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公开(公告)号：CN103483884A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310442795.7
申请日：2013-09-25
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及化学工程领域，特别是涉及一种高性能水性无机涂料及其制备方法。本发明提供一种高性能水性无机涂料，所述高性能水性无机涂料的原料按重量份计，包括如下组分：硅溶胶20~35份；聚合物溶液5~15份；颜料5~15份；填充剂15~30份；消泡剂0.5~1.5份；成膜助剂1~2份；增稠剂0.05~0.5份；水20~35份。本发明所提供的水性无机涂料，在引入有机高分子溶液的同时，优化了颜料、填料、消泡剂及成膜助剂的比例，得到了对环境无害、显著的强粘附性、优异的流平性及光泽性等特点的高性能水性无机涂料。此制备方法简单可靠、成本低廉，非常适用于工业生产和应用。
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公开(公告)号：CN103158057A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310072068.6
申请日：2013-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B24B37/013
Abstract: 本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，提高器件的良率。
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公开(公告)号：CN102122636B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010579606.7
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体晶圆与包含电阻转换材料和选通管层材料的第二半导体晶圆进行键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，同时实现低温电阻转换材料转移，即将具有电阻转换材料和选通管层材料的薄膜转移到第一半导体晶圆上，随后在第一半导体晶圆结构上通过半导体工艺，制备存储和选通单元。
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公开(公告)号：CN102268332B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010189161.1
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改善化学机械抛光工艺控制和提高相变存储器件性能。
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公开(公告)号：CN101758457B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010022997.2
申请日：2010-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法，包括下列步骤：将已使用过的抛光液经过滤膜过滤后收集滤液；将滤液过阳离子交换树脂后，收集流出液；将获得的流出液再过阴离子交换树脂，收集流出液；将获得的流出液作为原料用于配制新的化学机械抛光液，或者将获得的流出液浓缩后作为原料用于配制新的化学机械抛光液。本发明的方法磨料回收率高，环保且节省资源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102268224A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010189145.2
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液，此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准，包含下列重量百分比的原料组分：氧化硅抛光颗粒0.2-30wt％；表面活性剂0.01-4wt％；有机添加剂0.01-5wt％；pH调节剂和水性介质为余量；所述化学机械抛光液的pH值范围为9-12。本发明的化学机械抛光液氧化硅薄膜去除速率可控，可满足半导体应用中氧化硅介电材料在CMP工艺中的要求。
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公开(公告)号：CN102122636A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010579606.7
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体晶圆与包含电阻转换材料和选通管层材料的第二半导体晶圆进行键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，同时实现低温电阻转换材料转移，即将具有电阻转换材料和选通管层材料的薄膜转移到第一半导体晶圆上，随后在第一半导体晶圆结构上通过半导体工艺，制备存储和选通单元。
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公开(公告)号：CN101299454B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810038907.1
申请日：2008-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米复合相变材料的制备方法。特征在于利用相变材料中各个原素之间不同的化学性能，在相变材料制备过程中通入适量反应气体，使相变材料中的一种或者多种元素在材料生长过程中优先与反应气氛反应并形成固体化合物，与反应剩余相变材料形成复合材料：化合物将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、微小的区域，从而把相变材料的相变行为限制在小区域内，减小了相变材料的晶粒；同时因为形成的固体化合物与相变材料间“取长补短”，充分弥补了单一材料的缺点，产生了单一材料所不具备的优越的性能。纳米复合相变材料应用到相变存储器中，不仅提升了相变存储器的加热效率，降低了器件的功耗，而且又提高了器件存储速度、数据保持能力等。
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公开(公告)号：CN101232038B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810033926.5
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明涉及到相变存储芯片(PCRAM)的高密度相变存储单元结构、三维电路设计布局与制造工艺流程。本发明为了实现PCRAM芯片存储阵列的高密度，通过三维立体布局设计，把基于CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的外围电路放在存储阵列的下面，上述外围电路晶片通过CMP(化学机械抛光)工艺实现平坦化。对P型或N型硅片进行外延技术形成N/P(或P/N)结，通过对准装置实现该硅片与上述CMOS硅片的低温键合，通过晶片剥离技术或背面减薄的技术实现CMOS片上的整片N/P(或P/N)结，接着在其之上制备可逆相变电阻，之后采用Cu互联，最后通过常规的封装技术实现整个芯片；从而整体实现三维立体1R1D芯片结构。
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公开(公告)号：CN101857774A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010189172.X
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用，本发明的抛光组合物，包括水、磨料和氟离子速率促进剂，所述抛光组合物的pH值为碱性，且金属杂质含量在100ppm以下。本发明的抛光组合物能显著提高抛光速率与表面质量，提高生产效率，减小抛光后清洗难度，并且本抛光液不含金属杂质，不会对抛光后硅片产生不利的影响。
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