公开(公告)号：CN1053511A

公开(公告)日：1991-07-31

申请号：CN90105603.0

申请日：1990-01-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 郑有炓 ,  张荣 ,  胡立群 ,  江若琏 ,  莫水元 ,  李学宁 ,  陈艺文

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/00 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明涉及在半导体基质材料上获得原子级晶格材料的方法及专用生长设备。在一透明室内注入气相材料，并维持10-2托以下的真空条件，采用灯加热使气相材料反应在基底表面反应淀积，反应淀积温度在气相材料、热解温度或其它临界反应温度之上，重复上述过程可以获得多层同质或异质超晶格材料，最佳生长温度控制在气相材料热解温度或临界反应温度以上附近的温区。专用生长设备包括常规CVD设备、抽真空设备及灯加热设备、质量流量控制器，尤以计算机控制为佳。

公开(公告)号：CN1024236C

公开(公告)日：1994-04-13

申请号：CN90105603.0

申请日：1990-01-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 郑有炓 ,  张荣 ,  胡立群 ,  江若琏 ,  莫水元 ,  李学宁 ,  陈艺文

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/00 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明涉及在半导体基质材料上获得原子级晶格材料的方法及专用生长设备。在一透明室内注入气相材料，并维持10-2托以下的真空条件，采用灯加热使气相材料反应在基底表面反应淀积，反应淀积温度在气相材料、热解温度或其它临界反应温度之上，重复上述过程可以获得多层同质或异质超晶格材料，最佳生长温度控制在气相材料热解温度或临界反应温度以上附近的温区。专用生长设备包括常规CVD设备、抽真空设备及灯加热设备、质量流量控制器，尤以计算机控制为佳。