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公开(公告)号：CN111739963B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202010525007.0
申请日：2020-06-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种硅基宽光谱光电探测器的制备方法，包括：将n型掺杂硅衬底清洗；在所述n型掺杂硅衬底底侧进行掺杂，形成N+区域；在所述N+区域底侧沉积金属接触材料，然后经过退火使所述金属接触材料与对应区域的所述顶层硅反应形成金属硅化物；在所述n型掺杂硅衬底顶侧进行钝化，形成钝化层；在所述钝化层表面形成n型/p型双层量子点；在所述量子点表面形成图形化透明电极。该方法制备得到的探测器从可见光到红外光均有高探测效率，并且可以与Si基CMOS集成电路相兼容，而且不会对衬底造成污染。
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公开(公告)号：CN113257909A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110451631.5
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L27/12 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种用于SOI基GaN晶圆及其制备方法，所述GaN晶圆由下到上依次包括：SOI衬底、AlN成核层、AlxGayN超晶格、碳掺杂氮化镓C:GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN/AlN异质结、GaN盖帽层。采用优化的SOI定制参数和C:GaN/AlGaN/AlN异质结技术，利用异质结的晶格失配去匹配GaN与SOI间的热失配，避免了SOI基GaN晶圆在高温生长和降温过程中曲翘过大，甚至引发裂纹等问题，有助于GaN功率电子实现单芯片集成。
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公开(公告)号：CN111739963A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010525007.0
申请日：2020-06-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种硅基宽光谱光电探测器的制备方法，包括：将n型掺杂硅衬底清洗；在所述n型掺杂硅衬底底侧进行掺杂，形成N+区域；在所述N+区域底侧沉积金属接触材料，然后经过退火使所述金属接触材料与对应区域的所述顶层硅反应形成金属硅化物；在所述n型掺杂硅衬底顶侧进行钝化，形成钝化层；在所述钝化层表面形成n型/p型双层量子点；在所述量子点表面形成图形化透明电极。该方法制备得到的探测器从可见光到红外光均有高探测效率，并且可以与Si基CMOS集成电路相兼容，而且不会对衬底造成污染。
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公开(公告)号：CN105827224B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610150613.2
申请日：2016-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种高压模拟集成开关电路，包括并联的第一、第二模拟子开关，所述第一模拟子开关包括第一n型DMOS管、第二n型DMOS管及第一驱动电路，所述第一n型DMOS管的源极连接第二n型DMOS管的源极，漏极连接电路输入端，栅极连接第一驱动电路，所述第二n型DMOS管的漏极连接电路输出端，栅极连接第一驱动电路；所述第二模拟子开关包括第一p型DMOS管、第二p型DMOS管、第二驱动电路及第三驱动电路；所述第一p型DMOS管的漏极连接第二p型DMOS管的漏极，源极连接电路输入端，栅极连接第二驱动电路，所述第二p型DMOS管的源极连接电路输出端，栅极连接第三驱动电路。本发明的控制电路与信号通路不直接连通，抗干扰能力强，本发明的开关电路可以实现轨到轨输出。
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公开(公告)号：CN107564964A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710711410.0
申请日：2017-08-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一衬底，于所述衬底的表面形成外延层；2）于所述外延层中刻蚀出环形沟槽；3）于所述环形沟槽内侧形成环形阱区，于所述环形阱区中形成源区和重掺杂区；4）依次形成栅介质层和栅极；5）形成钝化层；6）形成环形窗口，于所述环形窗口内形成源极欧姆接触层，于所述衬底底部表面形成漏极欧姆接触层；7）刻蚀出栅极窗口；8）分别制作栅极电极、源极电极和漏极电极。本发明通过把最高电场拉入器件体内，解决现有技术中因为电场强度太大导致器件被过早击穿的问题，从而提高器件可靠性，保证电路及设备安全，同时能帮助提高电能利用率以及实现电子电力装置的小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956467B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110240276.3
申请日：2011-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种在石墨烯表面制备栅介质的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上生成有石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂而与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为高k栅介质层；所述金属氧化物薄膜为ⅢA族金属氧化物、ⅢB族稀土氧化物、ⅣB族过渡金属氧化物中的其中一种、或者它们的二元及二元以上的氧化物中的任一种。相较于现有技术，本发明可以在石墨烯表面生成均匀性和覆盖率较高的高k栅介质，且在生成过程中不会破坏石墨烯晶体结构及引入缺陷，提高由所述石墨烯制备的产品（例如石墨烯基场效应晶体管）的器件性能。
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公开(公告)号：CN102592974B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210075127.0
申请日：2012-03-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种高k介质薄膜的制备方法，在标准的RCA清洗法之前加入H2SO4、H2O2的清洗步骤，可以去除样品表面有机物，提高衬底表面的纯净度。在RCA清洗法之后再次用HF去除表面氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O2，NH3等离子体处理Si表面的技术，在高K介质薄膜与Si之间生长一层很薄的氮氧化合物钝化层，该钝化层可以抑制界面层的生长。接着使用等离子体生长方式生长高K介质薄膜，并原位对所述高K介质薄膜进行氧等离子体后处理，减少薄膜中的氧空位。本方法有利于减小界面缓冲层的厚度和界面粗糙度、抑制了衬底和薄膜之间的元素扩散、有利于减小等效栅氧厚度。
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公开(公告)号：CN102254795B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110174062.0
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法，包括：提供过渡金属基底；在过渡金属基底表面涂布光刻胶，形成光刻胶层；通过曝光显影将定义图案转移至光刻胶层，形成光刻胶图形；以光刻胶层为掩膜，在过渡金属基底内进行碳离子注入，形成碳离子注入区域；碳离子注入的注入角度是根据所需石墨烯宽度结合光刻胶层的掩膜厚度以及光刻胶图形的宽度计算得到的；去除光刻胶层；进行热退火处理，将碳原子从碳离子注入区域中析出重构，在过渡金属基底表面形成宽度接近甚至小于10nm的一维尺度受限的石墨烯纳米带。相比于现有技术，本发明通过计算以特定的注入角度进行碳离子注入，制备出石墨烯纳米带，具有制备精确、制备工艺流程简单、产量高的优点。
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公开(公告)号：CN102956467A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110240276.3
申请日：2011-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种在石墨烯表面制备栅介质的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上生成有石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂而与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为高k栅介质层；所述金属氧化物薄膜为ⅢA族金属氧化物、ⅢB族稀土氧化物、ⅣB族过渡金属氧化物中的其中一种、或者它们的二元及二元以上的氧化物中的任一种。相较于现有技术，本发明可以在石墨烯表面生成均匀性和覆盖率较高的高k栅介质，且在生成过程中不会破坏石墨烯晶体结构及引入缺陷，提高由所述石墨烯制备的产品（例如石墨烯基场效应晶体管）的器件性能。
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公开(公告)号：CN102593007A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210076796.X
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多P岛N沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的N型漂移区，位于所述N型漂移区一侧的P型体区，以及位于所述N型漂移区另一侧上的N型漏区，其中，所述N型漂移区中形成有多个互相间隔且平行排列的岛状P区，且各该岛状P区由N型源区朝N型漏区方向线性变小，由于在高压下衬底辅助耗尽效应作用从源端到漏端依次增强，因此岛状P区相应地从源端到漏端方向上由大变小，以实现和衬底辅助耗尽效应作用互补抵消，最终达到电荷平衡的目的。
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