公开(公告)号：CN1961412B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580017592.7

申请日：2005-03-30

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 黑田尚孝 ,  田能村昌宏 ,  黑泽直人

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/737 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L23/367 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/66318 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种具有足够高的散热性能，同时抑制芯片面积增加的半导体器件。在半导体器件(1)中，在半导体衬底(10)上一维交替地布置多个HBT(20)和多个二极管(30)。二极管(30)的阳极电极(36)通过公共发射极布线(42)连接到HBT(20)的发射电极(27)。二极管(30)用作从发射电极(27)将通过公共发射极布线(42)传输的热量散逸到半导体衬底(10)的散热装置，并且用作HBT(20)的发射极和集电极之间并联连接的保护二极管。

公开(公告)号：CN1961412A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580017592.7

申请日：2005-03-30

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 黑田尚孝 ,  田能村昌宏 ,  黑泽直人

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/737 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L23/367 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/66318 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种具有足够高的散热性能，同时抑制芯片面积增加的半导体器件。在半导体器件(1)中，在半导体衬底(10)上一维交替地布置多个HBT(20)和多个二极管(30)。二极管(30)的阳极电极(36)通过公共发射极布线(42)连接到HBT(20)的发射电极(27)。二极管(30)用作从发射电极(27)将通过公共发射极布线(42)传输的热量散逸到半导体衬底(10)的散热装置，并且用作HBT(20)的发射极和集电极之间并联连接的保护二极管。

公开(公告)号：CN102208376B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110133105.0

申请日：2007-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  田能村昌宏 ,  宫本广信

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。

公开(公告)号：CN101536182A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040960.9

申请日：2007-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  田能村昌宏 ,  宫本广信

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。

公开(公告)号：CN101390201A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200680053382.8

申请日：2006-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 井上隆 ,  中山达峰 ,  安藤裕二 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  宫本广信 ,  山之口胜己 ,  黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  冈本康宏

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种第III族氮化物型场效应晶体管，该场效应晶体管通过在缓冲层中传导残余载流子而降低漏电流分量，并且实现了击穿电压的提高，且提高了沟道的载流子限制效应(载流子限制)以改善夹断特性(以抑制短沟道效应)。例如，在将本发明应用于GaN型场效应晶体管时，除了沟道层的GaN外，还将铝组分向顶部逐渐或阶梯式降低的组分－调制的(组分－梯度)AlGaN层用作缓冲层(异质缓冲)。对于将要制备的FET的栅极长度Lg，选择电子供应层和沟道层的层厚度之和a，以满足Lg/a≥5，并且在这样的情况下，在不超过在沟道层中室温下积累的二维电子气的德布罗意波长的5倍(约500)的范围内选择沟道层的层厚度。

公开(公告)号：CN102208376A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110133105.0

申请日：2007-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  田能村昌宏 ,  宫本广信

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。

公开(公告)号：CN101416290B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200780012035.5

申请日：2007-03-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/812 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 公开了一种HJFET？110，其包括：由InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NS×η×t[cm-2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。

公开(公告)号：CN101416290A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780012035.5

申请日：2007-03-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/812 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 公开了一种HJFET 110，其包括：由InyGa1－yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1－xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NA×η×t[cm－2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。

公开(公告)号：CN1378238A

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN02107886.6

申请日：2002-03-26

Applicant: 日立电线株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 柴田真佐知 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 在初始基片上沉积一层金属膜,初始基片可以是单晶蓝宝石基片、带有生长在蓝宝石基片上的单晶GaN膜的基片或单晶半导体基片中的任何一种。然后在金属膜上沉积一层GaN膜以形成层状基片。由于采用了以上这种结构,在生长了GaN膜之后,GaN膜可以很容易地和初始基片分开,并且,能够用简单的方式生产出来低缺陷浓度和没有被杂质严重污染的GaN晶体基片。

公开(公告)号：CN101536182B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200780040960.9

申请日：2007-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  田能村昌宏 ,  宫本广信

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。