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公开(公告)号：CN117012876A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310896262.X
申请日：2023-07-20
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种仿螺腹足肌肉结构粘附的低密度Micro LED自键合结构，该自键合结构包括外部驱动基板，外部驱动基板上设置有若干电极，电极上设置有金属凸点，部分或全部相邻的电极之间设置有空腔，空腔上方设置有纳米团块颗粒。本发明自键合结构的空腔内形成负压，纳米团块颗粒与空腔形成的仿螺腹足肌肉结构导致外部驱动基板与Micro LED芯片阵列之间的摩擦力增大，从而固定Micro LED芯片阵列，避免错位。该自键合结构的仿螺腹足肌肉结构的尺寸、大小等可以根据需要来改变，适应不同的Micro LED自键合。
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公开(公告)号：CN115799243A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211569447.1
申请日：2022-12-08
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种高密度Micro‑LED阵列结构及其制备方法，包括驱动基板层，用于连接LED芯片层与驱动基板层的键合层，n层在垂直基板方向上堆叠的LED芯片层，用于连接n层芯片的键合层，n≥2。所述键合层由有机介质，多组金属墙结构和多个金属电极组成。有机介质实现芯片层与驱动基板层、不同芯片层之间的物理键合连接；芯片电极分别与金属电极电性连接，金属电极与金属墙电性连接，金属墙实现芯片之间、芯片与驱动电路之间的电性连接。该结构键合连接可靠，电性连接好，芯片制备过程可实现微纳米级高精度对位；金属墙可抑制光串扰，对出射光光形进行整形。
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公开(公告)号：CN111834388B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
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公开(公告)号：CN116344719A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310296474.4
申请日：2023-03-24
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种小出光角的Micro‑LED结构。所述Micro‑LED结构，包括Micro‑LED台面、光转向层、光聚集层；Micro‑LED台面结构主要包括N掺杂区、多量子阱层、P掺杂区等；光转向层结构包括：金属反射层、高折射率透明介质层、低折射率透明介质层；光聚集层结构包括：一维光子晶体、二维光子晶体。该结构主要优势在于，可减小Micro‑LED出光角度并增大出光面法向的光强，同时可抑制侧壁出光，使Micro‑LED更好地应用于近眼显示等领域。
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公开(公告)号：CN111834388A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119342962A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411368434.7
申请日：2024-09-29
Abstract: 本发明涉及一种无接触式MicroLED芯片巨量转移方法及系统，包括以下步骤：在石英玻璃表面旋涂一层光解粘弹性材料，固化后再于光解粘弹性材料表面旋涂一层具有粘性的柔性形变材料，再次进行固化后完成第一临时衬底的制备；通过激光转移设备扫描带有MicroLED芯片的蓝宝石衬底，使氮化镓分解产生气体，推动MicroLED芯片转移至第一临时衬底上；再次通过激光转移设备扫描第一临时衬底，激光使光解粘弹性材料光解气化推动具有粘性的柔性形变材料发生形变使MicroLED芯片转移至第二临时衬底；通过转移键合设备将第二临时衬底上的MicroLED芯片热压键合至带有金属凸点的薄膜晶体管基板上。
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公开(公告)号：CN118867086B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
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公开(公告)号：CN115663102A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210318911.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种高强度芯片键合结构，包括用于连接n层芯片的连接结构，n≥2，所述连接结构由多组金属墙和多个金属电极组成，一组金属墙由对应于n层芯片的n个金属墙键合连接得到，以实现芯片之间的键合连接；不同层的芯片上的电极分别与一个金属电极电性连接，两个金属电极同时与同一组金属墙电性连接，以经由金属墙实现芯片之间的电性连接。该结构键合连接可靠，电性连接好，且使用寿命长。
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公开(公告)号：CN114334640B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202111522470.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H01L21/306 , H01L21/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN118867086A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
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