公开(公告)号：CN106409684B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201610981924.3

申请日：2010-06-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。

公开(公告)号：CN105914236B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201610232781.6

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：CN104124280B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201410347324.2

申请日：2010-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大原宏树 ,  佐佐木俊成

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN107123688A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710352139.6

申请日：2013-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN104185898B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201380017829.6

申请日：2013-03-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  佐佐木俊成 ,  横山周平 ,  羽持贵士

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L23/532 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/385 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜：将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。

公开(公告)号：CN106409684A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610981924.3

申请日：2010-06-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。

公开(公告)号：CN105914236A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610232781.6

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：CN105118856A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510621389.6

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸 ,  伊藤俊一 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及氧化物半导体、薄膜晶体管以及显示装置。一个目的是控制氧化物半导体的组分和缺陷。另一目的是增加薄膜晶体管的场效应迁移率以及获得足够的通断比并抑制关断电流。该氧化物半导体由InMO3(ZnO)n表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al中的一种或多种元素，以及n是大于或等于1且小于50的非整数)，并且还包含氢。在此情况下，Zn的浓度低于In和M的浓度(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al中的一种或多种元素)。此外，该氧化物半导体具有非晶结构。这里，n优选是大于或等于1且小于50的非整数，更优选小于10。

公开(公告)号：CN105097946A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510408060.1

申请日：2010-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在使用第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的叠层的底栅结构的薄膜晶体管中，在与栅极布线层重叠的一部分氧化物半导体层上形成与其接触的用作沟道保护层的氧化物绝缘层，并且在形成该绝缘层的相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的叠层的周缘部(包括侧表面)的氧化物绝缘层。

公开(公告)号：CN104091834A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410345770.X

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种发光显示装置，本发明的课题在于提供一种使用具有稳定的电特性的晶体管来进行稳定的工作的显示装置。当应用以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管来制造显示装置时，至少在应用于驱动电路的晶体管上进一步配置栅电极。当制造以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管时，对氧化物半导体层进行用来实现脱水化或脱氢化的加热处理，以减少存在于以上下接触的方式设置的栅极绝缘层及保护绝缘层与氧化物半导体层的界面的水分等杂质。