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公开(公告)号：CN107257242A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710312585.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种惯性传感器动态信号的实时处理方法，首先，利用随机采样技术充分降低信号的采样数据；然后，通过对采样后的信号进行压缩测量，获得相应的测量值，进而利用重构算法完成对原始信号的准确重构，以提高惯性传感器动态信号输出精度。与传统方法相比，本发明能够在大大降低信号采样数据的同时，有效改善输出信号精度，从而实现惯性传感器动态信号的实时处理。
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公开(公告)号：CN106299564A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610963317.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
CPC classification number: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种基于微腔耦合结构的等离子体弯曲波导滤波器，包括金属薄膜、以及开设在金属薄膜上的弯曲波导和谐振腔。弯曲波导由入射波导、中间波导和出射波导组成。谐振腔位于中间波导的其中一侧和/或两侧。本发明将直波导变成两个直角组成的弯曲波导，这样中间的中间波导可以形成一个F-P腔；并且在中间的中间波导的两侧增加两个矩形谐振腔，利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，通过调节谐振腔的长度，实现等离激元滤波功能；此外，还可以通过调节谐振腔与波导的间距、谐振腔的长度以及谐振腔的个数，来实现滤波和电磁感应透明效应，并能体现一种特殊的耦合效果。
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公开(公告)号：CN105161398A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510394642.9
申请日：2015-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02052
Abstract: 本发明公开了一种GaAs(111)晶圆的清洗方法。该方法为：将GaAs(111)衬底用有机溶剂处理以除去表面油污及有机物；然后置于双氧水中浸泡，取出，去离子水清洗后再置于盐酸中浸泡，取出，去离子水清洗；所得GaAs(111)衬底重复双氧水浸泡—去离子水清洗—盐酸浸泡—去离子水清洗步骤至少1次。本发明先用双氧水牺牲氧化GaAs(111)表面，得到规整的自然氧化层；再用盐酸腐蚀，由于GaAs表面的自然氧化层是规整的，因而可以有效去除表面质量不好的GaAs缺陷，使GaAs表面氧化物数量和粗糙度都大幅下降。采用该清洗方法配合硫化铵溶液钝化，可长时间的阻挡空气中氧气对洁净GaAs(111)表面的氧化。
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公开(公告)号：CN105140155A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510414886.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67092
Abstract: 本发明公开了一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法，包括在衬底正面匀涂电子束光刻胶的步骤、用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上的步骤，其中：所述的液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用特殊配方组成的液态蜡代替传统的高温蜡，在使用过程中不需要增加其它阻隔层即可避免因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，还能使衬底和石英托之间具有优良的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。
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公开(公告)号：CN105018025A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510412159.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C09J191/06
Abstract: 本发明公开了一种GaAs MMIC减薄工艺中粘片用的液态蜡，它是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明用Crystalbond 509强力粘合剂溶于丙酮中所得的液态蜡代替传统粘片工艺中使用的高温蜡，在液态蜡和光刻胶接触部分不会产生互溶问题，避免了因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，分离时只需要采用丙酮溶液浸泡即可，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，本发明所述液态蜡具有极强的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113945545B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202111331624.8
申请日：2021-11-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器，包括二氧化硅衬底，以及设置在二氧化硅衬底的至少一个金属纳米单元；每个金属纳米单元由金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒组成；金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒之间存在间隙；金属纳米缺陷圆盘为边缘带有的矩形缺口的圆形；金属纳米棒为矩形；金属纳米缺陷圆盘上的矩形缺口朝向金属纳米棒方向，且矩形缺口的宽边中心线与金属纳米棒的宽边中心线的中线垂直。本发明通过金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒产生偶极子，两偶极子相互耦合产生一个表面等离子共振峰。通过改变金属纳米单元的几何参数，可以实现表面等离子共振的共振强度及共振波长位置的调控，并获得高灵敏度。
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公开(公告)号：CN111509038B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202010481812.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种多层堆叠的LDMOS功率器件，利用两个以上MOS器件单元堆叠所形成的双漂移区，而使得下方漂移区的顶部引入P重掺杂区和N重掺杂区，这样不仅增加一条新的电流路径，提升了开态时的工作电流；而且降低了下方漂移区栅漏两极的电场峰值，同时在器件内部引入了两个新的电场峰值，优化了器件的内部电场强度，改善器件内部的电场分布，从而提高了器件的耐压特性。此外，还通过在双漂移区之间引入轻掺杂的交叠浮空层辅助耗尽，以有效增加双漂移区的掺杂浓度，进一步改善耐压特性。再者，通过上部漂移区的底部引入重掺杂的单元内埋层和在双漂移区之间的轻掺杂区中引入重掺杂的单元内浮空层来进一步改善器件的耐压特性。
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公开(公告)号：CN118676624A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410874269.6
申请日：2024-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种超宽带吸收可切换偏振无关吸波器。该吸波器由三层结构构成，自下而上分别是金属层、二氧化硅电介质层及二氧化矾薄膜结构层。通过优化扫描选出具有最优尺寸的二氧化矾薄膜结构参数，通过调节二氧化矾的电导率#imgabs0#可以实现在宽带内#imgabs1#的动态调控。除此之外，该发明还具有结构简单、易于制备等优点。因此，该发明在宽带可调谐偏振无关吸波器件中具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN118192076A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410468534.0
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种基于粒子群算法的宽带消色差偏振复用超透镜设计方法。所述超透镜包括二氧化硅衬底层和具有各向异性的二氧化钛超表面层。通过扫描横截面为椭圆的结构单元尺寸构建相位响应数据库，得到不同的相位响应。结合已有的数据库，利用粒子群优化算法(PSO)对x、y线偏振通道下不同波长的相位分布进行定制，大大减小了匹配误差。最后通过仿真证明，超透镜焦距能依据入射光线偏振状态进行调节，并且双偏振通下的色散能得到有效控制。该设计具有紧凑、灵活、高效率等优点，在医疗成像、目标检测领域具有广阔的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116940190A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310980247.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种高质量钙钛矿厚膜及其制备方法和用途，包括将95‑105℃的过饱和浓度的钙钛矿前驱体溶液滴加到基底上，用不同狭缝高度的刮刀、以不同速度进行多次刮涂的步骤，通过特定的工艺，解决了现有技术中难以控制钙钛矿膜厚度以及钙钛矿厚膜缺陷密度高导致辐射探测器具有较高暗电流密度的技术问题，能够灵活、方便的进行钙钛矿厚膜的制备，获得了具有低缺陷密度、高致密度、高均匀性的钙钛矿厚膜，本发明具有低成本、制备方便、可大面积生产等优势，所需温度在200℃以下，尤其是刮涂和退火过程均在大气环境下即可完成，有利于工业化生产。
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