公开(公告)号：CN112534567A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201980036984.X

申请日：2019-03-27

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 鲁塞尔·韦斯特曼 ,  马尔科·诺塔里安尼 ,  莱斯利·迈克尔·莱亚

IPC分类号： H01L21/78

摘要： 本发明提供了一种在复合膜上切割衬底的方法。该方法包括提供具有支撑膜、框架和衬底的工件。衬底具有顶表面和底表面。衬底的顶表面具有至少一个管芯区域和至少一个切割道区域。复合膜附着到衬底并且附着到支撑膜。从所述至少一个切割道区域中去除衬底材料，以暴露复合膜的一部分。从所述至少一个切割道区域中去除所暴露的复合膜。对复合膜的暴露部分的第一组分进行等离子体蚀刻。通过对复合膜施加力，来去除复合膜的第二组分。

公开(公告)号：CN105047599B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201510187545.2

申请日：2012-03-12

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  戈登·格里夫纳

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供升降机构；在所述处理室内提供工件支架，所述工件支架具有静电吸盘，所述静电吸盘具有外径，所述静电吸盘的所述外径延伸到所述升降机构；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件放置到所述处理室内的所述升降机构上；通过所述等离子源产生等离子；使用所产生的等离子来蚀刻所述工件；以及，在所述蚀刻步骤期间，使用所述静电吸盘来静电吸附所述支撑膜的一部分。另外，还提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。

公开(公告)号：CN105308726A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480006389.9

申请日：2014-02-12

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 里什·高尔丁 ,  克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  戈登·M·格里夫纳

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68327

摘要： 本发明提供一种用于对衬底进行等离子体切片的方法，所述方法包括：提供具有壁的处理室；邻近所述处理室的壁提供等离子体源；在所述处理室内提供工件支撑件；将工件放置到所述工件支撑件上，所述工件具有支撑膜、框架和衬底；将所述工件装载到所述工件支撑件上；将张力施加到所述支撑膜；将所述工件夹持到所述工件支撑件；使用所述等离子体源产生等离子体；以及使用所产生的等离子体来蚀刻所述工件。

公开(公告)号：CN104979265A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510187553.7

申请日：2012-03-12

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  戈登·格里夫纳

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法，包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源，该等离子源在所述处理室中产生等离子；在所述处理室内提供工件支架；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；在工件支架内提供升降机构；使用所述升降机构将工件放置到工件支架上，所述升降机构接触工件的与所述框架重叠的部分；在等离子源与工件之间提供导电屏蔽网，该导电屏蔽网减少了所述基板上的离子轰击，该导电屏蔽网减少了所述基板的加热；通过所述等离子源产生等离子；以及，在所述导电屏蔽网位于等离子源下方且所述导电屏蔽网位于工件上方的情况下，通过从所述等离子源产生的等离子来蚀刻所述工件。

公开(公告)号：CN104737285A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380051012.0

申请日：2013-09-25

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 彼得·法尔沃 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  里什·高尔丁 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B28D5/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7813

摘要： 本发明提供了一种用于切割具有背衬金属的基材的方法，所述方法包括下列步骤。所述基材提供有第一表面和第二表面，其中所述第二表面与所述第一表面相对。在所述基材的第一表面上提供掩模层，并在所述基材的第二表面上提供薄膜层。经过所述掩模层切割所述基材的第一表面，以暴露出所述基材的第二表面上的所述薄膜层。在通过所述切割步骤已暴露出所述薄膜层后，将来自于流体射流的流体施加到所述基材的第二表面上的所述薄膜层。

公开(公告)号：CN112534567B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN201980036984.X

申请日：2019-03-27

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 鲁塞尔·韦斯特曼 ,  马尔科·诺塔里安尼 ,  莱斯利·迈克尔·莱亚

IPC分类号： H01L21/78

摘要： 本发明提供了一种在复合膜上切割衬底的方法。该方法包括提供具有支撑膜、框架和衬底的工件。衬底具有顶表面和底表面。衬底的顶表面具有至少一个管芯区域和至少一个切割道区域。复合膜附着到衬底并且附着到支撑膜。从所述至少一个切割道区域中去除衬底材料，以暴露复合膜的一部分。从所述至少一个切割道区域中去除所暴露的复合膜。对复合膜的暴露部分的第一组分进行等离子体蚀刻。通过对复合膜施加力，来去除复合膜的第二组分。

公开(公告)号：CN112424927A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980036877.7

申请日：2019-03-27

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 马尔科·诺塔里安尼 ,  莱斯利·迈克尔·莱亚 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01L21/78

摘要： 本发明涉及一种在复合膜上切割衬底的方法。提供了一种具有支撑膜、框架和衬底的工件。所述衬底具有顶表面和底表面。所述衬底的顶表面具有至少一个管芯区域和至少一个切割道区域。所述复合膜介于所述衬底和所述支撑膜之间。使用衬底蚀刻处理从所述至少一个切割道区域蚀刻衬底材料，以露出复合膜的一部分。使用第一蚀刻处理蚀刻所述复合膜的第一组分。使用第二蚀刻处理等离子体蚀刻所述复合膜的露出部分的第二组分。

公开(公告)号：CN104810274B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201510186312.0

申请日：2012-03-12

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  戈登·格里夫纳

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供转移臂；提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；在所述工件支架内提供升降机构；将基板放置到所述框架上的支撑膜上以形成工件；使用所述转移臂将工件转移至处理室中并放到所述升降机构上，所述升降机构接触所述工件的框架，所述升降机构不接触所述工件的基板；通过所述等离子源产生等离子；以及，通过所产生的等离子蚀刻所述工件。

公开(公告)号：CN105190862A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480012801.8

申请日：2014-03-03

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  戈登·M·格里夫纳

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/6831 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供了一种用于对衬底进行等离子切片的方法。该方法包括：提供具有壁的处理室；邻近处理室的所述壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将衬底放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将工件装载到工件支撑件上；提供夹持电极以用于将工件静电夹持到工件支撑件；提供在等离子体源和工件之间的机械隔板；通过等离子体源来产生等离子体；以及，通过所产生的等离子体来蚀刻工件。

公开(公告)号：CN106068548B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201580012477.4

申请日：2015-01-02

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 里什·高尔丁 ,  德瓦拉卡纳特·吉尔普拉姆 ,  肯·麦肯齐 ,  蒂埃里·拉泽兰德 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  林内尔·马丁内斯 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  戈登·M·格里夫纳 ,  杰森·道布

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供一种用于对衬底进行等离子体切片的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；邻近于处理室的壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将衬底放置在载体支撑件上以形成工件；提供置于衬底与框架之间的中间环；将工件装载到工件支撑件上；通过等离子体源来产生等离子体；以及通过所产生的等离子体来蚀刻工件。