公开(公告)号：CN112782944A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202110106865.6

申请日：2021-01-27

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 周雄图 ,  叶金宇 ,  张永爱 ,  吴朝兴 ,  林坚普 ,  林志贤 ,  郭太良

IPC: G03F7/20 ,  G09F9/33 ,  G09F9/302 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED光刻工艺，包括以下步骤：步骤S101、在阵列基板受光面涂覆光刻胶；步骤S102、调整掩膜版，使所述掩膜版上的每个透光区的中心在所述阵列基板上的投影位于与该透光区相对应的所述显示像素的中心；其中，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离为第一距离；步骤S103、以四组光源通过掩膜版透光区对光刻胶曝光，每组光源对应一组相同颜色的所述子像素结构，每组所述光源的光照强度和光照时间使与不同颜色子像素结构对应的光刻胶部位所受光照存在差异；步骤S104、对阵列基板上的光刻胶溶解；步骤S105、烘干阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成深度不同的储液槽；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。

公开(公告)号：CN114464641A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210092018.3

申请日：2022-01-26

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 周雄图 ,  叶金宇 ,  张永爱 ,  吴朝兴 ,  郭太良 ,  孙捷 ,  严群

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种超高分辨率Nano‑LED发光显示阵列，包括采用多量子阱纳米点阵作为发光层，P接触电极通过图形化覆盖N（N≥1）个多量子阱纳米点阵；还涉及相应的制备方法，包括：依次在衬底上生长N‑GaN层、多量子阱层；采用选区离子注入法形成多量子阱点阵；继续生长P‑GaN层；使用另一种离子提高隔离区域P型GaN的电阻率，沉积导热层阵列；接着制作P接触电极阵列、N接触电极形成最后的超高分辨率Nano‑LED发光显示阵列。本发明简化了制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应，极大程度上实现器件发光单元之间的电学隔离。