公开(公告)号：CN1992168A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竺井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN1957447A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016035.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN1942611A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011074.4

申请日：2005-03-30

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  C30B11/06 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B9/08 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/06 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体衬底的方法，其包括：将含碱金属元素物质(1)、含III族元素物质(2)和含氮元素物质(3)导入反应器(51)中；在所述反应器(51)中，形成至少含有所述碱金属元素、所述III族元素和所述氮元素的熔融液(5)；并从所述熔融液(5)生长III族氮化物晶体(6)，其特征在于至少在将含碱金属元素物质(1)导入反应器(51)的步骤中，在水分浓度被控制在至多1.0ppm的干燥容器(100)中操作所述含碱金属元素物质(1)。由此可提供具有小吸收系数的III族氮化物晶体衬底及其制造方法，以及III族氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN1877877A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610087778.6

申请日：2006-06-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  佐藤史隆 ,  弘田龙 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 提供氮化物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部(γ)形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部(∏)上形成被小面围住的凸型的小面丘，将形成露出部(∏)的轮廓线的覆盖部(γ)作为凹部，在维持露出部(∏)的小面丘和覆盖部(γ)的凹部的同时使其结晶生长，靠小面的作用向外侧驱赶位错，使其向轮廓线即覆盖部(γ)集结，在覆盖部(γ)上生成缺陷集合区域(H)，在露出部(∏)上小面下形成低缺陷单晶区域(Z)。在制作成器件后，可用加热的KOH、NaOH溶化缺陷集合区域(H)，分离成多角形芯片。

公开(公告)号：CN1790759A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510120085.8

申请日：2002-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

公开(公告)号：CN1612295A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410089673.5

申请日：2004-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 弘田龙 ,  中畑成二

IPC: H01L21/208 ,  C30B9/12 ,  C30B9/00 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明提供了具有大范围晶体生长速率的第III族氮化物晶体，它们的制备方法，和制备这种第III族氮化物晶体的设备。制备方法包括：在反应容器(21)中，围绕晶种(2)形成包含至少一种第III族元素和一种催化剂的熔体(1)的熔体形成步骤；和将含氮物质(3)供给熔体(1)以便在晶种(2)上生长第III族氮化物晶体(4)的晶体生长步骤；该方法的特征在于，控制温度，以便在晶体生长步骤中，熔体(1)的温度从熔体(1)与含氮物质(3)之间的界面(13)朝熔体(1)与晶种(2)之间的界面(12)或熔体(1)与已生长在晶种(2)上的第III族氮化物晶体(4)之间的界面(14)递降。