公开(公告)号：CN1933263A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610117154.4

申请日：2006-10-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  曹萌 ,  劳燕锋 ,  黄占超 ,  刘成 ,  谢正生

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种提高III－V族应变多量子阱发光强度的方法，其特征是通过离子刻蚀方法增强III－V族发光材料的发光亮度。离子刻蚀覆盖层采用感应耦合等离子体(ICP)或反应离子(RIE)等刻蚀技术。刻蚀所采用的气体为Ar离子或Ar离子和Cl2气的混合气体。干法刻蚀后，刻蚀表面至量子阱层的距离大于刻蚀损伤深度时，量子阱干法刻蚀部位发光强度得到明显增强。本发明提供的方法适用的III－V族化合物材料是由气态源分子束外延(GSMBE)或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法生长所得，利用本发明提供的方法可使应变多量子阱发光强度提高3－5倍。

公开(公告)号：CN101295753A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200710039882.2

申请日：2007-04-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 谢正生 ,  吴惠桢 ,  劳燕锋 ,  刘成 ,  曹萌 ,  黄占超

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种用于III－V族化合物半导体光电器件结构制作的低温Au－In－Au金属键合方法。其特征在于所述的金属键合过程包括：蒸镀金属膜、低温键合将器件结构金属键合到Si衬底上、腐蚀去除外延片衬底。所述的方法的关键是：蒸镀合适的金属膜以及低温键合过程中合适的外加压力、退火温度和退火时间。该技术中蒸镀的金属膜有利于改善光电器件的光学热学性质，同时整合了III－V族InP或GaAs基化合物半导体材料和Si材料的各自优点，实现了衬底倒扣，为器件制作的后步工艺打下了基础。低温键合牢靠，且键合过程不会使键合后器件结构的原有的光学和电学性能变差，有利于器件结构的制作。有望在金属波导及其它半导体光电器件制作中得到广泛应用。

公开(公告)号：CN1780004A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510030638.0

申请日：2005-10-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  黄占超 ,  劳燕锋 ,  刘成 ,  齐鸣 ,  封松林

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01S5/10

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件，其特征在于将隧道结置于垂直腔型半导体光电子器件的微腔中，利用隧道结的反向电流遂穿特性，实现用N型的分布反馈布拉格腔镜(DBR)取代P型的DBR腔镜，能有效降低垂直腔器件的串联电阻，限制侧向电流的扩散，提高电流注入有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，改善器件的热特性，隧道结的材料采用均匀掺杂或多次δ掺杂，垂直腔型半导体光电子器件的顶部和底部腔镜采用III－V族半导体多层薄膜膜构成的DBR、光学介质膜DBR、高反射率金属膜、半导体薄膜/空气隙DBR中的一种，或他们的组合；微腔中的有源区采用MBE或MOCVD生长的InGaAs、InGaAsP、AlGaInAs或InGaNAs系列量子阱。

公开(公告)号：CN101295753B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200710039882.2

申请日：2007-04-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 谢正生 ,  吴惠桢 ,  劳燕锋 ,  刘成 ,  曹萌 ,  黄占超

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种用于III-V族化合物半导体光电器件结构制作的低温Au-In-Au金属键合方法。其特征在于所述的金属键合过程包括：蒸镀金属膜、低温键合将器件结构金属键合到Si衬底上、腐蚀去除外延片衬底。所述的方法的关键是：蒸镀合适的金属膜以及低温键合过程中合适的外加压力、退火温度和退火时间。该技术中蒸镀的金属膜有利于改善光电器件的光学热学性质，同时整合了III-V族InP或GaAs基化合物半导体材料和Si材料的各自优点，实现了衬底倒扣，为器件制作的后步工艺打下了基础。低温键合牢靠，且键合过程不会使键合后器件结构的原有的光学和电学性能变差，有利于器件结构的制作。有望在金属波导及其它半导体光电器件制作中得到广泛应用。

公开(公告)号：CN101685942A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200810200655.8

申请日：2008-09-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 劳燕锋 ,  曹春芳 ,  吴惠桢 ,  刘成 ,  曹萌

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明涉及长波长(1.3μm)InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)及制作方法，其特征在于有源层为InP基的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱。由有效质量模型计算得到InAsP/InGaAsP量子阱能级，从获取最大电子限制能量角度设计了量子阱结构参数。InAsP/InGaAsP量子阱材料体系的主要优点在于它的导带带阶大因而有利于电子限制，实现高温度工作性能。该VCSEL器件结构由气态源分子束外延技术生长。InAsP/InGaAsP量子阱VCSEL底部腔镜为GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)，采用高温直接键合方法实现InP基有源区与GaAs/AlAs DBR的融合，顶部腔镜则由多层光学介质膜DBR构成，电流限制孔径则由侧向腐蚀p + -AlInAs/n + -InP工艺实现。