公开(公告)号：CN116940190A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310980247.3

申请日：2023-08-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王阳培华 ,  沈振宇 ,  朱星宇 ,  首美花 ,  孙堂友 ,  刘兴鹏 ,  肖功利 ,  彭英 ,  张法碧 ,  李海鸥

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K85/50 ,  H10K30/60

Abstract: 本发明涉及一种高质量钙钛矿厚膜及其制备方法和用途，包括将95‑105℃的过饱和浓度的钙钛矿前驱体溶液滴加到基底上，用不同狭缝高度的刮刀、以不同速度进行多次刮涂的步骤，通过特定的工艺，解决了现有技术中难以控制钙钛矿膜厚度以及钙钛矿厚膜缺陷密度高导致辐射探测器具有较高暗电流密度的技术问题，能够灵活、方便的进行钙钛矿厚膜的制备，获得了具有低缺陷密度、高致密度、高均匀性的钙钛矿厚膜，本发明具有低成本、制备方便、可大面积生产等优势，所需温度在200℃以下，尤其是刮涂和退火过程均在大气环境下即可完成，有利于工业化生产。