公开(公告)号：CN101354527B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200810135751.9

申请日：2008-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林本坚 ,  李信昌 ,  姚铭峻

IPC: G03F1/64

CPC classification number: G03F1/64

Abstract: 本发明提供一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统和集成电路的制造方法，系统包括透明基板；预定义图案形成于其上；保护膜靠近于透明基板；保护膜框架固定保护膜包括一延伸部分以保护吸震物微影工艺时不受辐射能影响；吸震物附着至保护膜框架且黏性附着至透明基板设计以降低透明基板压力。方法包括提供基板其上具有辐射能感应镀膜；提供光掩模保护膜系统包括光掩模其上具有图案；保护膜框架设置于光掩模和保护膜间且固定保护膜，包括一延伸部分以保护吸震物微影工艺时不受辐射能影响；吸震物设置于保护膜框架和光掩模间且黏性附着至光掩模降低光掩模压力；微影工艺中用光掩模在基板上形成集成电路图案。

公开(公告)号：CN100529968C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610140407.X

申请日：2006-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张世明 ,  夏振原 ,  王文娟 ,  吕启纶 ,  黄彦彬 ,  洪彰成 ,  陈嘉仁 ,  刘介中 ,  李信昌 ,  谢弘璋

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明是有关于一种用以监测图案尺寸的系统与方法，其是用于具有一透明层以及一非透明图案的物件，该透明层是裸露于该图案，该非透明图案是与该透明层层压。根据此方法，其是将一第一光束投射于该图案上。侦测一第二光束，该第二光束是该第一光束通过裸露于该图案的该透明层所产生，或是该第一光束由该图案的非透明层反射所产生。由测得的第二光束获得一预先设定属性的值。监测该值的变化，用以鉴别该图案的尺寸。此系统与方法是以替代的方案，借由计算在一监测区域内透射能量与反射能量的比例，来收集关于尺寸与相位的资讯。由于这些方案经久耐用且易于整合在一蚀刻室内，因此可以在一蚀刻制程中提供同步量测。

公开(公告)号：CN1854889A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510114359.2

申请日：2005-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉仁 ,  李信昌 ,  秦圣基 ,  谢弘璋 ,  林本坚

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38

Abstract: 本发明提供一种光罩制造系统与光罩制造方法该光罩制造系统包括至少一个曝光单元，用以选取一配方以供随后在一处理单元内执行的一烘烤程序使用，一缓冲单元耦合至该曝光单元以将该光罩的基板由该曝光单元移动至该后处理单元，而不会使该光罩的基板曝露至环境当中；以及该后处理单元是耦合至该缓冲单元与该曝光单元，并利用该曝光单元选取配方的相关烘烤参数，在该光罩的基板上执行一烘烤程序。本发明可避免发生于曝光程序和烘烤程序之间过度的时间延迟，且可降低微粒污染，亦能避免化学放大光致抗蚀剂遭受射线污染。

公开(公告)号：CN113253562B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202010913267.5

申请日：2020-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  钱志道 ,  陈明威 ,  连大成

IPC: G03F1/24

Abstract: 本公开涉及具有非晶帽盖层的光刻掩模。多层反射结构被设置在衬底之上。非晶帽盖层被设置在多层反射结构之上。非晶帽盖层可以包括钌、氧、铌、氮、钽或锆。非晶层也可以被设置在多层反射结构与非晶帽盖层之间。非晶层包括非晶硅、非晶氧化硅或非晶氮化硅。

公开(公告)号：CN110967917B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN201910909214.3

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  林秉勳 ,  连大成 ,  王子奕

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 一种用于极紫外线微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与该前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。

公开(公告)号：CN113138528B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202011388345.0

申请日：2020-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/58 ,  G03F1/68

Abstract: 本揭露提供一种极紫外(extreme ultra violet；EUV)光罩与其制造方法。例如：此极紫外光罩包含基材、形成于基材上的多层镜面层、形成于多层镜面层上的金属覆盖层、以及形成于金属覆盖层之上的多层吸收层。此多层吸收层包含蚀刻至多层吸收层中的特征，以在半导体元件上定义结构。

公开(公告)号：CN118571749A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202311729521.6

申请日：2023-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏东裕 ,  许倍诚 ,  李环陵 ,  李信昌

IPC: H01L21/033 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了纳米管束的制造和用于其的反应器。提供了一种形成用于极紫外光刻的护层的方法。所述方法包括在过滤膜上方形成护层膜并将所述护层膜从所述过滤膜转移到膜边界。形成护层膜包括：在反应器的第一反应区中由原位形成的金属催化剂颗粒生长出碳纳米管(CNT)，所述CNT中的每一个包括在所述CNT的生长尖端处的金属催化剂颗粒，促进各个CNT在位于第一反应区下游的所述反应器的第二反应区中形成纳米管束。然后，将成束CNT收集在所述过滤膜上。

公开(公告)号：CN112445062B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202010908400.8

申请日：2020-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈庆煌 ,  孙啟元 ,  林华泰 ,  李信昌 ,  陈明威

IPC: G03F1/54 ,  G03F1/24 ,  G03F7/20

Abstract: 一种反射性光罩及其制造方法，反射性光罩包括基板、设置在基板上的反射性多层、设置在反射性多层上的覆盖层、设置在覆盖层上的光催化层，及设置在光催化层上且携载具有开口的电路图案的吸收层。光催化层的部分在吸收层的开口处被曝光，且光催化层包括选自由氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)及硫化镉(CdS)组成的群组的一者。

公开(公告)号：CN117348335A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310581884.3

申请日：2023-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙鼎弼 ,  许倍诚 ,  李信昌

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/22

Abstract: 本申请公开了用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。该方法包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层，所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过将溶剂中的气泡施加到所述纳米管层来对所述纳米管层执行溶剂浸渍处理。

公开(公告)号：CN117170178A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310554648.2

申请日：2023-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  孙鼎弼 ,  李信昌

IPC: G03F1/62

Abstract: 本公开涉及用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。在一种制造用于极紫外(EUV)光掩模的薄膜的方法中，形成包括多个碳纳米管的纳米管层；将纳米管层附接到薄膜框架；以及通过施加电流经过纳米管层来对纳米管层执行焦耳加热处理。