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公开(公告)号：CN100530532C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710093621.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/511 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01J37/00
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。
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公开(公告)号：CN101495875A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028722.6
申请日：2007-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G01R29/08 , C23C16/511 , G01R21/04 , G01R27/06 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01P1/00 , H01P1/30 , H01P3/12 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/345 , C23C16/52 , G01R1/24 , H01J37/32211 , H05H1/46
Abstract: 检测对于使电磁波传播的波导管的长度方向的、构成波导管的管壁的至少一部分的导电性部件的温度分布，根据其温度分布，测量波导管内产生的驻波。对于波导管长度方向的导电性部件的温度分布能够由沿着波导管的长度方向排列了多个的温度传感器、沿着波导管的长度方向移动的温度传感器、或红外线照相机正确地测量。由此能够正确地测量作为为了掌握波导管内的管内波长λg等而作为指标的驻波。
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公开(公告)号：CN101425503A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810173026.0
申请日：2008-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C14/0641 , C23C14/345 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，可以抑制对层间绝缘膜的损伤，且通过溅射形成以钽为主要成分的阻挡膜。该制造方法具备在层间绝缘膜(113)上通过使用氙气的溅射，形成以钽或氮化钽为主要成分的阻挡膜(116)的溅射成膜工序。溅射成膜工序也可以具备：在层间绝缘膜(113)上，通过对基板施加RF偏压而进行的使用氙气的溅射来形成以氮化钽为主要成分的阻挡膜(116A)的工序；通过不施加RF偏压而进行的使用氙气的溅射，在阻挡膜(116A)上形成以钽为主要成分的阻挡膜(116B)的工序。阻挡膜(116)也可以通过使RF偏压连续地变化，在层间绝缘膜(113)一侧施加RF偏压来形成，在布线层(117)一侧不施加RF偏压来形成。
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公开(公告)号：CN101385396A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005507.4
申请日：2007-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H05B33/26 , H01L51/5221 , H05B33/22
Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该发光元件包括：第一电极；与上述第一电极相对的第二电极；和包括形成在上述第一电极与上述第二电极之间的发光层的有机层，其特征在于：上述第二电极包括形成在上述有机层上的保护该有机层的导电性的保护层、和形成在该保护层上的导电性的主电极层。
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公开(公告)号：CN101258261A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032514.9
申请日：2006-09-05
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/568 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种不浪费昂贵的有机EL原料，并且能够长时间地均匀地形成有机EL膜的成膜装置及用于该成膜装置的冶具。单一的原料容器部具备多个吹出容器，具备将原料容器部的有机EL原料气化后与载气一起供给到各吹出容器的配管系统切换到其他的吹出容器的配管系统的切换器。如此，通过将有机EL原料从单一的原料容器部切换供给到多个吹出容器，可以改善有机EL原料的利用效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101155463A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710163060.5
申请日：2007-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/205 , C23C16/511
Abstract: 本发明提供一种抑制气体的流速的微波等离子体处理装置。微波等离子体处理装置(100)具有：通过缝隙天线(30)透过微波的由多个电介质零件(310)构成的电介质窗；固定在梁(26)下面的多个气体喷嘴(27)；供给规定的气体的气体供给部；用透过电介质窗的微波使规定的气体成为等离子体，对被处理体进行处理的处理室(U)。各电介质零件(31)具有：具有第一气孔率的第一多孔材料(31Ph)；和连接于第一多孔材料(31Ph)并且具有小于第一气孔率的第二气孔率的第二多孔材料(31P1)。气体供给部通过第一多孔材料(31Ph)，从第二多孔材料(31P1)将氩气导入处理室内(U)，并从气体喷嘴(27)将硅烷气体导入处理室内(U)。
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公开(公告)号：CN101202297A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710160869.2
申请日：2004-03-25
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 大见忠弘
CPC classification number: G02F1/133385 , G02F1/133603 , H01L23/38 , H01L27/14658 , H01L51/529 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 一种液晶显示器，包含液晶板和起背光作用的有机EL器件。有机EL器件包含起衬底作用的珀耳帖元件，及形成于珀耳帖元件上的有机EL元件。有机EL元件包含有机EL层及将有机EL层夹在中间的第一和第二电极。第一电极与作为珀耳帖元件的热吸收电极的金属层共享。第二电极由传播可见光的ITO形成。有机EL元件发射出的光从第二电极射出。结果，有机EL器件很薄且具有优越的冷却效果。
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公开(公告)号：CN1806331A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016261.7
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03H19/00 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66787 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092
Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜，以形成MOS晶体管。上述准备的P沟道和n沟道MOS晶体管并联，以配置开关电容电路的开关。以这种方式，开关电容电路可表现出更小的漏泄电流和更小的DC偏置。
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公开(公告)号：CN100370339C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200410031748.4
申请日：2004-03-25
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 大见忠弘
IPC: G02F1/13357 , H05B33/00
CPC classification number: G02F1/133385 , G02F1/133603 , H01L23/38 , H01L27/14658 , H01L51/529 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 一种液晶显示器，包含液晶板和起背光作用的有机EL器件。有机EL器件包含起衬底作用的珀耳帖元件，及形成于珀耳帖元件上的有机EL元件。有机EL元件包含有机EL层及将有机EL层夹在中间的第一和第二电极。第一电极与作为珀耳帖元件的热吸收电极的金属层共享。第二电极由传播可见光的ITO形成。有机EL元件发射出的光从第二电极射出。结果，有机EL器件很薄且具有优越的冷却效果。
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公开(公告)号：CN1806332A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016270.6
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03F3/34 , H03F3/45 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03F3/343 , H03F3/45183 , H03F2200/372
Abstract: 高度为HB宽度为WB的长方体突出部分(21)形成在硅衬底上，并且栅氧化膜形成在突出部分(21)的部分上表面和侧壁面上。源极和漏极形成在栅电极(26)的两个对侧上，从而形成MOS晶体管。此MOS晶体管用来配置直流放大器。直流放大器具有包括MOS晶体管(61，62)的差动放大器电路。这样，直流放大器能够呈现更大的增益。
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