公开(公告)号：CN115863342A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211122880.0

申请日：2022-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 ,  金珍圭 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  金载哲 ,  李相勋

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一器件区和第二器件区；有源区，在衬底上彼此间隔开，该有源区具有恒定的宽度并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸，并且该有源区包括：设置在第一器件区上的第一有源区和第二有源区；以及设置在第二器件区上的第三有源区和第四有源区；多个沟道层，设置在有源区上并被配置为在垂直于衬底的上表面的方向上彼此间隔开；栅结构，设置在衬底上并延伸以与有源区和多个沟道层交叉；以及源/漏区，在栅结构的至少一侧设置在有源区上。

公开(公告)号：CN114361271A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202110242570.1

申请日：2021-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴昌泳 ,  李相勋

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/105 ,  H01L27/144 ,  H01L31/18

Abstract: 一种光检测器件，包括：光吸收层，被配置为吸收从可见光到短波红外(SWIR)的波长范围内的光；第一半导体层，设置在光吸收层的第一表面上；抗反射层，设置在第一半导体层上，并且包括相对于第一半导体层具有蚀刻选择性的材料；以及第二半导体层，设置在光吸收层的第二表面上，第一半导体层具有小于500nm的厚度，以被配置为允许在从可见光到SWIR的波长范围内的光透射通过。

公开(公告)号：CN107077464B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201580055978.0

申请日：2015-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： S.查克拉达尔 ,  李相勋

IPC: G06F40/289 ,  G06F40/30 ,  G10L15/26

Abstract: 提供一种操作电子设备的方法，该方法包括：由包括显示器和语音接收设备的电子设备通过语音接收设备接收话音元素的序列；由电子设备在显示器上显示基于话音元素当中的第一话音元素的至少一部分的第一信息；以及由电子设备在显示器上显示不同于第一信息并且基于话音元素当中相比于第一话音元素更晚接收的第二话音元素的至少一部分的第二信息。

公开(公告)号：CN105632491B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201510757071.0

申请日：2015-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰珍 ,  李相勋 ,  撒布霍吉特·查克拉达尔

IPC: G10L15/20

Abstract: 公开了一种用于语音识别的方法和电子装置。语音识别方法包括：使用低功耗模式在第一处理器中识别通过麦克风输入的语音信号；如果识别的语音信号是先前设置的关键字，则进入第二处理器的激活状态并在第二处理器中执行语音记录；如果在语音记录期间确定语音输入结束，则在第二处理器中执行语音识别。

公开(公告)号：CN110931430A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910534783.4

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昶佑 ,  姜明吉 ,  裴金钟 ,  裴东一 ,  梁正吉 ,  李相勋

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括：第一布线图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第二布线图案，在所述第一布线图案上。第二布线图案可以与第一布线图案间隔开并沿第一方向延伸。半导体器件还可以包括：第一栅极结构，至少部分地围绕所述第一布线图案和所述第二布线图案；第二栅极结构，沿第一方向与所述第一栅极结构间隔开；第一源/漏区，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；第一间隔部，在所述第一源/漏区的底表面和所述衬底之间；第一源/漏接触，在所述第一源/漏区上；以及第二间隔部，在所述第一源/漏接触和所述第一栅极结构之间。

公开(公告)号：CN105280803B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201510289055.3

申请日：2015-05-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 白承铉 ,  徐大宇 ,  李东穆 ,  李相勋

IPC: H01L35/24 ,  H01L35/00

Abstract: 本发明公开能伸长的热电材料、热电器件、能穿戴的电子设备、和电子设备。所述能伸长的热电材料包括能伸长的聚合物、以及与所述能伸长的聚合物混合在一起的热电结构体和导电材料。所述热电材料可应用于自发电的能穿戴的电子设备。

公开(公告)号：CN110729209A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910617940.8

申请日：2019-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相勋 ,  申志源 ,  白亨吉 ,  郭旻根 ,  李种昊

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了用于接合半导体封装的方法、接合头以及半导体封装件，所述方法包括：将半导体芯片装载在衬底上，并通过使用接合工具将半导体芯片接合到衬底，所述接合工具包括用于按压半导体芯片的按压表面以及从按压表面的一侧延伸的倾斜表面。将半导体芯片接合到衬底包括：通过按压接合工具使设置在衬底和半导体芯片之间的接合剂变形，并且使接合剂变形包括：通过将接合剂的一部分突出超过半导体芯片来生成圆角，并以圆角的顶表面沿着所述倾斜表面生长的方式生长圆角。

公开(公告)号：CN106016932B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201610200798.3

申请日：2016-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相勋 ,  朴相珉 ,  尹富根

IPC: F25D23/12 ,  F25D29/00

Abstract: 本公开涉及一种电冰箱及其控制方法。该电冰箱包括：分配器通道；水供应器，用于供应消毒水或漂洗水到分配器通道；排水管，用于排出供应到分配器通道的消毒水或漂洗水；以及控制器，用于进行消毒循环并在完成消毒循环之后控制水供应器和排水管以进行漂洗循环，其中消毒循环是将消毒水保持在分配器通道中然后排出消毒水的循环，漂洗循环是供应漂洗水到分配器通道并从其排出漂洗水的循环。

公开(公告)号：CN110071174A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201811207725.2

申请日：2018-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石城大 ,  李相勋 ,  益冈完明 ,  吴汉洙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件及制造其的方法，该半导体器件包括：成对的配线图案，其被构造为在第一方向上延伸并形成在衬底上以在第二方向上彼此间隔开，该成对的配线图案在第二方向上最靠近彼此地设置；栅电极，其被构造为在衬底上沿第二方向延伸，栅电极被构造为围绕配线图案；以及第一隔离层，其被构造为沿第一方向在衬底与栅电极之间延伸，并且被形成为在第二方向上彼此间隔开，第一隔离层在垂直于第一方向和第二个方向的第三方向上重叠该成对的配线图案。

公开(公告)号：CN102751180B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110309006.3

申请日：2011-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周浩 ,  崔濬熙 ,  李相勋 ,  宋美贞

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L41/113 ,  H01L41/311 ,  H01L41/319 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/24 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/319

Abstract: 一种制造氮化镓(GaN)薄层的方法、利用该方法制造的GaN膜结构以及包括该GaN膜结构的半导体器件，其中高品质的GaN层可以通过该方法采用悬置在基板上方的电极层而生长在大面积基板上。该方法包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成电极层；在电极层上形成第二缓冲层；部分地蚀刻牺牲层，从而形成配置为支撑第一缓冲层的至少两个支撑件并且形成在基板与第一缓冲层之间的至少一个空腔；以及在第二缓冲层上形成GaN薄层。