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公开(公告)号：CN117833863A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410019052.7
申请日：2024-01-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及声表面波滤波器，具体涉及一种利用导线寄生参数的声表面波滤波器。本发明使用特殊图形化的寄生金属导线连接声表面波滤波器的结构组件(声表面波谐振器、金属电极)，在声表面波滤波器工作时，由于寄生金属导线产生的寄生所构成的寄生电容、寄生电感，满足优化声表面波滤波器的参数，因此等效于将电感和电容与结构组件(声表面波谐振器、金属电极)连接，从而在不增加芯片体积的情况下优化改变声表面波滤波器性能，利于集成。相对于现有技术在声表面波滤波器原有结构中额外加入匹配元器件的方法，具有更好的灵活性，提高了设计的自由度。
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公开(公告)号：CN114639635B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210266884.X
申请日：2022-03-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/78 , H01L21/265 , H03H3/02 , H03H3/08
Abstract: 本申请提供一种单晶薄膜的剥离方法、单晶薄膜以及电子元器件，用于解决现有技术中剥离时裂片的技术问题。其中的一种单晶薄膜剥离方法，包括：获取支撑衬底；获取离子注入后的薄膜晶圆，所述离子注入后的薄膜晶圆包括薄膜层、离子注入层以及余质层；对所述支撑衬底和所述离子注入后的薄膜晶圆进行处理，得到经处理的键合体；其中，所述经处理的键合体具有磁致伸缩特性；对所述经处理的键合体进行热处理，得到经热处理的键合体；其中，所述热处理的温度低于所述离子注入层完全气化并使所述离子注入后的薄膜晶圆剥离的临界温度；对所述经热处理的键合体施加磁场，使得所述经热处理的键合体产生应力，以使所述余质层从所述薄膜层剥离。
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公开(公告)号：CN115566052A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211404413.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/41 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 本申请涉及提供一种功率半导体器件、逆变器模组以及电子设备，用于解决现有技术中功率半导体器件制备成本高、导通电阻大的技术问题。该器件结构包括：衬底；下电极，设置在所述衬底上；半导体单晶种子层，设置在所述下电极层上；半导体外延层，设置在所述半导体单晶种子层上；功率器件主体功能层，设置在所述半导体外延层上；电极引出部，与所述下电极连接，以引出所述下电极。
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公开(公告)号：CN111933749B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010765348.5
申请日：2020-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , G01J5/35
Abstract: 本发明属于红外传感器的研究领域，涉及一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的制备方法。本发明选用NiCr合金作为上电极和吸收层时的同时，利用“单晶热释电薄膜与NiCr合金膜的刻蚀速率差异”将其作为刻蚀掩膜实现多元红外传感器件的制备。本方法仅需一次光刻即可完成多元器件的微细加工，减少单晶薄膜多元器件光刻次数，避免了多次光刻中光刻胶均匀性、对准精度控制等难题；单晶薄膜刻蚀完成后剩余的NiCr合金膜用作上电极和吸收层，无需去除；并且通过干法刻蚀使NiCr合金膜产生粗化效应，减少其对红外光的反射作用，提高NiCr合金膜对红外辐射的吸收，进而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN112987346B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110330085.X
申请日：2021-03-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学器件领域，具体为一种易于实现电光波速匹配的薄膜电光调制器及制备方法。通过在埋层上设有空腔，使得原本在无空腔的条件下，集中在埋层微波信号在引入空腔以后，大部分进入到空腔结构中传输，从而大大减小了微波有效折射率；使其易于实现电光波速匹配。即使在高于20GHz带宽时，依然能够实现良好的电光波速匹配，使其保持最佳调制效率。与现有技术相比，通信速率更快，且不会增加电极与光波导之间的距离，因此不会影响电光重叠积分，也不会导致半波电压的增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112953454B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110280164.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于单晶薄膜器件的设计与制备领域，具体涉及一种高频、低损耗的声表面波谐振器及其制备方法。本发明通过采用特殊切向的薄膜压电材料，激发出特定模态的高声速声表面波，实现了高机电耦合系数的同时，也提升了谐振频率；并配合双层的声反射结构，就有效的抑制高声速声表面波向体方向的泄露，将声表面波的能量限制在压电薄膜，提升了器件Q值。相较多层布拉格反射层的抑制能量泄露方式，本发明降低了反射层层数，既保证了反射层具有较好的质量，也避免了逐层生长薄膜质量差对谐振器产生的不良影响，同时降低了制备材料和/或工艺成本。
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公开(公告)号：CN110011632B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910187255.6
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H3/02 , H03H9/17 , H01L41/29 , H01L41/047
Abstract: 本发明涉及声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器；本发明的目的在于采用单晶薄膜空腔型体声波谐振器的制备方法，即通过在单晶薄膜层下表面制备覆盖整个单晶薄膜层下表面的具有导电和隔离作用的下电极的设计以解决现有的在键合过程中，键合层产生的气泡导致单晶薄膜层产生裂纹，使得单晶薄层膜翘起或凹陷甚至断裂，影响空腔型体声波谐振器整体性能的技术问题。
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公开(公告)号：CN111063800B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201911364219.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及离子刻蚀、氧气退火与忆阻器领域，尤其涉及一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法。本发明通过Ar+刻蚀技术轰击固体表面使表面原子溅射而被逐层剥离使LiNbO的厚度更进一步的降低，同时引入忆阻器所需的氧空位。代替现有技术采用真空退火工艺引入氧空位的手段，并同时降低阈值电压。并且通过氧气氛围下的退火以修复材料表面氧空位一类的缺陷，让引入的氧空位减少，调节材料表面氧空位浓度。最终本发明解决了单晶薄膜忆阻器阈值较高的问题，同时优化了器件的保持力和耐久力。
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公开(公告)号：CN109995341B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910187185.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种具有下电极保护层的空腔型体声波谐振器及其制备方法；本发明的目的在于提供一种具有下电极保护层的空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器，通过在下电极设置包裹下电极保护层的设计以解决现有的在而牺牲层的刻蚀剂会对下电极材料有刻蚀影响，进而使电极结构受到破坏，影响器件性能的技术问题。
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公开(公告)号：CN113162579A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110273851.3
申请日：2021-03-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于单晶薄膜器件的加工和声表面波器件领域，具体涉及一种固态反射型声表面波谐振器及其制备方法。本发明通过在反射层的至少一个低声阻抗反射层和高声阻抗反射层循环间设置至少一层多孔结构层，通过设置多孔结构层负荷电子，减小反射层间和流向基底的漏电流，并且能够起到对谐振能量有效反射的效果。最终通过反射层和其间的多孔结构层设计，本发明得到了强度高且性能优异的固态反射型声表面波谐振器；并且，制备的声表面波谐振器可以有效解决因为漏电流所导致的器件射频性能变差，难以实现宽带滤波的技术问题。
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