公开(公告)号：CN1138300C

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN99127448.2

申请日：1999-12-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 道格拉斯·A·布查南 ,  马修·W·克博 ,  帕特里克·R·瓦卡浦

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 制作半导体器件中的氮氧化物栅介质的方法。在硅表面上制作氮氧化物层，用含有氧和至少一种卤化物的气体混合物再氧化，获得具有可控氮分布的氮氧化物层和下方的基本上是二氧化硅的层。可以借助于使硅表面与至少一种含有氮和氧的气体或气体混合物在不低于500℃的温度下相接触，或借助于化学汽相淀积技术，来制作氮氧化物膜层。可以借助于在含有氧和卤化物的氧化的卤化气氛中的热处理工艺，来执行再氧化工序。

公开(公告)号：CN1459126A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN01815753.X

申请日：2001-09-19

Applicant: 马特森技术公司

Inventor： 萨吉·利维 ,  罗宾·S·布卢姆 ,  阿瓦沙伊·凯普坦

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/0214 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/345 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种在诸如半导体片等基材上沉积高介电常数介质膜的方法。在一个实施方案中，该方法涉及在基材上形成氮化物层。在可供选择的实施方案中，本发明涉及在半导体晶片(wafer)上形成金属氧化物或硅酸盐。当形成金属氧化物或硅酸盐时，首先在基材上沉积钝化层。

公开(公告)号：CN1448995A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN02108497.1

申请日：2002-04-01

Applicant: 矽统科技股份有限公司

Inventor： 李世达

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/285 ,  H01L21/469

Abstract: 本发明提供一种在具有金属图案的半导体基底形成堆叠式介电层的方法，包括下列步骤：在上述半导体基底表面形成第一介电层；以及在上述第一介电层上方形成第二介电层，以构成一复合介电层，其中上述第二介电层的介电常数(k)大于上述第一介电层的介电常数(k)，上述第二介电层的硬度大于上述第一介电层的硬度，并且上述第二介电层的厚度小于上述第一介电层的厚度。最好是重复第一介电层、第二介电层的堆叠2－3次。根据本发明的方法，能够避免在介电层中产生出气现象与破裂，并且，当内连导线间的电容必须缩小时，能够符合需求。

公开(公告)号：CN1372303A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02104751.0

申请日：2002-02-10

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： K·M·穆凯 ,  S·察恩狄岚

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/3185 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法,包括,在基材上形成在包含氮的第一介电层和包含磷的第二介电层之间具有隔绝层的聚集体,并在形成该聚集体之后,热处理该基材。本发明公开了包括基材和在该基材上形成的聚集体的装置,该聚集体包括在包含氮的第一介电层和包含磷的第二介电层之间的隔绝层。

公开(公告)号：CN119486222A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411525608.6

申请日：2024-10-30

Applicant: 湖北九峰山实验室

Inventor： 吴阳阳 ,  郭飞 ,  王宽 ,  袁俊 ,  成志杰 ,  陈伟

IPC: H10D62/10 ,  H01L21/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/425 ,  H01L21/465 ,  H01L21/469

Abstract: 本发明公开一种半导体器件终端结构及其制作工艺，所述半导体器件终端结构设置在N‑P‑N型掺杂的宽禁带半导体外延片中；本结构通过离子注入或外延+离子注入的方式在P型掺杂埋层中设置N型掺杂电场截止区和N型掺杂电荷补偿区，所述N型掺杂电场截止区最深处超过P型掺杂埋层并深入N型掺杂漂移区。本结构可以通过调整不少于一个N型掺杂电荷补偿区间隔、体积，掺杂的方式实现从主结区到终端区方向上、切割道区域到终端区方向上，P型掺杂埋层等效受主杂质原子量逐渐降低的效果，最终起到降低主结区的曲率效应，缓解主结附近电场集中问题，避免功率器件主结提前发生击穿的问题。

公开(公告)号：CN108352356B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN201680065302.4

申请日：2016-10-07

Applicant: 赫普塔冈微光有限公司

Inventor： 泰沙诺维奇·博扬 ,  尼古拉·斯普林 ,  西蒙·古布斯尔 ,  罗伯特·莱纳特 ,  马里奥·切萨纳

IPC: H01L21/76 ,  H05K3/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L27/14

Abstract: 模制电路基底包括由绝缘侧壁包围的导电层。所述绝缘侧壁还提供用于其中结合有所述模制电路基底的电子模块的结构部件。因此，所述模制电路基底可以允许具有更好的性能、减小电子模块厚度并降低制造成本。用于制造模制电路基底的方法可以促进对绝缘侧壁、绝缘分隔件、电触点以及其他部件的精确定位。

公开(公告)号：CN101490825B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780026288.8

申请日：2007-07-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超

IPC: H01L21/469 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76835

Abstract: 一种通过利用多相光致抗蚀剂材料在电介质层内提供气隙而具有改善的性能和电容的互连结构。互连特征嵌入在电介质层中，该电介质层在围绕互连特征的部分中具有柱形气隙结构。互连特征也可以嵌入在具有产生不同介电常数的两相或更多相的电介质层中。该互连结构与现有的后段处理兼容。

公开(公告)号：CN101523585B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200780037939.3

申请日：2007-10-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C-c·杨 ,  H·S·杨 ,  K·K·H·沃恩格 ,  M·G·法奥奎

IPC: H01L21/469

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体互连结构，该互连结构在帽层(61)、底层电介质层(12)和扩散阻挡层(31)的界面处具有改进的机械强度。该互连结构具有嵌入在该帽层材料(61)中的扩散阻挡材料(31)的一部分(41)。该阻挡(31)可以部分或者完全嵌入在该帽层(61)中。

公开(公告)号：CN101454886B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200780020053.8

申请日：2007-05-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： J·C·芒罗 ,  S·D·耐马尼

IPC: H01L21/469

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3105

Abstract: 描述制造一个氧化硅层于一基板上的方法。该些方法包括在一反应腔内形成该氧化硅层于该基板上，而此过程藉由使一氧原子前体与一硅前体进行反应，并沉积反应产物于该基板上。该氧原子前体产生于该反应腔外。该些方法亦包括在约600℃或更低的温度下加热该氧化硅层，然后将该氧化硅暴露在一感应耦合等离子体下。额外的方法描述如下，该沉积的氧化硅层藉由将其暴露在紫外光下而硬化，且亦将该层暴露在一感应耦合等离子体下。

公开(公告)号：CN1759135B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200480006418.8

申请日：2004-04-16

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 崔范圭 ,  高敏镇 ,  金秉鲁 ,  文明善 ,  姜晶元 ,  南惠映 ,  姜贵权

IPC: C08G77/12 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/3122 ,  C08G77/12 ,  C08G77/50 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明涉及一种有机硅氧烷树脂和使用该有机硅氧烷树脂的绝缘膜。该绝缘膜是通过使用有机硅氧烷树脂而被制备，其中，有机硅氧烷树脂为含有一种或多种氢化硅烷化合物的硅烷复合物的水解-缩合聚合物。本发明的有机硅氧烷树脂和使用该树脂的绝缘膜具有优良的机械特性和低介电特性，并且因此，适合用于高度集成的半导体设备。