公开(公告)号：CN104944944A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510301889.1

申请日：2015-06-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 冯琴 ,  袁昌来 ,  周星星 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，0≤y≤0.1，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er中的一种，Me为Zr、Sn中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3粉体，然后用放电等离子烧结（SPS）技术制备Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备方法简单高效，基于电滞回线计算的储能密度介于0.7~1.6J/cm3之间。

公开(公告)号：CN104891988A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510244660.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  刘笑 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中：0.03≤x≤0.3，M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为？Mg、Zn、Ni中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6？J/cm3。

公开(公告)号：CN104876564A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510244452.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  王子兴 ,  杨涛 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  刘飞 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3高介电微波陶瓷及其制备方法，其中：Me为Zr、Ti、Sn、Mn中的一种，Ae为Na、Li、K中的一种，Re为Sm、Nd、Gd、Dy中的一种，0.05≤x≤0.5。先采用传统合成技术合成(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3粉体，然后采用高温高压烧结技术制备(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3高介电微波陶瓷。本发明制备的高介电微波陶瓷，其介电常数（εr）介于75~190，品质因子与谐振频率的乘积（Q.f）介于4000~12000GHz，谐振频率温度系数（Tcf）介于-150~250ppm/℃且可基于成分调节Tcf至近零。

公开(公告)号：CN103708817B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201310701728.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: H01G7/06 ,  C04B35/26 ,  C04B35/468

Abstract: 本发明公开了一种高耐压无铅高温铁电陶瓷陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)BiFeO3-xBaTiO3+[5%Bi2O3+1%MnO2+0.5%ZnO+1%Nb2O5]，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN104291792A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410507261.2

申请日：2014-09-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  周贤界 ,  王华 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  张小文

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/10 ,  C04B35/04 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物陶瓷靶材及其制备方法，所述氧化物陶瓷靶材由30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO、10-50wt%的ZnO组成，上述三者比例之和为100%，其中XO是铝、镁、锡或铪的氧化物。所述制备方法包括如下步骤：（1）将30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO和10-50wt%的ZnO装入粉碎机中粉碎；（2）将球磨后得到的混合物粉体压制成型，获得平面或管状的素坯；（3）将平面或管状的素坯脱脂；（4）将脱脂后的素坯进行烧结，获得高密度的陶瓷靶材。本发明用于替代现有的含镓氧化物陶瓷靶材，在保持性能的同时，实现靶材及TFT器件成本的降低。

公开(公告)号：CN103880415A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410064074.1

申请日：2014-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘飞 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周昌荣 ,  刘心宇

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗高介电微波陶瓷，其组成通式为：Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3，其中：0≤x≤0.1，0.6≤y≤0.7，符号M和E均为La,Sm,Nd,Dy,Gd稀土元素中的一种。实现方法为先合成Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3粉体，把所得粉体加入聚乙烯醇混合均匀并压制成圆柱状坯体，然后在1350~1500℃保温4小时进行高温烧结成瓷，即可得到低损耗高介电Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3微波陶瓷。相对于CaTiO3微波陶瓷，该微波陶瓷介电常数高、谐振频率温度系数更小、损耗更低，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr介于150~180，谐振频率温度系数τf介于300~450ppm/℃，品质因子与谐振频率的乘积Qf介于6500~12000GHz。

公开(公告)号：CN103803966A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310701726.3

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103345997A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310262113.4

申请日：2013-06-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  李吉乐 ,  张小文 ,  袁昌来 ,  杨云

IPC: H01C17/30 ,  H01C7/12 ,  C04B35/453 ,  C04B35/22 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高电位梯度ZnO基压敏瓷料及其制备方法，该瓷料组分包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Cr2O3和Dy2O3。压敏瓷的化学式为:aZnO.bBi2O3.cSb2O3.dCo2O3.eMnO2.fCr2O3.gDy2O3，其中；a＋b＋c＋d+e＋f+g=1，各组分的摩尔比分别是：0.95≤a≤0.97，b=0.007，c=0.01，d=0.008，e=f=0.005，0.004≤g≤0.008。按照化学式称量配料，然后在球磨机中混匀、干燥、压片、烧结而成。本发明的高电位梯度ZnO压敏陶瓷有望应用于超高压电力系统的避雷器及电力系统的过压保护中。

公开(公告)号：CN102424577B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201110278893.2

申请日：2011-09-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  巨锦华 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  张小文

IPC: H01C7/10 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法，它是在ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷中同时添加V2O5和TiO2来实现，用料量V2O5︰TiO2︰ZnO-Bi2O3基的摩尔比为0.05-0.08︰0.80-1.30︰98.62-99.15，其中ZnO-Bi2O3基包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnCO3组成成分，且ZnO︰Bi2O3︰Co2O3︰MnCO3的摩尔比为97.40-98.20︰0.60-0.80︰0.80-1.20︰0.40-0.60，用传统制陶工艺烧制而成。本发明的优点是：（1）Ti掺杂可提高压敏陶瓷材料的非线性系数，降低电位梯度；（2）V掺杂可降低陶瓷材料的烧结温度，并节约能耗，降低成本；（3）预烧能增强粉体活性；（4）分段升温、保温的工艺可以提高陶瓷的质量和性能，同时降低能耗，节约成本。

公开(公告)号：CN102285793B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110162423.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 成钧 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Ba(Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3–xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y-u)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-u-v)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3-v(Li1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0