-
公开(公告)号：CN113765395A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111008767.5
申请日：2021-08-31
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种改善有源钳位反激式变换器原边反馈采样精度的控制系统及控制方法，在本发明中，通过采样保持模块，在钳位开关管关断时对辅助绕组电压采样，从而获得输出电压的精确值，并与参考电压比较得到输出电压的误差信号，将误差信号与输入电压采样模块得到的输入电压信号输入到PWM控制模块，得到合适的开关管导通时间，产生钳位开关管驱动信号和主开关管驱动信号，本发明方案简单易行、成本低，能够改善对输出电压信号的采样精度，提高了控制系统的稳定性。
-
公开(公告)号：CN108318796B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201711326839.4
申请日：2017-12-12
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法，这种方法可以简单快速的提取三端口碳化硅基功率器件结型场效应区与栅氧层界面处的平均界面态密度，通过在三端口碳化硅基功率器件的栅极外接频率和幅值固定而基压V0变化的脉冲电压或频率和基压V0固定而幅值Vp变化的脉冲电压、源极外接反偏电压的负极、漏极外接反偏电压的正极、漏极外接电流表探测电流且电流表串接于漏极、电压源、源极组成的回路中，可以得到一条电流电压曲线，由电流电压曲线的峰值电流通过公式计算即可得到界面态沿结型场效应区上方的平均分布，同时，通过对比应力前后的测试曲线可判断器件结型场效应区与沟道区上方的栅氧层界面在应力作用下的退化情况。
-
公开(公告)号：CN107390767A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710650676.9
申请日：2017-08-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 一种具有温度补偿的宽温度全MOS电压基准源，设有启动电路、基准核心电路、由温度检测电路、温度逻辑开启电路和高低温温度补偿电路构成的温度补偿电路。启动电路向基准核心电路注入电流使其正常工作，基准核心电路基于阈值电压和热电压的一阶温度补偿原理，采用CMOS型自偏置电流产生电路产生电流并经过有源负载产生基准电压VREF，温度检测电路提取MOS器件的阈值电压进行温度检测，经温度补偿逻辑开启电路进行逻辑处理后输出给高低温温度补偿电路，高低温温度补偿电路针对对不同的工作温度范围进行补偿并将补偿结果反馈耦合到基准核心电路输出的基准电压中，实现宽温度工作条件下低温度系数和高电源抑制比的全MOS电压基准源。
-
公开(公告)号：CN107204755A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710432878.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K3/0231 , H03K3/012 , H03K3/011
Abstract: 一种高精度的自适应张弛振荡器，利用电容预充电原理抵消设于振荡电路中的充放电控制电路产生的延时，包括振荡电路、第一电容预充电电路和第二电容预充电电路，电容预充电电路用于给振荡器充放电电容预充电，振荡电路在电容预充电电路预充电电平的基础上进行充放电，电容两次充电产生的误差延时抵消，使振荡器工作在预设的频率上，实现显著提高频率‑控制电流线性度，且本发明不是直接通过提升比较器或者RS触发器的速度来减小延时，而是通过两次充电过程抵消控制电路产生的延时以及随外界环境变化的失调的影响，显著地提高了振荡器的精度，并且具有很强的温度稳定性和电源电压抑制即自适应性。
-
公开(公告)号：CN107085132A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710351208.1
申请日：2017-05-18
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R19/00 , H03K19/0185
Abstract: 一种正电压供电下的高精度负压检测电路，包括采样电压生成电路、带隙基准电压源、高精度电压比较器和输出驱动器，采样电压生成电路包括低压线性稳压管LDO和电阻分压网络，低压线性稳压管LDO稳定输出固定2.5V电压Vo与输入的负电压信号IN通过电阻分压得到正采样电压Vn，将Vn与带隙基准电压源产生的正基准电压Vref通过高精度电压比较器进行比较，Vn、Vref分别连接高精度电压比较器的负、正向输入端，比较结果通过输出驱动器输出对应的逻辑控制信号OUT，当输入信号IN为要检测的负电压信号时，输出驱动器输出逻辑高电平“1”，否则输出逻辑低电平“0”，实现了正电压供电下输入负电压信号的检测。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105827223A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610098736.6
申请日：2016-02-23
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/687 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H03K17/687 , H01L29/7818
Abstract: 本发明公开了一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构，巧妙地利用高压电平移位电路中通过集成工艺实现的寄生的高压二极管对自举电容进行充电，高压电平移位电路的电源端为高侧浮动电源VB，参考地为浮动电压PGD。PGD由自举控制电路进行控制，VB和PGD之间设有第一寄生二极管和第二寄生二极管，自举控制电路由高侧信号和低侧信号控制，当低侧输出信号LO为高电平且高侧输出信号HO为低电平，或者当低侧输出信号LO为低电平且高侧输出信号HO为低电平时，自举控制电路的输出PGD为高电平VCC，VCC通过第一寄生二极管和第二寄生二极管对外部自举电容进行单向充电。本发明充电速度快、充电效率高、电路结构简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN119766225A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411833259.4
申请日：2024-12-13
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/0175 , H03K19/003 , H03K19/01
Abstract: 本发明公开了一种采用氮化镓全集成工艺基于高压电容的电平移位电路，包括抗噪电平转换单元、噪声钳位单元、高速锁存单元、复位单元；抗噪电平转换单元能够实现低侧输入信号到高侧输出信号的转换，而且其对称结构能够有效抑制共模噪声；噪声钳位单元功能是有效抑制dVS/dt噪声对电路影响以及钳位关键节点电压防止击穿；高速锁存单元功能是将输入脉冲信号快速还原为电平信号；复位单元的功能是产生脉冲信号打开开关管帮助关键节点泄放电荷；上述整体电路能较好解决传统电平移位电路在电路功耗与传输延时的折衷问题、电平移位电路延迟随VS变化以及受dVS/dt噪声影响失效的问题。
-
公开(公告)号：CN119483269A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411617828.1
申请日：2024-11-13
Applicant: 东南大学 , 南京杰芯源科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种四开关升降压变换器的高动态控制方法及电路，所述电路包括四开关升降压变换器电路、模数转换器和FPGA开发板；四开关升降压变换器中，第一开关管的正极连接到输入电压、负极连接到电感的左端；第二开关管的正极连接到电感的左端、负极接地；第三开关管的正极连接到输出电压、负极连接到电感的右端；第四开关管的正极连接到电感的右端、负极接地；输出电容正极连接到输出电压、负极接地；在模数转换器与FPGA开发板中，模拟信号通过模数转换器转换成数字信号后，输入到数字模块中，再通过自然开关面的控制方法输出四个开关管的控制信号返回到四开关升降压变换器。本发明能实现对四开关升降压变换器的高动态控制。
-
公开(公告)号：CN116705609B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202210181654.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H10D30/01 , H10D30/65 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN118900017A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410944411.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于多相Buck变换器的双环路高动态控制方法，通过选用合适的环路控制模式并对其中电路进行优化以适应工作场景，并结合相位交错并联工作模式以及分离开关功率器件，最终实现大负载供电，高动态的情况下具有较高的效率以及良好的芯片工作性能，以解决输出电压的精度低和稳定性差的技术问题。本发明所采用的多相电路可有效地消除低频扰动，引入多相并联结构后，工作时，其存在输出纹波消除的占空比，在这个占空比下，输出电容上流过的动态电流在相位与相位间转移，而没有在输出电容上流过，因为输出电压表现为没有纹波的状态，提高了功率容量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
1090
records
(took 0.031 seconds)
