公开(公告)号：CN102804359B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN200980159805.8

申请日：2009-06-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其在同一半导体基板内形成有IGBT元件区、二极管元件区、被设置于IGBT元件区与二极管元件区之间的边界区，在IGBT元件区中的第一导电型的第一体区内设置有第二导电型的载流子累积区。在边界区中，于第一导电型的第二扩散区内，设置有延伸至与载流子累积区相接为止的第二导电型的第三扩散区。由此，能够在IGBT工作时，对载流子穿过边界区而向二极管元件区移动的情况进行抑制，从而降低通态电压。而且，能够在二极管反向恢复时，对载流子在边界区的漂移区中累积的情况进行抑制，从而降低反向恢复电流。

公开(公告)号：CN103811486A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310553012.2

申请日：2013-11-08

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 蔡·伊安·吉尔 ,  洪章洙 ,  詹柔英 ,  威廉·G·柯登

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H02H9/044 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0664

Abstract: 提供了保护装置结构和相关的制作方法。示例保护装置包括第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管、第一齐纳二极管、第二齐纳二极管。所述第一双极结型晶体管的集电极电耦合。所述第一齐纳二极管的阴极耦合于所述第一双极结型晶体管的集电极以及所述第一齐纳二极管的阳极耦合于所述第一双极结型晶体管的基极。所述第二齐纳二极管的阴极耦合于所述第二双极结型晶体管的集电极以及所述第二齐纳二极管的阳极耦合于所述第二双极结型晶体管的基极。在示例实施例中，所述第一双极结型晶体管的基极和发射极在第一接口处耦合以及所述第二双极结型晶体管的基极和发射极在第二接口处耦合。

公开(公告)号：CN103489863A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310046641.6

申请日：2013-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  张胜杰 ,  洪照俊 ,  陈重辉

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/861

Abstract: 通过利用鳍式场效应晶体管(FinFET)形成工艺中的各个工艺步骤，在包括FinFET的IC器件中形成二极管和双极结型晶体管(BJT)。二极管或BJT包括隔离鳍区域和鳍阵列区域，具有不同深度的n阱和位于鳍阵列区域的一部分中并围绕隔离鳍区域中的n阱的p阱。与FinFET的n阱和p阱一起注入二极管和BJT的n阱和p阱。本发明提供了采用鳍式场效应晶体管工艺的同质结二极管结构。

公开(公告)号：CN102804359A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200980159805.8

申请日：2009-06-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其在同一半导体基板内形成有IGBT元件区、二极管元件区、被设置于IGBT元件区与二极管元件区之间的边界区，在IGBT元件区中的第一导电型的第一体区内设置有第二导电型的载流子累积区。在边界区中，于第一导电型的第二扩散区内，设置有延伸至与载流子累积区相接为止的第二导电型的第三扩散区。由此，能够在IGBT工作时，对载流子穿过边界区而向二极管元件区移动的情况进行抑制，从而降低通态电压。而且，能够在二极管反向恢复时，对载流子在边界区的漂移区中累积的情况进行抑制，从而降低反向恢复电流。

公开(公告)号：CN102714217A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080060476.4

申请日：2010-01-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 白石正树 ,  森睦宏 ,  铃木弘 ,  渡边聪

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明提供半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置，具体而言，提供可抑制在短路时流动的过电流且低损失、低噪音(低电位变位、低电流振动)的、元件的耐破损量高的IGBT。一种隧道型的IGBT，具备配置成宽窄两种间隔的多个隧道栅极，在以窄间隔配置的所述隧道栅极彼此间具有带有第一导电型的沟道的MOS结构，在以宽间隔配置的所述隧道栅极彼此间具备通过隔着第二导电型的第三半导体层的一部而与所述隧道栅极分离的第一导电型的浮动半导体层。另外，该浮动半导体层隔着绝缘膜配置在对应于与发射电极同电位的第一导电体层的位置上并且平行地配置。根据以上结构，能够缓和所述隧道栅极的角部的电场集中而提高耐压，并且可实现低噪音、低损失。

公开(公告)号：CN102414817A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200980159079.X

申请日：2009-09-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备形成有二极管区和IGBT区的半导体基板。在二极管漂移区内形成有寿命控制区。二极管漂移区和IGBT漂移区在二极管区和IGBT区之间的边界区内连续。边界区内形成有第1分离区和第2分离区。第1分离区为p型，且被形成在从半导体基板的上表面起到比阳极区的下端以及体区的下端更深的深度为止的范围内，并与阳极区相接。第2分离区为p型，且被形成在从半导体基板的上表面起到比阳极区的下端以及体区的下端更深的深度为止的范围内，并与体区相接，且与第1分离区分离。

公开(公告)号：CN102034817A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010254534.9

申请日：2010-08-11

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 森睦宏

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。现有技术存在的问题是，电力变换装置中使用的使用现有的pn结的续流二极管，由于将使用寿命控制得较短，因此正向电压大且导通损耗大。另外，在反向恢复时反向恢复电流大且开关损耗大，电力变换装置的损耗大。本发明在正向电流流动时，使电流在正向电压小的pn二极管中流动，而在反向恢复时在反向恢复电流小的肖特基二极管中进行反向恢复。另外，本发明具有pn二极管与肖特基二极管的切换单元。由于降低了续流二极管的正向电压并且减小了反向恢复损耗，因此可以提供损耗小的半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。

公开(公告)号：CN101322248B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780000474.4

申请日：2007-03-20

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 户仓规仁 ,  都筑幸夫 ,  河野宪司

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/861

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底；IGBT单元；以及二极管单元。所述衬底包括第一表面上的第一层、相邻地设置在衬底的第二表面上的第二和第三层、以及夹在第一层与第二和第三层之间的第四层。第一层提供IGBT单元和二极管单元的漂移层。第二层提供IGBT单元的集电极层。第三层提供二极管单元的一个电极连接层。第一层的电阻率ρ1和厚度L1、第四层的电阻率ρ2和厚度L2、以及衬底平面上的第二层的最小宽度的一半W2具有如下关系：(ρ1/ρ2)×(L1.L2/W22)＜1.6。

公开(公告)号：CN101454906A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780018999.0

申请日：2007-04-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩井誉贵

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/14 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/10

Abstract: 一种光学半导体器件，其被提供有低浓度p型硅衬底(1)、低杂质浓度n型外延层(第二外延层)(26)、p型低杂质浓度阳极层(27)、高浓度n型阴极接触层(9)、由阳极层(27)和阴极接触层(9)构成的光电二极管(2)和形成在n型外延层(26)上的NPN晶体管(3)。通过使阳极层(27)的杂质浓度的峰值接近硅衬底(1)与n型外延层(26)之间的界面，阳极可以被基本完全耗尽。因此，可以获得高速度和高光接收灵敏度的特征，并且通过抑制来自埋层周边的自动掺杂的影响而在阳极中稳定地形成耗尽层。这样，对于短波长光具有高速度和高光接收灵敏度的光电二极管以及高速晶体管可以被混合安装在同一半导体衬底上。

公开(公告)号：CN1961412A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580017592.7

申请日：2005-03-30

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 黑田尚孝 ,  田能村昌宏 ,  黑泽直人

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/737 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L23/367 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/66318 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种具有足够高的散热性能，同时抑制芯片面积增加的半导体器件。在半导体器件(1)中，在半导体衬底(10)上一维交替地布置多个HBT(20)和多个二极管(30)。二极管(30)的阳极电极(36)通过公共发射极布线(42)连接到HBT(20)的发射电极(27)。二极管(30)用作从发射电极(27)将通过公共发射极布线(42)传输的热量散逸到半导体衬底(10)的散热装置，并且用作HBT(20)的发射极和集电极之间并联连接的保护二极管。