公开(公告)号：CN104737285B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201380051012.0

申请日：2013-09-25

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 彼得·法尔沃 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  里什·高尔丁 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B28D5/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7813

摘要： 本发明提供了一种用于切割具有背衬金属的基材的方法，所述方法包括下列步骤。所述基材提供有第一表面和第二表面，其中所述第二表面与所述第一表面相对。在所述基材的第一表面上提供掩模层，并在所述基材的第二表面上提供薄膜层。经过所述掩模层切割所述基材的第一表面，以暴露出所述基材的第二表面上的所述薄膜层。在通过所述切割步骤已暴露出所述薄膜层后，将来自于流体射流的流体施加到所述基材的第二表面上的所述薄膜层。

公开(公告)号：CN106935596A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710098365.6

申请日：2017-02-22

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 王选芸

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1262

摘要： 本发明公开了一种柔性基板的制备方法，包括：在玻璃基板上形成柔性基底；将所述柔性基底与所述玻璃基板相剥离；将所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上；在所述柔性基底上完成剩余基板制程；沿预定轨迹对所述柔性基底进行切割，以获得所述柔性基板；其中，所述预定轨迹位于由所述边缘围成的区域的内部。该方法能够有效地释放掉柔性基底成膜制程中所产生的薄膜应力，使得制成的柔性基板不会产生翘曲，增强了柔性基板以及相应的柔性器件的可靠性。

公开(公告)号：CN106887407A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710020205.X

申请日：2017-01-11

申请人： 瑞声科技(南京)有限公司

发明人： 谢再锋

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/003 ,  H01L21/7813 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开一种柔性电子器件的制造方法。包括如下步骤：提供刚性衬底，在所述刚性衬底上依次制作形成光响应离型层、牺牲层及柔性衬底本体；在所述柔性衬底本体上依次形成的电子器件制作显示单元及封装薄膜；对所述光响应离型层一侧施加紫外光，使所述光响应离型层发生分子构型转化而产生翘曲；将已产生翘曲的所述光响应离型层从所述刚性衬底剥离，与所述刚性衬底分离的部分光响应离型层、牺牲层、柔性衬底本体、电子器件以及封装薄膜共同形成所述柔性电子器件。本发明提供的柔性电子器件的制造方法，具有剥离无损伤的特点，能提高电子器件的性能。本发明还提供一种由该制造方法制造得到的柔性电子器件。

公开(公告)号：CN106409669A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610824797.6

申请日：2016-07-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： W·莱纳特 ,  R·鲁普 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/78 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/861 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L23/13

摘要： 本发明涉及形成晶片结构的方法、形成半导体器件的方法和晶片结构。提供一种生产半导体器件和晶片结构的方法。该方法包括：将包括碳化硅的施主晶片(10)附着到包括石墨的载体晶片(20)；沿着内部剥离层(13)分离施主晶片(20)的分离层(1)；在分离层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)，同时留下附着到分离层(1)的载体晶片(20)的剩余部分(20’)以形成被部分支撑的晶片(100，200)；以及进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)。(10)，使得形成包括碳化硅且附着到载体晶片

公开(公告)号：CN105765710A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064193.5

申请日：2014-11-25

申请人： 小利兰·斯坦福大学托管委员会

发明人： G·J·海耶斯 ,  B·M·克莱门斯

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L21/268 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/7806 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 此文献提供了用于外延剥离的新途径。代替使用被选择性地化学蚀刻掉的牺牲层，该牺牲层选择性地吸收没有被该结构的其他部分吸收的光。在此类光足够强的照射下，该牺牲层被机械地削弱、熔化、和/或破坏，由此实现外延剥离。有待释放的半导体区域的周界是通过侧向图案化来(部分地或完全地)限定的，并且有待释放的部分在激光辐射之前还附着至支撑构件上。最终结果是半导体区域从其基底上去除并且附着至该支撑构件上。

公开(公告)号：CN105633003A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610052378.5

申请日：2016-01-26

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张雨 ,  黄华

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/78 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L21/76251 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/7813 ,  H01L27/12

摘要： 本发明实施例提供了一种显示基板及其形成方法、载体基板、显示装置，涉及显示技术领域，通过该形成方法，可以很容易地将载体基板从显示基板上剥离。一种显示基板的形成方法，提供载体基板，所述载体基板的表面上形成有凹槽；在所述载体基板的凹槽内设置第一反应物；将所述载体基板设置有所述第一反应物的一侧表面与所述显示基板的第一衬底贴合在一起；在所述第一衬底之上形成显示用层结构；向所述载体基板中设置有所述第一反应物的所述凹槽注入液态的第二反应物，以使得所述第一反应物和所述第二反应物发生化学反应并生成产物，所述产物不具有粘性；剥离所述载体基板。本发明适用于显示基板的形成。

公开(公告)号：CN105609600A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610171120.7

申请日：2016-03-24

申请人： 湘能华磊光电股份有限公司

发明人： 刘为刚 ,  曾莹

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  B23K26/00 ,  B23K26/36

CPC分类号： H01L33/005 ,  B23K26/00 ,  B23K26/36 ,  H01L21/7813

摘要： 本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底的回收方法，该图形化蓝宝石衬底的回收方法包括以下步骤：将带隙能量为3.9～5.9eV的激光从图形化蓝宝石衬底背面射入至外延层，使得图形化蓝宝石衬底从外延层上剥离，外延层包括氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层的带隙能量为3.2～3.4ev，图形化蓝宝石衬底的带隙能量为8.7～8.9eV。激光穿过图形化蓝宝石衬底到氮化镓缓冲层，带隙能量为3.2～3.4ev氮化镓缓冲层强烈吸收带隙能量3.9～5.9eV的激光能量，并产生一个局部爆炸冲击波，使得氮化镓缓冲层与图形化蓝宝石衬底分离，图形化蓝宝石衬底从外延层上剥离。该方法可快速去除图形化蓝宝石衬底上的外延层，而且不会损伤图形化蓝宝石衬底上的图形阵列。

公开(公告)号：CN105552017A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201511000525.6

申请日：2015-12-28

申请人： 深圳先进技术研究院

发明人： 孙蓉 ,  张国平 ,  邓立波 ,  刘强 ,  方浩明

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  B32B43/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B32B43/006 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/7813

摘要： 本发明涉及一种用于临时键合的载片结构，其包括器件晶圆和玻璃载片，所述玻璃载片设有若干穿孔，所述器件晶圆与玻璃载片之间设有由临时键合胶固化而成的键合层。本载片结构结构简单，仅在玻璃载片上开设若干穿孔，即可实现解键的可靠性和低成本。另外，本载片结构的解键合方法无需借助特殊设备，且操作简单、易操作；此外，本载片结构的解键合方法能保证解键合的可靠性，并能降低破片的风险，同时降低经济成本。

公开(公告)号：CN102782818B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180007613.2

申请日：2011-01-27

申请人： 耶鲁大学

发明人： 荣格·韩 ,  孙乾 ,  张宇

IPC分类号： H01L21/326

CPC分类号： C25F3/12 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  C30B33/10 ,  G02B1/02 ,  G02B1/118 ,  G02B5/1861 ,  G02B6/29356 ,  G02B6/29358 ,  G02B2207/107 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/30635 ,  H01L21/326 ,  H01L21/7813 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  Y02E60/366 ,  Y10T428/24997

摘要： 本发明涉及在大面积(>1cm2)上以受控孔直径、孔密度和孔隙率生成NP氮化镓(GaN)的方法。本发明还揭示基于多孔GaN生成新颖光电子装置的方法。另外揭示一种用以分离并产生独立式结晶GaN薄层的层转移方案，所述方案使得涉及衬底再循环的新装置制造模式成为可能。本发明揭示的其它实施例涉及基于GaN的纳米晶体的制造和NP GaN电极在电解、水分解或光合过程应用中的使用。

公开(公告)号：CN105261578A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510406254.8

申请日：2015-07-10

申请人： 旭硝子株式会社

发明人： 伊藤泰则 ,  宇津木洋 ,  滝内圭

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  B65H41/00

CPC分类号： H01L21/67092 ,  B65H41/00 ,  H01L21/7813

摘要： 本发明提供层叠体的剥离装置和剥离方法及电子器件的制造方法。本发明涉及的层叠体的剥离装置具有：剥离刀，对于以能够剥离的方式粘贴有第1基板和第2基板的矩形的层叠体，通过将该剥离刀的刀口自设于所述层叠体的角部的切角部向所述第1基板与所述第2基板之间的界面插入预定量，从而在所述界面制作剥离开始部；以及剥离部，其以所述剥离开始部为起点依次在所述界面对所述层叠体进行剥离，所述剥离刀的所述刀口在与所述切角部的两端的钝角角部中的一钝角角部以点接触的方式接触之后插入所述界面。