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公开(公告)号：CN1212524C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03131812.6
申请日：2003-06-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种测量软磁材料特性的实验装置，它包括闭合环状的软磁材料，绕在其上的磁化线圈和探测线圈，磁化线圈与取样电阻、可变电阻及由换向开关或继电器控制的可调直流电源串联构成磁化回路，探测线圈与电子积分器构成测量回路。取样电阻两端和电子积分器输出端与信号调理模块、模数转换电路连接，转换后的数字信号通过计算机的并口或接口卡与计算机连接。本发明的优点是：实验数据稳定，重复性好；能方便完整地绘制出磁滞回线、磁化曲线，便于仔细观察磁化过程；实验设备紧凑，操作使用方便；具有微机接口，方便数据记录和传送。
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公开(公告)号：CN1599031A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041436.1
申请日：2004-07-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法，利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底，铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后，升温至生长温度在800～950℃条件下，以NH3和HCl为原料气生长，直到生长完成。本发明的特点是：由于铝酸锂(001)或镓酸锂和GaN(11－20)的晶格常数基本一致，没有很大的结构失配，生长得到的GaN薄膜位错密度较低，质量较高。
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公开(公告)号：CN1545130A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310106425.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善薄膜的表面形貌和质量，直接添加至衬底的HCl流量为4－10sccm。与其他的方法相比，不会引入额外的杂质，这是该发明的一大技术特点。此外，将HCl引入生长区，改变了局域的反应平衡，也会改善GaN薄膜的表面形貌和质量。
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公开(公告)号：CN1529155A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03158340.7
申请日：2003-09-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种测量金属导体中多点温度变化的处理方法，它在热电偶的测温点及其可能与被测金属导体接触的表面均匀涂敷一层绝缘材料，使之与被测金属导体的接触面实现电气绝缘，并通过可控电子开关进行测量回路切换，方便地实现与计算机等智能测量系统衔接。与现有技术相比，采用本发明后，测量结果准确可靠，重复性好。本发明在测量金属导体中多点温度变化时具有独特的优势和广阔的前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1389904A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN02113084.1
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365 , C23C16/34
Abstract: 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法,用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层;在GaN籽晶层上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜,利用光刻方法蚀刻出一定的图形,对于平行长条状,掩摸区宽度2－20μm,GaN窗口区宽度0.2－20μm,平行长条状的开口方向是沿GaN的[1100]取向;对于正六边形的开口,使GaN的[1100]取向垂直于正六边形的边,然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN,直至掩模层被GaN铺满,继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。HVPE生长速率很快。由于在远离界面处位错密度比较低,所以在横向外延薄膜上HVPE厚膜外延,可得到位错密度更低的GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN1383161A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02113081.7
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 溶胶—凝胶(Sol－Gel)法制备ZnO基稀释磁性半导体的方法:采用溶胶—凝胶法并结合掺杂铁磁性离子如Fe、Co或Mn、Ni等制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜:先制备ZnO胶体溶液,将一定量分析纯醋酸锌和磁性金属盐,铁和锌的原子浓度比为1～15%,溶解在无水乙醇中,均匀搅拌,最终得到ZnO胶体溶液,ZnO胶体溶液滴加匀涂覆在旋转的Si片上,将薄膜在室温～100℃下放置一段时间后,然后在240～300℃热处理数分钟后,在500～900℃,氮气气氛下热处理0.5－1.5小时。溶胶—凝胶法制备薄膜材料具有技术简单,低耗费,易于获得大面积的薄膜等优点。可以制得多组分均匀混合物。
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公开(公告)号：CN1363725A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01108247.X
申请日：2001-02-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种对硅/锗硅化学选择腐蚀方法,采用NH4OH溶液对硅/锗合金的硅进行化学选择性腐蚀。本发明所提出采用NH4OH溶液从锗硅上选择腐蚀硅的方法。此方法不仅具有很高的选择腐蚀比,而且与常规微电子集成电路工艺兼容,且溶液无毒、还具有工艺简单等优点。
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公开(公告)号：CN1053511A
公开(公告)日：1991-07-31
申请号：CN90105603.0
申请日：1990-01-10
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/00 , C23C16/00
Abstract: 本发明涉及在半导体基质材料上获得原子级晶格材料的方法及专用生长设备。在一透明室内注入气相材料，并维持10-2托以下的真空条件，采用灯加热使气相材料反应在基底表面反应淀积，反应淀积温度在气相材料、热解温度或其它临界反应温度之上，重复上述过程可以获得多层同质或异质超晶格材料，最佳生长温度控制在气相材料热解温度或临界反应温度以上附近的温区。专用生长设备包括常规CVD设备、抽真空设备及灯加热设备、质量流量控制器，尤以计算机控制为佳。
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