纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN117782317B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202311810577.4

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层,以及在介质基底层上制备的介质缓冲层;在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线;GaN/AlN纳米线的一端为GaN,GaN/AlN纳米线的另一端为AlN,GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N;GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50%,Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变,并且Ga元素和Al元素的浓度互补;在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极,电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线,使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列,最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构,结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建,舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件,实现了小型化、轻量化。

    一种基于光纤的介入手术导丝末端力测量方法

    公开(公告)号:CN118416372A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410318977.1

    申请日:2024-03-20

    Abstract: 本申请涉及光纤传感及精准医疗领域,公开了一种基于光纤的介入手术导丝末端力测量方法,包括以下步骤:S1、通过光纤布拉格光栅传感器测量导丝末端的波长漂移量;S2、根据波长漂移量,使用基于应变和温度的线性模型计算导丝末端的应力;S3、根据应力,使用基于弯矩和轴向力的力学模型计算导丝末端的三维受力值。本发明的实施例可以为介入手术提供一种精确测量导丝末端三维力的方法,有助于提高手术的安全性和成功率。通过FBG传感器的高精度测量与先进的数据处理技术相结合,可以实现对手术导丝末端力的精确感知与控制,减少手术过程中对血管的损伤,降低并发症的风险。

    一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面及测试系统

    公开(公告)号:CN117784291A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311810095.9

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明提供了一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面,包括阵列的多个光子晶体单元结构;每一个所述光子晶体单元结构包括3×3组光子晶体阵列,每一组光子晶体具有不同周期的光子晶体;每一组光子晶体阵列的参数如下:光子晶体的厚度为光子晶体的晶格常数的一半,光子晶体的孔穴半径为0.4μm~2.8μm,光子晶体的晶格常数为1μm~3.6μm;光子晶体阵列的相邻两行之间,对应的光子晶体之间的连线与水平线的夹角θ为30°~90°。本发明实现对不同波段光的准确识别和测量,长波红外8‑10μm激光的多光谱兼容和识别。

    纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN117782317A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311810577.4

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层,以及在介质基底层上制备的介质缓冲层;在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线;GaN/AlN纳米线的一端为GaN,GaN/AlN纳米线的另一端为AlN,GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N;GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50%,Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变,并且Ga元素和Al元素的浓度互补;在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极,电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线,使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列,最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构,结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建,舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件,实现了小型化、轻量化。

    一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法

    公开(公告)号:CN117779188A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311802994.4

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明提供了一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法,包括如下方法步骤:S1、取厚度为500μm的两英寸的GaSb衬底置于分子束外延设备的生长腔;S2、对GaSb衬底升温至300℃进行高温除气,除气时间不少于两小时;S3、对GaSb衬底升温至520℃脱氧,直至GaSb衬底表面形貌点线清晰,保持三分钟;S4、对GaSb衬底降温至440℃,在GaSb衬底上生长厚度为500nm的GaSb缓冲层;S5、对GaSb衬底和GaSb缓冲层降温至420℃,在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格;在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格的过程中,As/In束流比为7~11。本发明优化As/In的束流比,在生长InAs/GaSb II类超晶格时提前打开As阀门,解决了由于缺As导致的InAs/GaSb II类超晶格表面易形成针状“亮点”缺陷的问题。

    一种应用于手术机器人前规划的空间配准方法

    公开(公告)号:CN112641512B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202011442815.7

    申请日:2020-12-08

    Abstract: 本发明一种应用于手术机器人前规划的空间配准方法,方法涉及手术机器人空间导航方法,具体的说是一种把基于医学图像的三维建模与患者的位姿进行配准。所谓配准是指空间同一个点在两个不同的坐标系的坐标值之间的一对一的映射或转换,即在两个不同坐标系中分别描述同一个点,该点在两种坐标之间的映射。在颅颌面肿瘤手术中,空间配准(又称术中配准)是关乎手术成功与否的关键因素,通过立体定位跟踪系统,在手术中确定机器人末端手术操作器械与患者的对应关系,并与术前重建的医学图像整合显示在一起,这样医学图像才能被有效地用来实时引导机器人定位及辅助穿刺手术的进行。本文选用基于固定在病人头骨上的外部标记点的配准方法来实现颅颌面肿瘤手术机器人的术中空间配准。

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