半导体装置的制造方法
    100.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103035582A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210356985.2

    申请日:2012-09-21

    Abstract: 本发明提供能够提高生产效率和半导体装置的制造设计的自由度的半导体装置的制造方法。本发明为具备半导体芯片的半导体装置的制造方法,其包括:准备在第1主面形成有导通构件的半导体芯片的工序;准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第1热固化型树脂层的支撑结构的工序;以所述第1热固化型树脂层和所述半导体芯片的第1主面对置的方式在所述第1热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序,以覆盖所述多个半导体芯片的方式在所述第1热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序;以及从所述支撑体侧照射放射线而使所述放射线固化型粘合剂层固化,由此在所述放射线固化型粘合剂层和所述第1热固化型树脂层之间进行剥离的工序。

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