公开(公告)号：CN206422052U

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201720132443.5

申请日：2017-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  丁志华 ,  首照宇 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  李思敏 ,  高喜 ,  傅涛 ,  王晓峰 ,  潘岭峰 ,  张紫辰

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

Abstract: 本实用新型公开一种红外探测器薄膜激光退火系统，包括激光器、扩束准直镜、光阑、高反镜、整形镜、平凸柱面镜、载物台和位移平台；红外探测器放置在载物台的表面，载物台安装在位移平台上；激光器、扩束准直镜和光阑位于同一直线上，整形镜、平凸柱面镜和载物台位于同一直线上；激光器产生的激光光束依次经过扩束准直镜和光阑后入射到高反镜，激光光束经高反镜的反射后改变方向，并依次经过整形镜和平凸柱面镜后入射到载物台上的红外探测器的薄膜表面。本实用新型具有加工时间短、效率高、工艺成本低、且不会影响芯片性能的特点。

公开(公告)号：CN221304699U

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202322980419.5

申请日：2023-11-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  管理 ,  陈永和 ,  翟江辉 ,  李海鸥 ,  崔现文 ,  程识 ,  叶健 ,  李佩 ,  牛玉龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开一种高密度倾斜沟道功率半导体器件，在现有功率半导体器件的沟道区内开设有至少一个倒V形的嵌入槽；嵌入槽纵向贯通沟道区，即嵌入槽的上表面与沟道区的上表面相平，嵌入槽的下表面与沟道区的下表面相平；嵌入槽的整个内侧表面覆有绝缘介质，嵌入槽内填充有栅极介质；填充在嵌入槽内的栅极介质形成嵌入栅，嵌入栅的上表面直接与环表面栅连接，嵌入栅的下表面通过绝缘介质与埋氧层连接。本实用新型利用倒V形的嵌入栅的倾斜交叉结构提高有效沟道长度以及宽度，降低器件的导通电阻，提高整体导通性能，实现沟道区的三维完全包裹。

公开(公告)号：CN209589089U

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201821559766.3

申请日：2018-09-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  刘飞 ,  傅涛 ,  李海鸥 ,  张法碧 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  孙堂友

IPC: G01D5/353

Abstract: 本实用新型提出了一种三孔缝结构的传感器，解决了现有技术中存在的三孔缝结构的传感器性能差、谱宽所需大的技术问题，采用包括三孔缝结构的传感器包括厚度小于工作波长的超表面；所述超表面的形状为规则几何形状，超表面内平行等间距对称的设置有三个矩形孔缝；所述超表面的材质为金属的技术方案，可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207441705U

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201721428381.9

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 李海鸥 ,  王博 ,  邹锋 ,  刘洪刚 ,  高喜 ,  李琦 ,  蒋振荣 ,  张法碧 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  李跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206643500U

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201720224867.4

申请日：2017-03-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  韦春荣 ,  首照宇 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  李思敏 ,  高喜 ,  傅涛 ,  王晓峰 ,  潘岭峰

IPC: B23K26/064 ,  B23K26/364 ,  H01L21/78

Abstract: 本实用新型公开一种含低介电常数介质晶圆片的激光划片系统，包括激光器、扩束镜、光阑、反射镜、分束元件、可变焦距系统和移动平台；激光器出射的激光光束经扩束镜扩束后垂直进入光阑，经过光阑滤掉边缘杂光后的激光光束入射到反射镜，经过反射镜反射后的激光光束入射到激光光束分束元件，激光光束分束元件输出性质完全一致的两束激光光束，两束激光光束进入可变焦距系统，经可变焦距系统调节后的两束激光光束聚焦于位移平台上的晶圆片，两束激光光束共同作用于晶圆片上实现同步化片。本实用新型采用分束元件和可变焦距系统进行组合调节光束间距，设备简便、通用型强，加工质量高、效率好，尤其适用于含low-k介质晶圆片的划片加工。

公开(公告)号：CN221304695U

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202323008157.2

申请日：2023-11-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  管理 ,  陈永和 ,  翟江辉 ,  李海鸥 ,  崔现文 ,  程识 ,  叶健 ,  李佩 ,  牛玉龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型公开一种具有反向倾斜介质槽的功率器件，在有源区增设反向倾斜的介质槽。反向倾斜介质槽阻挡载流子的沿表面向源极运动，载流子只能向漏极外侧向下运动，在有源层底部方向折回向源极运动，形成折叠型耐压路径，显著提高器件的有效横向耐压长度，能解决减小器件表面长度、提高耐压的技术难题；反向倾斜介质槽可以在传统功率器件结构的基础上，结合硅片倾斜深槽刻蚀和介质填充形成，该工艺步骤完全与CMOS/SOI工艺兼容，工艺简单。此外，还在介质槽外形成的反型的掺杂层，可以改善体电场分布，降低介质槽拐角电场集中的现象，特别适合于高耐压功率器件的设计。

公开(公告)号：CN207441658U

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201721409390.3

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  吴磊 ,  刘洪刚 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  高喜 ,  肖功利 ,  首照宇 ,  傅涛 ,  翟江辉

IPC: H01L21/20

Abstract: 本实用新型公开了一种键合晶圆的结构，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构为包括第一晶圆和第二晶圆，所述第二晶圆位于第一晶圆的上方，所述第一晶圆与第二晶圆之间设置有中间层，所述中间层包括气体通道和三氧化二铝层，所述气体通道设置在三氧化二铝层内，且气体通道横向贯穿三氧化二铝层的技术方案，该键合晶圆的结构，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利