激光薄膜多晶硅退火系统

    公开(公告)号:CN1886872A

    公开(公告)日:2006-12-27

    申请号:CN200480035031.5

    申请日:2004-11-12

    IPC分类号: H01S3/22

    CPC分类号: B23K26/0738 B23K26/0732

    摘要: 公开了一种气体放电激光结晶化设备和方法,用来完成工件的膜中的晶体结构或取向的转换,其可以包括以主振荡器功率放大器MOPA或功率振荡器功率放大器配置的XeF激光系统,所述激光系统以高重复率和高功率产生具有脉冲对脉冲剂量控制的激光输出光脉冲光束;从所述激光输出光脉冲光束产生长而薄的脉冲工作光束的光学系统。所述设备还可以包括被配置为POPA激光系统的激光系统,并且进一步包括:用来将来自第一激光PO单元的第一输出激光光脉冲光束引导进入第二激光PA单元的传递光学装置;以及,定时和控制模块,用来将第一和第二激光单元中的气体放电的产生定时在正或负3ns内,以生成作为第一激光输出光脉冲光束的放大的第二激光输出光脉冲光束。所述系统可以包括在振荡器激光单元中的发散控制器。发散控制器可以包括非稳定谐振器结构。所述系统还可以包括介于所述激光器和所述工件之间的光束指向控制机构,以及介于所述激光器和所述工件之间的光束定位控制机构。光束参数计量可以为所述光束指向控制机构提供主动反馈控制,并且可以为所述光束定位控制机构提供主动反馈控制。

    激光薄膜多晶硅退火光学系统

    公开(公告)号:CN1886228A

    公开(公告)日:2006-12-27

    申请号:CN200480035030.0

    申请日:2004-11-12

    IPC分类号: B23K26/00

    CPC分类号: B23K26/0738 B23K26/0732

    摘要: 公开了一种高能量、高重复率的工件表面加热方法和设备,所述工件表面加热方法和设备可以包括:脉冲XeF激光器,所述脉冲XeF激光器工作在4000Hz或高于4000Hz并在大约351nm的中心波长处产生激光输出光脉冲光束;光学系统,所述光学系统将所述激光输出光脉冲光束窄化为在所述激光输出光脉冲光束的短轴方向上小于20μm,并将所述激光输出光脉冲光束扩展,以在所述光束的长轴方向上形成覆盖所述长轴范围的工件;所述光学系统包括介于所述激光器和所述工件之间的场阑;所述工件包括要被加热的层;其中所述光学系统以足够维持如下的强度分布的放大率将所述激光输出光脉冲光束聚焦在场阑处,即所述强度分布具有足够陡的侧面,以允许场阑在工件上维持足够陡的光束分布而不会在太高的强度水平2上阻挡光束分布。所述设备还包括当所述激光输出光脉冲光束传输到所述工件时所述激光输出光脉冲光束中的高平均功率以及短轴光学组件中的线弓形校正机构。所述线弓形校正机构包括多个弱交叉柱体。所述系统可以包括折反射投影系统。由于激光衍射和发散,所述线宽小于几何限制。所述系统可以投影标称XeF光谱的相邻峰,以通过每个各自的相邻峰的分离的中心波长来提高总体焦深,所述相邻峰在所述工件上具有不同的焦平面。所述系统可以包括在场阑光学组件内和工件投影光学组件内的线弓形校正机构,所述场阑光学组件内的线弓形校正机构在所述场阑平面上校正线弓形,所述工件投影光学组件内的线弓形校正机构在所述工件平面上校正线弓形。