚度为80nm到500nm，阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。
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公开(公告)号：CN103014686A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210518916.7
申请日：2012-12-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜及其非对称透光阻变电容的制备方法，包括以镀有透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底，采用化学溶液沉积(CSD)工艺方法制备Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的非对称透光阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次旋涂，分层预热的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的性能，特别是具有较高的高/低电阻比值和较低的设置电压及复位电压；（3）所制备的薄膜为非对称结构电容，可大大提高电致阻变薄膜的抗疲劳特性，并可应用于透明电子领域。
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公开(公告)号：CN102255045A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110224038.3
申请日：2011-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种MgxZn1-xO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法，它是以镀有ITO、AZO等透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底；将配制好的MgxZn1-xO溶胶滴到衬底上，再进行匀胶，制作湿膜，并进行低温烘干处理；将烘干处理过的薄膜进行预热处理；直至获得所需厚度的MgxZn1-xO薄膜；对上述MgxZn1-xO薄膜进行退火处理，使薄膜晶化；样品自然冷却后即可获得MgxZn1-xO电致阻变薄膜；再在薄膜表面上采用直流磁控溅射工艺制备金属上电极薄膜，获得“金属薄膜/MgxZn1-xO/透明导电氧化物薄膜”非对称结构异质结。本发明的优点是：（1）能够大面积制膜，成本低；（2）具有较高的高/低电阻比值和较低的设置电压及复位电压；（3）可大大提高电致阻变薄膜的抗疲劳特性，并可应用于透明电子领域。
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公开(公告)号：CN119742170A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510052762.4
申请日：2025-01-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01F41/02 , H01F1/34 , C04B35/26 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于软磁铁氧体材料技术领域，具体涉及一种镍锌铁氧体复合材料及其制备方法和应用。本发明通过添加易于软化的烧结助剂，在与镍锌铁氧体复合后，升温至烧结温度后，熔融态的烧结助剂填充镍锌铁氧体晶粒间形成复合软磁铁氧体，从而降低整个复合材料的烧结成型温度。同时本发明中镍锌铁氧体自身较脆，韧度低，烧结助剂韧度相对较高，加入烧结助剂，借助烧结助剂的高韧度，并保持镍锌铁氧体的高耐压强度，有利于陶瓷器件的加工。本发明通过加入烧结助剂可稳定提高饱和磁感应强度，从而提高镍锌铁氧体复合材料的能量储存和转换的效率。
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公开(公告)号：CN119504257A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411637190.8
申请日：2024-11-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及无铅铁电陶瓷材料技术领域，具体涉及一种具有高度非对称大形变的无铅铁电陶瓷材料及制备方法，具有高度非对称大形变的无铅铁电陶瓷材料制备方法包括：按照0.733(Bi1/2Na1/2)TiO3‑0.267(Ca1/3Bi2/9Sr1/3)Cu3(Ti1/2Zr1/2)4O12的化学计量分别称取分析纯原料，将所有原料混合球磨，球磨后对原料进行烘干，烘干后将原料保温合成，制得粉体；合成的粉体混合球磨后进行烘干，在80Mpa下冷等静压成型，然后保温后烧结成致密陶瓷，并冷却至室温；在烧结成的致密陶瓷一面丝网印刷银电极，另一面丝网印刷金电极，保温后成尺寸非对称电极；本发明能够制备具有高形变驱动性能的无铅铁电陶瓷材料，具有制备方法简单、成本低廉的优点。
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