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公开(公告)号：CN104269403A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410564342.6
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/092
Abstract: 本发明公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN103955022A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410180732.3
申请日：2014-04-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明为一种楔型表面等离子体波导，包括低损耗金属材料制作的金属基底和其上的横截面为三角形的金属楔，金属楔的尖端附着介质层。介质层外部为真空包围。金属楔横截面的三角形的三个角均为锐角。介质层为二氧化硅或硅或氟化镁。介质层附着于金属楔两侧面、外表面为平面，由上至下逐渐减薄。等同条件的本发明与单楔型表面等离子体波导相比，有效提高了表面等离子体波的传播距离和有效模场面积之间的比值，最终品质因数提高了一个数量级；实现表面等离子体波导导光功能的同时，有效地减少信道间串扰，有利于光子电路的微型化和提高集成度；且本波导结构简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN120018769A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510168290.9
申请日：2025-02-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种氧化镓忆阻器及其制备方法，采用磁控溅射设备制备底电极和顶电极，采用激光脉冲沉积设备制备氧化镓阻变层。其中，底电极用于施加信号，氧化镓作为阻变层，对底电极和顶电极施加外加电场，在电流作用下阻变层可以转变为两种不同的阻值，通过氧化还原反应在阻变层内部形成导电细丝，进而使器件阻值发生变化，可模拟部分神经突触性能。本申请的制备方法简单，易于操作，且所制备的氧化镓忆阻器具有无电铸、可模拟神经突触性能等特点。
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公开(公告)号：CN119744114A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411865412.1
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件与工艺技术领域，具体涉及一种基于二维材料的异质结忆阻器及其制备方法，器件结构自下而上包括衬底、底电极层、金属封盖层、二维材料层、硅层、氧化物层和顶电极层。所述二维材料层直接原位生长在所述金属封盖层之上，与制备二维材料器件常用的转移法相比，避免了操作步骤繁琐和杂质污染问题，具有工艺简便性、通用性和高集成性。利用所述二维材料层、所述硅层与所述氧化物层所具有的不同离子迁移速率，引导导电细丝的形成和熔断都局域在二维材料层与硅层的界面附近，使得忆阻器具有优异的电学性能。此外，该器件还能有效模拟神经突触的特性，有助于实现开关速度快、高集成度、高稳定性和低功耗的人工突触器件。
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公开(公告)号：CN119253294A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410874207.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种基于叉指结构石墨烯宽带可调太赫兹吸波器。该吸波器由三层结构构成，自下而上分别是金属层、聚酰亚胺电介质层及叉指结构石墨烯层。通过优化扫描选出了具有最优尺寸的叉指结构，金属电极用于对石墨烯费米能级及弛豫时间统一调控，通过调节费米能级(0.6～1eV)，弛豫时间(0.1～0.3ps)，可以实现在宽带内(2.2～5.1THz)的动态调控。除此之外，该发明还具有易于制备、可与集成电路工艺相结合等优点。因此，该发明在太赫兹领域中，如成像、隐身和开关操作设备等方面，它都具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119088162A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411299050.4
申请日：2024-09-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/66
Abstract: 本发明公开一种数字辅助模拟的无片外电容LDO电路，该电路的模拟主环路包括误差放大器、缓冲级电路、模拟功率级电路和VG电压检测电路；数字辅助环路包括数字控制逻辑电路、环形振荡器电路和数字功率级电路。通过引入数字功率调整管，减小了模拟功率管栅极的寄生电容，让栅极极点位于高频，在此基础上加入超级源随器，将极点推向更高频，使得本发明具有较好的环路稳定性。在稳态下，将数字辅助环路禁用，模拟主环路可确保严格的调节、低静态电流以及输出端无开关噪声；在负载电流突变时，调用数字辅助环路中的环形振荡器产生时钟信号，改变数字功率管导通的个数，使得响应时间不受时钟周期的限制，在避免对外部时钟的依赖的同时，保证了电压精度、快速的瞬态响应，降低了电路的静态功耗。
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公开(公告)号：CN118981231A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410418188.5
申请日：2024-04-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种快速瞬态响应的无片外电容LDO电路，由跨导运算放大器、第二级放大器、下冲抑制电路和电压输出模块组成。该电路采用米勒电容补偿结构，在无片外电容的情况下，能很好的保持电路的稳定性；此外，本发明的LDO提出了一种下冲抑制结构，当输出从轻载向重载突变时，输出电压V0和跨导运算放大器的反馈电压VFB会出现下冲尖峰，下冲尖峰通过环路使得M20栅极电压产生一个向上跳变的电压，使得开关管M20打开，放电通路被导通，功率管MP栅极电压下降，为负载提供电流，输出电压VO恢复正常，该结构能显著减小下冲电压，提高LDO的瞬态响应性能。
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公开(公告)号：CN118659136A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410792738.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种Ni和Ge多层纳米环阵列结构的近红外吸波器，吸波器是由Ni和Ge多层纳米环阵列组成，这些纳米环周期性地排列在金衬底上，环与金属衬底之间有一层SiO2电介质。所提出的吸收器实现了对近红外光近乎完美的吸收，这归因于来自顶部纳米环的多种谐振模式的集成，包括电极性和磁极性。纳米环的组成、几何形状和排列显著影响该器件的吸收性能，具有较小的公差。通过不断优化结构，可以得到对300–2400nm波长的电磁波近乎完美吸收的吸波器，该吸波器在整个波段的平均吸收率超过95％。该吸波器浸没在水中部分，可以充当太阳能蒸发器，可能应用于太阳能产生、消毒和海水处理，从而生产淡水。未浸没在水中的部分，也可能充当太阳能发电装置。
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公开(公告)号：CN118377073A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410467490.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于MIM谐振结构的超宽带高吸收率太阳能吸收器，该吸收器结构以金属钨(W)为衬底，衬底上的多层堆叠圆盘分别由金属钛(Ti)、非晶体态的Ge2Sb2Te5(A‑GST)或砷化镓(GaAs)组成，形成了三层MIM连续层隙等离子体强谐振器。本发明在0.3～2.5μm的波长范围内，平均吸收率为97.48％，太阳能光谱加权吸收效率为98.02％；在0.3～4μm的整个工作波段内，平均吸收率为96.95％，太阳能光谱加权吸收效率为97.54％。吸收率大于95％的带宽为2.37μm，吸收率大于90％的带宽为3.57μm。因此实现了超宽带、高效的太阳能吸收。结构自身的对称性使其具备优良的偏振无关特性，在0.3～2.5μm的波长范围内，该结构还对入射角变化表现出稳定的响应。因此，该技术在太阳能收集与转换、光伏器件以及热发射器件等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN109059971B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201811114621.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明提出了一种三孔缝结构的传感器，利用此结构的三个偶极子谐振单元的明模式谐振与暗模式谐振的互作用，产生具有陡的非对称的响应谱线型，从而设计出具有法诺共振现象透射谱的三孔缝结构的传感器。在相同的开关对比度情况下，非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比由单一的谐振腔得到的对称的类洛仑兹线型的谱宽小，可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。通过调控结构的几何参数，透射谱中出现了法诺峰的不同程度的红移，可实现法诺谐振的调谐，由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能实现传感器中谐振频率频段的变化，即工作频段不限于THz频段，本传感器可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。
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