公开(公告)号：CN102157566B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201110030644.1

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须沢英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，当形成接触孔时容易进行蚀刻控制。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

公开(公告)号：CN102157566A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110030644.1

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须沢英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，当形成接触孔时容易进行蚀刻控制。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

公开(公告)号：CN101276840B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810086794.2

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须沢英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供当形成接触孔时容易进行蚀刻控制的半导体装置的制造技术。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

公开(公告)号：CN101276840A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086794.2

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须沢英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供当形成接触孔时容易进行蚀刻控制的半导体装置的制造技术。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。