公开(公告)号：CN102903759A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210403155.0

申请日：2008-09-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  石塚章广

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/0058 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示了薄膜晶体管和显示设备的制造方法，并且提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，通过利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜晶体管中形成背沟道部，通过去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背沟道部的一部分，去掉残存于背沟道部上的蚀刻残渣等，由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背沟道部时，可以以无偏向的干法蚀刻来进行。

公开(公告)号：CN102157566A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110030644.1

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须沢英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，当形成接触孔时容易进行蚀刻控制。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

公开(公告)号：CN102136498A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010620963.3

申请日：2010-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明名称为“薄膜晶体管”。提供一种具有有利电特性和高生产率的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括覆盖栅电极的栅绝缘层、与栅绝缘层接触的半导体层、与部分半导体层接触并充当源区和漏区的杂质半导体层及与杂质半导体层接触的布线。半导体层包括具有凹凸形状且在栅绝缘层侧上形成的微晶半导体区和与微晶半导体区接触的非晶半导体区。在半导体层与布线之间提供势垒区。

公开(公告)号：CN102117837A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010624629.5

申请日：2010-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  田所麻美

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

Abstract: 提供一种具有有利电特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅电极；栅绝缘层；半导体层，它包括微晶半导体区和非晶半导体区；杂质半导体层；布线；第一氧化区，设置在微晶半导体区与布线之间；以及第二氧化区，设置在非晶半导体区与布线之间，其中，在从所述布线中包含的元素的分布与所述半导体层中包含的元素的分布的相交处的所述半导体层侧，与所述第一氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m1)相切的直线和与所述第二氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m2)相切的直线满足关系式1＜m1/m2＜10。

公开(公告)号：CN101276840B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810086794.2

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须沢英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供当形成接触孔时容易进行蚀刻控制的半导体装置的制造技术。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

公开(公告)号：CN101728277A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910207025.8

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤俊一 ,  细羽幸 ,  須沢英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  G03F1/00

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的一个目的在于以通过减少曝光掩模数量而简化光刻处理的方式制造成本低、生产率高的包括氧化物半导体的半导体器件。在包括沟道蚀刻反向交错薄膜晶体管的半导体器件的制造方法中，使用利用多色调掩模形成的掩模层蚀刻氧化物半导体膜和导电膜，多色调掩模是通过其光透射成具有多种光强的曝光掩模。在蚀刻步骤中，通过使用蚀刻气体的干蚀刻进行第一蚀刻步骤，通过使用蚀刻剂的湿蚀刻进行第二蚀刻步骤。

公开(公告)号：CN101276840A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086794.2

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须沢英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供当形成接触孔时容易进行蚀刻控制的半导体装置的制造技术。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

公开(公告)号：CN101197394A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710196482.2

申请日：2007-12-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  池田佳寿子 ,  笹川慎也 ,  须泽英臣

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置通过使用SOI衬底而制造，并且防止起因于设置为岛状的硅层的端部的缺陷且提高可靠性。该半导体装置具有如下结构：包括在支撑衬底上依次层合有绝缘层及岛状硅层的SOI衬底、设置在岛状硅层的一个表面上及侧面的栅绝缘层、以及中间夹着栅绝缘层而设置在岛状硅层上的栅电极。此时，对栅绝缘层来说，跟接触于岛状硅层的一个表面上的区域相比，接触于岛状硅层的侧面的区域的介电常数小。