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公开(公告)号：CN112017973B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910462224.7
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/52 , H01L31/0203 , H01L25/16 , G02B6/42
Abstract: 本发明提供一种硅光模块的封装方法及硅光模块，其优点在于，采用晶圆级扇出形封装方法制备硅光模块，其能够提高硅光模块的带宽、提高集成度、改善散热、降低功耗、降低封装成本；同时采用该封装方法形成的硅光模块还具有用于光纤插入的凹口，其使得光纤能够与硅光模块进行光纤耦合；即本发明封装方法在提供了良好的封装工艺的同时还保证光纤能够与硅光模块进行光纤耦合。
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公开(公告)号：CN115700928A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202110800726.3
申请日：2021-07-15
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种光电探测器及其制造方法，所述光电探测器包括：波导，其设置于基板，由第一材料构成；以及光吸收层，其设置于所述波导的表面；所述光吸收层包括第一材料部和第二材料部，所述第一材料部中形成有凹陷部，所述第二材料部设置于所述凹陷部中，所述第一材料部由所述第一材料构成，所述第二材料部由第二材料构成，针对所述预定波长的光，所述第一材料的折射率小于所述第二材料的折射率。根据本申请，将光电探测器的光吸收层设置为由折射率不同的两种材料交替布置而形成的结构，由此，能够增大倏逝波在吸收层中的吸收率，从而兼顾高响应度和高带宽。
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公开(公告)号：CN115407451A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110586090.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种基于亚波长光栅波导结构的120度光混频器及制作方法，混频器包括一多模干涉区、连接于多模干涉区的输入端的三个输入波导以及连接于多模干涉区的输出端的三个输出波导，多模干涉区、输入波导及输出波导为亚波长光栅波导结构，其中，多模干涉区为光栅长度相等的亚波长光栅波导结构，输入波导为光栅长度逐渐增大的亚波长光栅波导结构，输出波导为光栅长度逐渐减小的亚波长光栅波导结构。本发明可在较小的多模干涉区的长度下在输出端口实现120度光混频操作。与传统的多模干涉耦合器结构相比，本发明采用亚波长光栅波导结构的光混频器可以有效减小器件尺寸、提高集成度，同时可以实现超大带宽、低相位偏差的光混频器。
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公开(公告)号：CN110767766B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201810836030.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种应变平衡GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述应变平衡GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及依次层叠于所述硅衬底上的Ge缓冲层和吸收层；所述吸收层，包括沿垂直于所述硅衬底的方向交替堆叠的拉应变Si1‑x‑yGexSny层与压应变Ge1‑aSna层，以达到应变平衡；其中，0
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公开(公告)号：CN112098768B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201910461940.3
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅光芯片的测试方法及设备，其将硅光晶圆固定在柔性膜上后对所述硅光晶圆进行切割，切割后得到的硅光芯片的相对位置不发生变化，再将硅光芯片及柔性膜整体移动至测试设备处进行测试，不需要多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的相对位置。本发明硅光芯片的测试方法省略了测试前多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的步骤，测试时间大大缩短，测试效率大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111221075B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201811417346.6
申请日：2018-11-26
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种用于产生克尔光频梳的光学装置。所述用于产生克尔光频梳的光学装置，包括：第一直波导；微环谐振腔，包括第二直波导、第三直波导和弯曲波导；其中，所述第二直波导沿平行于所述第一直波导的方向延伸，所述第三直波导相对于所述第二直波导倾斜一预设角度，所述第二直波导、所述第三直波导与所述弯曲波导共同构成封闭环结构，且所述第二直波导与所述第一直波导耦合。本发明降低了光信号的传播损耗，有效避免了第一直波导与微环谐振腔之间的耦合间距对耦合效率的限制。
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公开(公告)号：CN110896112B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201810958988.0
申请日：2018-08-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/103 , H01L31/0312 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种波导集成的GeSn光电探测器及其制造方法。所述波导集成的GeSn光电探测器，包括GeSnOI衬底以及均位于所述GeSnOI衬底表面的光纤‑波导模斑耦合器、SiN光波导和器件结构；所述器件结构，包括沿所述GeSnOI衬底的轴向方向设置于所述GeSnOI衬底上的GeSn吸收层；所述SiN光波导的输出端沿平行于所述GeSnOI衬底的方向与所述GeSn吸收层的中心对齐连接；所述光纤‑波导模斑耦合器包括与所述SiN光波导的输入端连接的SiN反锥型波导，且所述SiN反锥型波导与所述SiN光波导同层设置。本发明能够有效避免光探测器速率与量子效率间相互制约的问题，提高了GeSn光电探测器的灵敏度以及稳定性。
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公开(公告)号：CN110729373B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201810776256.X
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种基于Ge波导的GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述基于Ge波导的GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底上的锗波导层和器件结构；所述器件结构，连接所述锗波导层，包括由Ge1‑xSnx材料构成的吸收层，其中，0
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公开(公告)号：CN110954998B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201811134139.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明提供一种激光器与硅光芯片集成结构及其制备方法，激光器与硅光芯片集成结构包括：激光器芯片，所述激光器芯片包括第一波导；硅光芯片，所述硅光芯片包括第二波导，所述第二波导及所述第一波导将所述激光器芯片发出的光以倏逝波耦合的方式耦合至所述硅光芯片内。本发明制备的激光器与硅光芯片集成结构中激光器中的第一波导与硅光芯片中的第二波导通过倏逝波耦合的方式将激光器发出的光耦合至所述硅光芯片内，相比于现有技术中的端面耦合，本发明的耦合方式对倒装焊过程中的对准精度要求更低，即使在对准有误差的实际工艺条件下，仍然具有较高的耦合效率。
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公开(公告)号：CN112331725A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910717527.9
申请日：2019-08-05
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18 , G02B6/122 , G02B6/13
Abstract: 本发明提供一种基于光子晶体的波导型锗光电探测器及制备方法，所述锗光电探测器包括：硅波导结构；锗光电探测器，连接于所述硅波导结构，所述锗光电探测器的锗吸收区及所述锗吸收区外围的周边硅材料区中具有周期性排列的介质材料，以形成具有慢光效应的光子晶体结构。本发明与传统波导型锗光电探测器相比，可以实现更高效的光吸收效率，通过减小器件尺寸，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备。
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