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公开(公告)号：CN109273254A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811119674.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法，磁性薄膜技术领域。本发明采用磁控溅射法依次在基底上形成缓冲层、NiFe磁性薄膜和保护层层叠的多层膜结构，所述缓冲层的材料为TaNb合金；溅射完成后进行真空退火处理。本发明利用TaNb合金替代传统金属Ta作为缓冲层，通过改善磁层结构，为磁阻薄膜的生长提供良好的平整度，在常温下也可更好地诱导NiFe薄膜形成特定的(111)晶向的生长，从而提高了薄膜的AMR值，并且降低了薄膜的矫顽力，使得薄膜的灵敏度提高。因此本方法对于磁传感器器件性能的提高具有巨大的潜在价值。
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公开(公告)号：CN105137125B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201510543643.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本发明属于铁电或压电材料电畴测试技术领域，涉及利用逆压电效应实现电畴成像的双频多通道同步检测，该方法采用两台锁相放大器对待测样品面外和面内压电信号进行实时同步检测；其中，所述两台锁相环放大器的参考信号分别由两个独立的频率源提供，频率源同时还提供一个与参考信号相同的交流信号作为激励信号，两个频率源提供的激励信号经加法器叠加后作为交流激励电压加载于导电探针与待测样品之间。本发明通过一次扫描就能够检测出待测样品的面外和面内压电振动的幅度信号与相位信号，并以实时的方式多通道同步输出，大大的提高了检测效率；同时，本发明能够提高电畴成像的分辨率，有效提高检测准确度。
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公开(公告)号：CN108613761A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810391370.0
申请日：2018-04-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种柔性三维接触力传感器，属于传感器技术领域。包括依次设置的下封装层、4n个阵列排列的力传感单元、上封装层和力加载层，所述力传感单元包括力敏薄膜、位于力敏薄膜上表面的上电极层和位于力敏薄膜下表面的下电极层三层结构，n≥1且为正整数；其中，每个力传感单元的上电极和下电极分别通过引线引出连接外部采集系统，通过检测每个力传感单元中力敏薄膜的电阻变化，即可得到传感器的受力情况。本发明提供的柔性三维接触力传感器与传统的传感器相比，在满足柔性、小尺寸的前提下，在剪切力方向的测量范围更宽，测量精度高，可应用于机器人指尖、医疗末端力检测、人机交互等智能机电力检测设备及其他需要检测多维力的设备中。
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公开(公告)号：CN106011779B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610459139.1
申请日：2016-06-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/448 , C23C16/01 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种制备硫掺杂石墨烯薄膜方法，涉及新型二维纳米材料制备领域。本发明包括以下步骤：将金属衬底和噻蒽分别置于化学气相沉积系统反应腔室相互隔热的加热区；在真空条件下，向反应腔内通入混合气体；将金属衬底高温退火处理后保温于石墨烯薄膜的制备温度，然后加热噻蒽使其气化，并通过混合气体将噻蒽气体输送至金属衬底发生反应，最终在金属衬底上制备出硫掺杂石墨烯薄膜。本发明制备工艺简单、成本较低，可实现大规模工业生产，原料绿色环保无污染；本发明制得硫掺杂石墨烯薄膜层数、掺杂含量、面积可通过控制相关参数灵活调节，从而制备出具有不同性质的硫掺杂石墨烯薄膜，在基础科研领域和传感器等实际应用方面具有重要的价值。
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公开(公告)号：CN106098937B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610704333.1
申请日：2016-08-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法，属于电子薄膜与元器件技术领域。存储器件结构包括：基片、下电极、掺氟金属氧化物以及上电极。该器件利用一种较为新颖的等离子体处理方法，方便可控的制备出缺陷分布均匀的金属氧化物阻变功能层。该层在电场作用下能够方便快速的实现导电通道的形成和断开切换，即器件的低阻状态和高阻状态。同时，具有超低的工作电压。上电极通过掩膜的方法制备，可以极大地缩小器件尺寸，提高集成密度。经过测试发现，用此方法制备出的器件，性能优异。综上所述，在本发明中，我们实现了一种简单、可控、高效切低成本的制备高性能、小尺寸的阻变型存储器的方法。且性能一致性较好，为将来的大面积阻变阵列生产提供了一个可行方法，有极大地应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108196178A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711470872.4
申请日：2017-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于陷阱能级分布测量领域，提供一种表面陷阱能级分布测试装置及光电导分析方法，用以实现样品表面陷阱能级分布测量。本发明测试装置，包括真空恒温腔体、真空泵、温度控制系统、固体激光器、数字电压电流源表及计算机；通过数字电压电流源表在待测样品两端施加一个恒定的预设电压，测量得到暗电流；然后，开始光电导测试，测量得到光电衰减曲线；最后根据光电导衰减曲线计算样品表面陷阱能级分布。本发明中恒温腔体提供一个黑暗、恒温的真空环境，使整个测量过程中有效避免温度、气氛和外界光源的干扰，大大提高测量精度；同时采用亚禁带激光激发得到的光电导曲线，能够准确反应禁带内缺陷分布，排除本征缺陷的影响。
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公开(公告)号：CN105967155B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201610305774.4
申请日：2016-05-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明公开了二硒化钨纳米花的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括以下步骤：将H2SeO3溶解于有机溶剂中混合均匀，边搅拌边加入Na2WO4·2H2O制得混合溶液；将所得混合溶液转移到反应釜中，在温度范围为180℃～240℃的条件下反应12小时～48小时；待反应釜的温度自然冷却至室温后，通过抽滤收集黑色产物，并分别用去离子水和乙醇对产物进行洗涤，将其真空干燥后得到二硒化钨纳米花。本发明首次提出了一种通过溶剂热法一步合成二硒化钨纳米花的方法；本发明具有工艺简单、原料易得、成本低、反应条件温和等优点。
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公开(公告)号：CN107574415A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710703408.9
申请日：2017-08-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种金属基薄膜传感器用渐变过渡层及制备方法，属于薄膜传感器技术领域。包括三层结构，自下而上依次为NiCrAlY合金层、NiCrAlY合金和Al2O3梯度层、Al2O3层，其中，位于中间的NiCrAlY合金和Al2O3梯度层中，NiCrAlY合金沿薄膜生长方向浓度递减，Al2O3沿薄膜生长方向浓度递增。本发明渐变过渡层与现有的过渡层相比，热处理温度降低了200-400℃，热处理时间缩短了50％以上，大大减缓了镍基合金在高温处理时发生自扩散以及与NiCrAlY合金发生互扩散的速率和程度；同时，本发明的热处理气氛由传统的富氧环境变成了大气环境，这在一定程度上避免了镍基合金中元素的过度氧化。
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公开(公告)号：CN104862659B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510263433.0
申请日：2015-05-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及压电薄膜制造领域,尤其涉及一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法。本发明的沉积薄膜过程：首先向真空腔体内同时通入高纯氩气和高纯氮气，并使其中氮气的含量保持在20％～30％，待辉光稳定后开始溅射沉积氮化铝薄膜；然后以0.5sccm/min～4sccm/min的匀速在10～20分钟调节溅射腔体内氩气与氮气的比例，使氮气含量从先前20％～30％的含量增加到50％；最后不调整溅射功率，并在此气氛下溅射沉积氮化铝10分钟后关闭仪器，结束薄膜生长。本发明可以在制备出同时满足C轴择优取向生长，表面晶粒生长正常，晶粒尺寸均匀，表面平整，适合制作声表面波器件的高质量氮化铝压电薄膜。
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公开(公告)号：CN107142477A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710292784.3
申请日：2017-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于薄膜传感器技术领域，提供一种抗热冲击的高温复合绝缘层及其制备方法；该复合绝缘层包括两层结构，自下而上依次为Al2O3～Al‑O‑N梯度层及微晶Al2O3薄膜绝缘层；所述Al2O3～Al‑O‑N梯度层的底层为Al2O3层，顶层为非晶Al‑O‑N薄膜层，且沿薄膜生长方向、N元素含量递增。本发明复合薄膜绝缘层对异型精密构件平面、弯曲、翻折等不同部位均能形成均匀致密的覆盖，有效提高绝缘层的均匀性及高温绝缘性能，有效保证薄膜传感器在高温条件下的可靠性和稳定性；同时，采用溶液法制备，溶胶凝胶法能够轻松完成对较大工件的涂覆，利于实现批量的制备生产；并且溶胶凝胶法成本低廉，操作简易，这些因素使得本发明提供复合绝缘层具有更为广阔的应用前景。
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