-
公开(公告)号：CN1866496A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610027258.6
申请日：2006-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：(1)在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层与底电极薄膜；(3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；(4)通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔；(5)沉积相变材料，填满纳米孔；(6)对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(7)再沉积绝缘介质层，刻蚀出小孔，且与纳米孔对应；(8)沉积电极；(9)对电极用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(10)通过引线引出上电极，形成器件单元或阵列。方法简单而且与集成电路工艺完全兼容。
-
公开(公告)号：CN1866007A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610026523.9
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于检测由特异性分子结合产生表面应力的集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用，其特征在于采用SOI硅片的氧化埋层作为悬臂梁的主体，在上面构建薄层单晶硅压阻敏感器，压阻上面氧化形成薄二氧化硅。在悬臂梁表面淀积薄的贵金属层，其上自组装生长选择特异性识别的单分子敏感膜。在敏感膜分子与检测分子特异性结合时产生表面应力，引起悬臂梁弯曲，进而产生弯曲应力，该应力由位于悬臂梁上表面附近的压阻检测，并通过集成的电桥以电压信号输出。本发明是采用单硅片体微工艺实现单晶硅压阻结构，本发明的特点是器件灵敏度高、分辨率高，结构简单、制作简便。
-
公开(公告)号：CN1780004A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510030638.0
申请日：2005-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/00 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01S5/10
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件，其特征在于将隧道结置于垂直腔型半导体光电子器件的微腔中，利用隧道结的反向电流遂穿特性，实现用N型的分布反馈布拉格腔镜(DBR)取代P型的DBR腔镜，能有效降低垂直腔器件的串联电阻，限制侧向电流的扩散，提高电流注入有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，改善器件的热特性，隧道结的材料采用均匀掺杂或多次δ掺杂，垂直腔型半导体光电子器件的顶部和底部腔镜采用III－V族半导体多层薄膜膜构成的DBR、光学介质膜DBR、高反射率金属膜、半导体薄膜/空气隙DBR中的一种，或他们的组合；微腔中的有源区采用MBE或MOCVD生长的InGaAs、InGaAsP、AlGaInAs或InGaNAs系列量子阱。
-
公开(公告)号：CN1779947A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510030636.1
申请日：2005-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种纳电子相变存储器器件单元的制备方法。本发明采用纳米加工技术在金属氧化物半导体场效应晶体管的源端或漏端处的相变材料层上制备出柱状小电极，且柱状小电极底面与相变材料层保持良好接触，然后在柱状小电极周围填充绝热材料层，去除柱状小电极上覆盖的绝热材料层后，再在柱状小电极上制备引出电极，且柱状小电极顶面与引出电极保持良好接触，最后通过光刻工艺把两个电极引出，即制备出相变存储器的器件单元。本发明制备的器件单元是与金属氧化物半导体场效应晶体管直接集成的，同时柱状小电极的尺寸可以做的很小，可以很容易制备出纳米尺度的器件单元，大大提高存储密度，实现存储器由微电子向纳电子器件的转变。
-
公开(公告)号：CN1604210A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410067987.5
申请日：2004-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可用于相变存储器多级存储的相变材料。其特征在于所述的相变材料为掺杂氮或硼的Ge2Sb2Te5存储材料，其掺杂量为0.01－10原子百分比的氮或0.01－5原子百分比的硼。相变材料结构状态的改变将伴随着电阻性能的变化，其变化幅度可以达到多个数量级，脉冲电压可以使相变材料在不同的结构状态之间可逆转换，利用不同状态间电阻性能的改变可以实现相变存储器的多级存储，从而突破传统的“0”与“1”的存储模式，并且可以在不改变存储器器件结构的情况下大幅度提高存储器的密度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1588637A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053565.2
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO2。通过曝光、刻蚀，在SiO2上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多孔氧化铝，同时对每个孔进行进一步的加工，可以形成唯一的一个纳米尺度的氧化铝小孔，或形成孔径一致，分布均匀纳米孔阵列，或形成孔径分散而分布均匀纳米孔阵列。再用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积薄膜，实现纳米孔的W填充，通过纳米抛光技术实现纳米孔顶端的平坦化，然后沉积相变材料与电极材料，引线，封装，实现纳米存储单元。
-
公开(公告)号：CN1588613A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053564.8
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种简单易行的纳电子相变存储器器件单元制备方法。本发明通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出构成器件的各层薄膜，采用纳米加工技术制备出小孔，然后在孔内填充电极材料或相变材料，最后把两个电极引出后即可制备出相变存储器的器件单元，器件单元中发生相变区域的尺寸在2－1000nm范围。只制备一个孔时可得到一个器件单元；制备阵列孔时可得到阵列器件单元；阵列器件单元与CMOS管集成后可得到相变存储器器件。本发明的相变存储器器件单元的制备方法只涉及薄膜制备工艺和纳米加工技术，器件结构简单，器件制备方法容易实施，可以很容易制备出纳米尺寸的相变存储器器件或器件单元，实现存储器由微电子向纳电子器件的转变。
-
公开(公告)号：CN1570673A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410018081.4
申请日：2004-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种一维紫外到可见光波段光子晶体的材料及制备方法，属于光电子技术领域。其特征在于以石英作衬底，利用超高真空电子束蒸发在石英衬底上交替生长SiO2、TiO2薄膜，各5～10层，设计SiO2薄膜厚度10nm～96nm，TiO2薄膜厚度10nm～96nm，从而制备出一维紫外到可见光波段光子晶体材料。超高真空电子束蒸发时的真空度10－6－10－8乇。本方法相对于分子束外延(MBE)等方法工艺简单，成本较低，并且生长速度快，实验证明光子带隙清晰，为光子晶体材料在器件上的应用提供了比较快捷的制备工艺，同时为制备更高维数的紫外到可见光波段光子晶体打下基础。本发明可以用于研发微电子光刻工艺的下两代光源，即90nm和75nm光源。
-
公开(公告)号：CN1564337A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017747.4
申请日：2004-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种减小相变存储器工作电流的单元结构上的改进及其实现方法，属于微电子领域。其特征在于：在加热电极与硫系化合物之间加入一层过渡层，过渡层厚度为10nm－50nm。过渡层材料要求是电阻率比加热电极高，且熔点高于硫系化合物。可选择的有Pt，Ti，TiN等。其结构的改进的实现是采用溅射方法沉积底电极，在沉积一层电介质层，通过曝光刻蚀方法刻蚀小孔，依次沉积加热电极和过渡层，再在其上沉积电介质层，刻蚀较大孔，在孔中沉积硫系化合物，经化学机械抛光后再沉积上电极。经由结构上的改进并实施，由于过渡层材料电阻率高，发热效率就高，用较小的电流就可以达到所需温度。
-
公开(公告)号：CN1529431A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03151459.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 复旦大学 , 上海联能科技有限公司
Abstract: 一种无线医疗监控系统，采用二级数据传输结构，第一级为基本生命参数采集终端到采集终端接入点的传输，采用短距无线传输技术实现；第二级为采集终端接入点到服务设备和监控终端的传输，通过无线局域网或有线网实现。本系统适用于医院、其他医疗健康机构以及社区医疗服务。在监控区域内，每个被监控人携带的基本生命参数采集终端和固定在房间，家庭以及其他被监控人可能活动场所的采集终端接入点通过短距无线通讯方式点对点连接；通过所有采集终端接入点构建无线局域网或将每个采集终端接入点接入有线网，可将所有被监控人基本生命参数汇总至服务设备，经处理在监控终端显示，从而实现整体的医疗实时监控。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
318
records
(took 0.047 seconds)
