公开(公告)号：CN1933263A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610117154.4

申请日：2006-10-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  曹萌 ,  劳燕锋 ,  黄占超 ,  刘成 ,  谢正生

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种提高III－V族应变多量子阱发光强度的方法，其特征是通过离子刻蚀方法增强III－V族发光材料的发光亮度。离子刻蚀覆盖层采用感应耦合等离子体(ICP)或反应离子(RIE)等刻蚀技术。刻蚀所采用的气体为Ar离子或Ar离子和Cl2气的混合气体。干法刻蚀后，刻蚀表面至量子阱层的距离大于刻蚀损伤深度时，量子阱干法刻蚀部位发光强度得到明显增强。本发明提供的方法适用的III－V族化合物材料是由气态源分子束外延(GSMBE)或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法生长所得，利用本发明提供的方法可使应变多量子阱发光强度提高3－5倍。

公开(公告)号：CN101295753A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200710039882.2

申请日：2007-04-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 谢正生 ,  吴惠桢 ,  劳燕锋 ,  刘成 ,  曹萌 ,  黄占超

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种用于III－V族化合物半导体光电器件结构制作的低温Au－In－Au金属键合方法。其特征在于所述的金属键合过程包括：蒸镀金属膜、低温键合将器件结构金属键合到Si衬底上、腐蚀去除外延片衬底。所述的方法的关键是：蒸镀合适的金属膜以及低温键合过程中合适的外加压力、退火温度和退火时间。该技术中蒸镀的金属膜有利于改善光电器件的光学热学性质，同时整合了III－V族InP或GaAs基化合物半导体材料和Si材料的各自优点，实现了衬底倒扣，为器件制作的后步工艺打下了基础。低温键合牢靠，且键合过程不会使键合后器件结构的原有的光学和电学性能变差，有利于器件结构的制作。有望在金属波导及其它半导体光电器件制作中得到广泛应用。

公开(公告)号：CN101295753B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200710039882.2

申请日：2007-04-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 谢正生 ,  吴惠桢 ,  劳燕锋 ,  刘成 ,  曹萌 ,  黄占超

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种用于III-V族化合物半导体光电器件结构制作的低温Au-In-Au金属键合方法。其特征在于所述的金属键合过程包括：蒸镀金属膜、低温键合将器件结构金属键合到Si衬底上、腐蚀去除外延片衬底。所述的方法的关键是：蒸镀合适的金属膜以及低温键合过程中合适的外加压力、退火温度和退火时间。该技术中蒸镀的金属膜有利于改善光电器件的光学热学性质，同时整合了III-V族InP或GaAs基化合物半导体材料和Si材料的各自优点，实现了衬底倒扣，为器件制作的后步工艺打下了基础。低温键合牢靠，且键合过程不会使键合后器件结构的原有的光学和电学性能变差，有利于器件结构的制作。有望在金属波导及其它半导体光电器件制作中得到广泛应用。