公开(公告)号：CN119342962A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411368434.7

申请日：2024-09-29

Applicant: 闽都创新实验室 ,  福州大学

Inventor： 林畅 ,  林鑫 ,  郎太福 ,  谢宇婕 ,  黄啸伟 ,  黄忠航 ,  杨天溪 ,  张恺馨 ,  孙捷 ,  严群 ,  郭太良

IPC: H10H29/03 ,  H10H29/30

Abstract: 本发明涉及一种无接触式MicroLED芯片巨量转移方法及系统，包括以下步骤：在石英玻璃表面旋涂一层光解粘弹性材料，固化后再于光解粘弹性材料表面旋涂一层具有粘性的柔性形变材料，再次进行固化后完成第一临时衬底的制备；通过激光转移设备扫描带有MicroLED芯片的蓝宝石衬底，使氮化镓分解产生气体，推动MicroLED芯片转移至第一临时衬底上；再次通过激光转移设备扫描第一临时衬底，激光使光解粘弹性材料光解气化推动具有粘性的柔性形变材料发生形变使MicroLED芯片转移至第二临时衬底；通过转移键合设备将第二临时衬底上的MicroLED芯片热压键合至带有金属凸点的薄膜晶体管基板上。

公开(公告)号：CN118841360B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411334446.8

申请日：2024-09-24

Applicant: 闽都创新实验室 ,  福州大学

Inventor： 林畅 ,  黄啸伟 ,  郎太福 ,  唐学煌 ,  林鑫 ,  谢宇婕 ,  吴鑫 ,  王帅帅 ,  孙捷 ,  严群 ,  郭太良

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L33/48 ,  B05D7/00 ,  B05D1/38 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明涉及一种具备多层复合结构的平面转移印章及制备方法，平面转移印章包括基板和设置在基板上的吸附层，吸附层可吸附LED芯片，基板和吸附层之间设置有形变层，形变层在受力时可发生形变；基板和形变层之间还设置有粘附层，粘附层可粘附基板和形变层；形变层由硅油和高分子材料A组成，高分子材料A由聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、硅橡胶和环氧树脂中的一种或多种组成。本发明平面转移印章在受力时发生形变，保证印章与目标基板贴合。通过加热可以改变盖印章与芯片的黏性，避免粘力过小无法拾取芯片，粘力过大，无法将芯片留在目标基板上。

公开(公告)号：CN118841360A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202411334446.8

申请日：2024-09-24

Applicant: 闽都创新实验室 ,  福州大学

Inventor： 林畅 ,  黄啸伟 ,  郎太福 ,  唐学煌 ,  林鑫 ,  谢宇婕 ,  吴鑫 ,  王帅帅 ,  孙捷 ,  严群 ,  郭太良

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L33/48 ,  B05D7/00 ,  B05D1/38 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明涉及一种备多层复合结构的平面转移印章及制备方法，平面转移印章包括基板和设置在基板上的吸附层，吸附层可吸附LED芯片，基板和吸附层之间设置有形变层，形变层在受力时可发生形变；基板和形变层之间还设置有粘附层，粘附层可粘附基板和形变层；形变层由硅油和高分子材料A组成，高分子材料A由聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、硅橡胶和环氧树脂中的一种或多种组成。本发明平面转移印章在受力时发生形变，保证印章与目标基板贴合。通过加热可以改变盖印章与芯片的黏性，避免粘力过小无法拾取芯片，粘力过大，无法将芯片留在目标基板上。

公开(公告)号：CN117587511A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311598904.4

申请日：2023-11-28

Applicant: 福州大学 ,  福建阿石创新材料股份有限公司 ,  常州苏晶电子材料有限公司 ,  福建兆元光电有限公司

Inventor： 孙捷 ,  李洋 ,  张科 ,  谢宇婕 ,  潘魁 ,  侯庆龙 ,  郭太良

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C23C28/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C30B29/02 ,  C30B29/46 ,  C30B29/20 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开一种用于III族氮化物高质量外延生长的二维材料缓冲层。所述二维材料缓冲层包括石墨烯、二硫化钼等。所述二维材料缓冲层的生长可以直接在高温难熔金属衬底上进行，也可以在预溅射催化层，如铜（Cu）、镍（Ni）等的金属衬底上进行。进一步地可以在二维材料层上生长AlN缓冲层以提高与氮化物外延的晶格匹配率。层间弱键合二维缓冲层的引入保留了金属衬底与氮化物外延的热匹配并提高衬底晶格匹配率，从而降低氮化物外延层中的应力，有利于改善生长于该缓冲层上III族氮化物材料的热失配和晶格失配问题，提高晶体质量和性能。另外金属衬底尺寸不受限制，可极大提高晶圆的利用率。

公开(公告)号：CN117512511A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311633735.3

申请日：2023-12-01

Applicant: 福州大学 ,  福建阿石创新材料股份有限公司 ,  常州苏晶电子材料有限公司 ,  福建兆元光电有限公司

Inventor： 孙捷 ,  王学燕 ,  陈钦忠 ,  谢宇婕 ,  刘恒山 ,  潘魁 ,  鄢展圣

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种在难熔金属基底上生长AlN缓冲层的方法，常见的五种难熔金属有W、Mo、Nb、Ta、Re，这里以纯金属Mo为例。以金属Mo做基底，运用射频溅射技术，生长AlN缓冲层。此种方法具有以下优点：Mo具有优异的导电性、导热性和化学稳定性，做基底可使得制造的器件更加稳定可靠；成本低、易剥离、易清洗；射频溅射技术工艺简单，易操作等。旨在提供一种简单有效的方法，用于高质量的AlN缓冲层生长。