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公开(公告)号：CN113623609B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110760154.0
申请日：2021-07-06
IPC: F21S41/16 , F21S41/25 , F21S41/32 , F21S41/37 , G01B11/14 , G01B17/00 , G01J3/46 , G01N21/64 , G01V8/10 , F21W102/13 , F21W107/10
Abstract: 本发明涉及一种基于激光白光的一体式汽车远光灯，包括蓝色激光器、第一凹透镜、曲面反射罩、第一探测器、第二探测器、凸透镜、分布式布拉格反射镜、荧光层和第二凹透镜；所述蓝色激光器固定在曲面反射罩内侧；所述第一凹透镜固定在曲面反射罩内侧；所述曲面反射罩底部与第一探测器及第二探测器分别连接；所述凸透镜、分布式布拉格反射镜、荧光层、第二凹透镜依次平行固定于第一、第二探测器之间。本发明具有光束射程长、环保性好、功耗低、结构简单、成本低、色温和出射光束方向可调等特点，并且附带了防激光泄漏和障碍物检测及报警两个功能。
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公开(公告)号：CN112904622B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110108678.1
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向方法。该方法包括：将待配向基板装载在装载平台上；其中，待配向基板包括三组不同配向角的配向区，待配向基板的每个显示像素包括三个不同配向角的配向区；调整掩膜版，以使掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区；维持掩膜版与待配向基板相对位置不变，打开光源模组并产生入射方向不同的三组三畴配向光源，使三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区投射到不同组别的配向区。本发明不仅解决了三畴光配向过程中对位问题，保证了配向的精准度，也可以提高配向效率。
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公开(公告)号：CN111798764B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010535535.4
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED像素单元结构及显示器件，μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元，每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片，以形成至少mi个μLED发光体；μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au‑In键合、非Au‑In互连或Au‑In键合和非Au‑In互连复合的方式互连。本发明可以有效降低μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，并提高μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN114464641A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210092018.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种超高分辨率Nano‑LED发光显示阵列，包括采用多量子阱纳米点阵作为发光层，P接触电极通过图形化覆盖N（N≥1）个多量子阱纳米点阵；还涉及相应的制备方法，包括：依次在衬底上生长N‑GaN层、多量子阱层；采用选区离子注入法形成多量子阱点阵；继续生长P‑GaN层；使用另一种离子提高隔离区域P型GaN的电阻率，沉积导热层阵列；接着制作P接触电极阵列、N接触电极形成最后的超高分辨率Nano‑LED发光显示阵列。本发明简化了制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应，极大程度上实现器件发光单元之间的电学隔离。
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公开(公告)号：CN114334640A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111522470.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H01L21/306 , H01L21/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203867A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111217006.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提出一种电场调控型发光三极管器件及其制备方法，其P型氮化镓层和三层N型氮化镓层、量子阱层、沟道层构成的功能层除位于最下层的第三N型氮化镓层外的部分，生长在第三N型氮化镓层上的部分区域，构成中心功能层；漏极金属接触层设置在所述中心功能层的顶部，源极金属接触层直接设置在所述第三N型氮化镓层上，栅极金属层通过介质层环绕设置于所述中心功能层的周部。实现了氮化镓基蓝光LED和氮化镓基垂直型MOSFET的单片集成，能够通过调控栅极电压和漏极电压对LED发光进行调控，将电流调控的LED转为更便于调控的电压。同时，对制备工艺进行改进，避免刻蚀工艺对器件表面造成的损伤。
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公开(公告)号：CN112768621B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110106868.X
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明提出一种集成周期微凹面镜复合光提取结构，包括：周期排布在透明基板出光面上的微凹面镜、设置在每个所述微凹面镜侧面的纳米环、每个微凹面镜中心凹点的纳米柱、以及设置在透明基板侧面的反射层。上述结构用于减少表面的全反射，最大限度地使光出射至器件外,可明显提升光电器件光提取效率，并且在蓝光波段光提取效率提升非常明显。
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公开(公告)号：CN113870731A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111158419.6
申请日：2021-09-30
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提出一种2D3D可切换的Micro‑LED裸眼显示装置，所述显示装置显示面的像素点单元按M列×N行排列，每个像素点单元包含n个RGB像素组合体，且其中m个RGB像素组合体为2D显示像素，n‑m个RGB像素组合体为3D显示像素；显示装置的显示面处设有透镜阵列；所述透镜阵列与3D显示像素对齐，通过按所需方向折射3D显示像素显示光线来提供裸眼3D显示效果；所述显示装置包括可控制各个RGB像素组合体工况的驱动模块；当驱动模块使2D显示像素处于显示状态且3D显示像素处于非显示状态时，显示面工作于2D显示模式；当驱动模块使3D显示像素处于显示状态且2D显示像素处于非显示状态时，显示面工作于3D显示模式；本发明结合了Micro‑LED显示屏和透镜技术，能实现2D显示和裸眼3D显示。
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公开(公告)号：CN113623609A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110760154.0
申请日：2021-07-06
IPC: F21S41/16 , F21S41/25 , F21S41/32 , F21S41/37 , G01B11/14 , G01B17/00 , G01J3/46 , G01N21/64 , G01V8/10 , F21W102/13 , F21W107/10
Abstract: 本发明涉及一种基于激光白光的一体式汽车远光灯，包括蓝色激光器、第一凹透镜、曲面反射罩、第一探测器、第二探测器、凸透镜、分布式布拉格反射镜、荧光层和第二凹透镜；所述蓝色激光器固定在曲面反射罩内侧；所述第一凹透镜固定在曲面反射罩内侧；所述曲面反射罩底部与第一探测器及第二探测器分别连接；所述凸透镜、分布式布拉格反射镜、荧光层、第二凹透镜依次平行固定于第一、第二探测器之间。本发明具有光束射程长、环保性好、功耗低、结构简单、成本低、色温和出射光束方向可调等特点，并且附带了防激光泄漏和障碍物检测及报警两个功能。
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公开(公告)号：CN113589574A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110772647.6
申请日：2021-07-08
IPC: G02F1/1334 , G02F1/1335 , G02F1/13357 , G02F1/1343 , G02F1/137 , B60J1/00 , B60R1/00
Abstract: 本发明涉及一种全彩化车窗显示系统，包括三个叠层结构的子显示层，分别显示三基色图案。每个叠层包括：第一、第二平行基板、由第一、第二平行基板所夹的已像素化的聚合物分散液晶层、位于第一或第二平行基板边缘的LED灯条、灯条反射罩及与液晶层相连的TFT电极。三个子显示层依次上下叠加并使各层像素对齐形成全彩显示车窗，通过TFT电极独立控制每个像素从而显示彩色画面，乘客只需观看车窗上的信息即可获取所需车况等信息，提高观感的同时也可提高安全性；在侧边LED灯条被选择性点亮且电极供电时为透明状态或全彩状态；侧边LED灯条未被点亮且电极不供电时为半透明的散射态，能够阻挡外来太阳光等环境光，防止车内被窥视。
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