公开(公告)号：CN101136438A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710142239.2

申请日：2007-08-31

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 宫入秀和

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/04 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0884 ,  B23K2101/006 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种通过激光晶化法使晶界在一个方向上一致的晶态半导体膜及其制造方法。当通过利用线状激光使形成在衬底上的半导体膜晶化时，使用凹凸被形成为条形的相移掩模。形成在相移掩模上的条形凹凸与线状激光的长轴方向形成近似于垂直的角度地被形成。使用连续振荡激光作为激光，并且该激光的扫描方向与条形凹凸(槽)的方向大体上平行。通过在长轴方向上周期性地改变激光的亮度，可以控制完全熔化的半导体膜的结晶核生成位置。

公开(公告)号：CN100347835C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200410091294.X

申请日：2004-12-01

申请人： 株式会社日立显示器

发明人： 本乡干雄 ,  矢崎秋夫 ,  波多野睦子 ,  野田刚史 ,  高崎幸男

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  H01L21/20 ,  B23K26/00

CPC分类号： H01L21/02691 ,  B23K26/0738 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

摘要： 在用光束整形器把由调制器调制过的激光整形成细长形的光束时，使光束整形器整形为细长形的光束沿扫描方向的尺寸为2～10μm、2～4μm更好，扫描速度为300～1000mm/s、500～1000mm/s更好，从而使激光能源利用效率高，而且能够不易对硅薄膜产生损伤。这样，就能够以高产量在扫描照射激光的基板上的规定区域内得到横方向生长结晶(带状结晶)的区域。

公开(公告)号：CN1332236C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410054974.4

申请日：2002-06-14

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 田中幸一郎

IPC分类号： G02B27/10 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC分类号： G02B27/0927 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0738 ,  B23K2101/40 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0052 ,  G02B27/09 ,  G02B27/0961 ,  G02B27/0966 ,  G02B27/0977 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/78681 ,  H01S5/005 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4025

摘要： 当激光振荡器的输出变得更高，发展用于半导体膜激光退火工艺的更长的线形光束变成必要的。然而，如果线形光束的长度是300-1000mm或更长，那么用于形成线形光束的光学系统的光路长度变得非常长，从而增加了其占地面积尺寸。本发明缩短了光路长度。为了使光学系统的光路长度尽可能地短，并只增加线形光束的长度，可以在线形光束纵向上给半导体膜曲率。

公开(公告)号：CN1307695C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN02105132.1

申请日：2002-02-22

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  高野圭惠

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02686 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026

摘要： 提供了一种执行激光辐照的方法作为使半导体膜结晶的方法。但若激光被辐照到半导体膜，则半导体膜同时被熔化并局部膨胀。衬底与半导体膜之间的温度梯度是陡峭的，在半导体膜中可能出现畸变。这样，在某些情况下，得到的结晶半导体膜的薄膜质量就会降低。利用本发明，借助于在用激光执行半导体膜的晶化之后，用热处理工艺对半导体膜进行加热，降低了半导体膜的畸变。比之激光辐照造成的局部加热，此热处理工艺在整个衬底和半导体膜上进行。因此，有可能降低形成在半导体膜中的畸变，从而提高半导体膜的物理性质。

公开(公告)号：CN1934682A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009439.X

申请日：2005-03-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  H01L27/1285

摘要： 本发明的目的是提供一种激光辐照方法和激光辐照装置，该方法和装置通过阻挡线形光束的低强度部分，用强度更均匀的线形光束来照射某一受辐照表面，同时不会在该受辐照表面上形成因衍射而导致的条纹。在该激光辐照过程中，从激光振荡器101中发出的激光束穿过狭缝102以便阻挡该激光束的低强度部分，镜子103使该激光束的前进方向发生改变，并且凸柱面透镜104将在该狭缝处形成的像投影到受辐照表面106上。

公开(公告)号：CN1302156C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN03800437.2

申请日：2003-03-21

申请人： 西门子公司

发明人： 托马斯·贝克 ,  乔格·博斯坦乔格洛 ,  奈杰尔-菲利普·考克斯 ,  罗尔夫·威尔肯霍纳

IPC分类号： C30B13/00 ,  C30B11/00 ,  C30B13/24 ,  C30B29/52

CPC分类号： B23K15/0093 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/32 ,  B23K26/342 ,  B23K2101/001 ,  B23K2103/02 ,  B23K2103/26 ,  B23K2103/50 ,  C30B11/00 ,  C30B13/00 ,  C30B13/24 ,  C30B29/52 ,  Y10S117/904 ,  Y10S117/905

摘要： 本发明公开了一种在基板上制造单晶结构的方法。按照现有技术的结晶外延生长，常常需要在一个平面内产生多条行进轨迹，以修复一个待修复区域。这会导致晶体结构的搭接和错误定向。在本发明的方法中，该轨迹是如此之宽，从而不会出现搭接，因为其宽度与待修复区域的外形相适配。

公开(公告)号：CN1886872A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035031.5

申请日：2004-11-12

申请人： TCZ股份有限公司

发明人： 威廉·N·帕特罗 ,  帕拉什·P·达斯 ,  拉塞尔·赫迪玛 ,  迈克尔·托马斯

IPC分类号： H01S3/22

CPC分类号： B23K26/0738 ,  B23K26/0732

摘要： 公开了一种气体放电激光结晶化设备和方法，用来完成工件的膜中的晶体结构或取向的转换，其可以包括以主振荡器功率放大器MOPA或功率振荡器功率放大器配置的XeF激光系统，所述激光系统以高重复率和高功率产生具有脉冲对脉冲剂量控制的激光输出光脉冲光束；从所述激光输出光脉冲光束产生长而薄的脉冲工作光束的光学系统。所述设备还可以包括被配置为POPA激光系统的激光系统，并且进一步包括：用来将来自第一激光PO单元的第一输出激光光脉冲光束引导进入第二激光PA单元的传递光学装置；以及，定时和控制模块，用来将第一和第二激光单元中的气体放电的产生定时在正或负3ns内，以生成作为第一激光输出光脉冲光束的放大的第二激光输出光脉冲光束。所述系统可以包括在振荡器激光单元中的发散控制器。发散控制器可以包括非稳定谐振器结构。所述系统还可以包括介于所述激光器和所述工件之间的光束指向控制机构，以及介于所述激光器和所述工件之间的光束定位控制机构。光束参数计量可以为所述光束指向控制机构提供主动反馈控制，并且可以为所述光束定位控制机构提供主动反馈控制。

公开(公告)号：CN1886228A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035030.0

申请日：2004-11-12

申请人： TCZ股份有限公司

发明人： 威廉·N·帕特罗 ,  帕拉什·P·达斯 ,  拉塞尔·赫迪玛 ,  迈克尔·托马斯

IPC分类号： B23K26/00

CPC分类号： B23K26/0738 ,  B23K26/0732

摘要： 公开了一种高能量、高重复率的工件表面加热方法和设备，所述工件表面加热方法和设备可以包括：脉冲XeF激光器，所述脉冲XeF激光器工作在4000Hz或高于4000Hz并在大约351nm的中心波长处产生激光输出光脉冲光束；光学系统，所述光学系统将所述激光输出光脉冲光束窄化为在所述激光输出光脉冲光束的短轴方向上小于20μm，并将所述激光输出光脉冲光束扩展，以在所述光束的长轴方向上形成覆盖所述长轴范围的工件；所述光学系统包括介于所述激光器和所述工件之间的场阑；所述工件包括要被加热的层；其中所述光学系统以足够维持如下的强度分布的放大率将所述激光输出光脉冲光束聚焦在场阑处，即所述强度分布具有足够陡的侧面，以允许场阑在工件上维持足够陡的光束分布而不会在太高的强度水平2上阻挡光束分布。所述设备还包括当所述激光输出光脉冲光束传输到所述工件时所述激光输出光脉冲光束中的高平均功率以及短轴光学组件中的线弓形校正机构。所述线弓形校正机构包括多个弱交叉柱体。所述系统可以包括折反射投影系统。由于激光衍射和发散，所述线宽小于几何限制。所述系统可以投影标称XeF光谱的相邻峰，以通过每个各自的相邻峰的分离的中心波长来提高总体焦深，所述相邻峰在所述工件上具有不同的焦平面。所述系统可以包括在场阑光学组件内和工件投影光学组件内的线弓形校正机构，所述场阑光学组件内的线弓形校正机构在所述场阑平面上校正线弓形，所述工件投影光学组件内的线弓形校正机构在所述工件平面上校正线弓形。

公开(公告)号：CN1280880C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN02143428.X

申请日：2002-09-25

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC分类号： H01L21/324 ,  G02F1/35

CPC分类号： H01L21/02675 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/352 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/268 ,  H01L21/283 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/14625

摘要： 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN1734335A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510079644.5

申请日：2005-06-23

申请人： LG.菲利浦LCD株式会社

发明人： 俞载成

IPC分类号： G02F1/1368

CPC分类号： H01L21/02691 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686

摘要： 公开了一种可控制开口的宽度和长度的用于硅层结晶的可变掩膜器件，和一种使用所述可变掩膜器件对硅进行结晶的方法。所述可变掩膜器件具有框架，该框架带有开口，该开口的宽度由X方向调节器控制，而长度由Y方向调节器控制。提供其上形成多个液晶显示板的基板。激光束通过开口排列，并且利用该激光束照射形成在基板上的硅层，由此对该硅层进行结晶。该基板以扫描距离在X方向上移动，并且照射该基板，直到整个基板被全部结晶。