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公开(公告)号：CN119451331A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411429129.4
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10H20/821 , H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/816 , H10H29/01 , H10H20/825 , H10H20/818 , H10H29/30
Abstract: 本发明公开了一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法，其结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN基复合缓冲层、N型GaN层、含有微孔阵列的掩膜层、六方密堆积的N型GaN六角岛结构、在N型GaN六角岛上制备的量子阱、载流子调控层和P型InxGa1‑xN层等。其中六方密堆积的N型GaN六角岛与量子阱构成了微型LED显示单元的发光结构，以独立台面结构为单元可以避免刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高亮度；以六方密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上的有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。该结构有效抑制了传统GaN基微型LED制备工艺对光效的负面影响，对GaN基微型LED显示器的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118538800A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410495572.5
申请日：2024-04-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种(010)面β相III族氧化物复合结构及其制备方法，此复合结构包括自下而上依次设置的：上表面以(110)晶面高Al组分AlGaN结尾的复合衬底101、III族氧化物复合引导层102和(010)面β相III族氧化物薄膜103。此复合结构以III族氮化物标准制备工艺为基础，解决了当前(010)面β相氧化物缺乏合适异质外延衬底的问题，为外延生长高质量(010)晶面III族氧化物结构提供了新的解决方案。
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公开(公告)号：CN118534152A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410731799.5
申请日：2024-06-06
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及一种基于AFM的光纤端面粘附银纳米棒束的新型探针，包括光纤和光纤端面上的银纳米棒束，其制备方法为：首先通过两步阳极氧化法制备高度有序的多孔氧化铝模板，然后通过AAO模版制备银纳米棒束，将制备完成的银纳米棒束转移至光纤端面上，利用光纤弯曲器将粘附基底的一端光纤弯曲成90°，将光纤与激光耦合器连接。本发明将原位SERS技术与AFM技术相结合，在检测过程中保留了样品的完整性，并且具有更高的灵敏度和分辨率。
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公开(公告)号：CN118073447A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410232243.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H01L31/18 , G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种可调谐深紫外探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域，包括衬底、六方氮化硼薄膜、表面等离激元结构、氧化镓薄膜、第一电极、第二电极和第三电极；六方氮化硼薄膜固定于衬底上方，包括依次连接的第一晶域、台阶和第二晶域，第二晶域的厚度大于第一晶域，表面等离激元结构固定于台阶的斜面上；氧化镓薄膜固定于第二晶域上方，第一电极固定于氧化镓薄膜上方，第二电极固定于第一晶域上方，第三电极同时连接氧化镓薄膜和第二晶域；本发明通过表面等离激元共振效应的表面改性可以显著提高材料的光电性能，从而使探测器拥有更高的响应度和更快的响应速度，实现对185～210nm和250～270nm两种波长的紫外光选择性探测。
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公开(公告)号：CN107421917B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201710345793.4
申请日：2017-05-17
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种多功能高精度大气能见度仪及能见度测量方法，包括外壳，所述外壳的内部设有电源、电源控制器、望远镜、激光触发器、激光器、耦合器、第一聚焦透镜、第二聚焦透镜、窄带滤光片、FPGA核心控制与数据处理模块、光电探测器和外部环境探测模块，所述外壳的前侧表面设有激光触发器按键和液晶显示屏，所述电源通过电源控制器分别与所述激光触发器、激光器、光电探测器、FPGA核心控制与数据处理模块、外部环境探测模块和液晶显示屏电连接，所述激光触发器按键和FPGA核心控制与数据处理模块电连接，所述FPGA核心控制与数据处理模块和激光触发器电连接，本发明体积小、重量轻、多功能、低成本和测量精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108181296B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201810208209.5
申请日：2018-03-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元效应的光纤表面增强拉曼探针及其制作方法。本发明的结构是研磨的光纤端面上附着一层周期性金属结构。制作步骤包括：基片上旋涂PS微球阵列，部分刻蚀并在PS微球顶部镀金属薄膜，形成半球形金属结构，然后在其表面旋涂聚合物并固化，去除基底；将得到的薄膜与光纤端面用胶水固化，固化后完全去除PS微球，RIE刻蚀调节金属结构的几何尺寸使其谐振波长和激发激光波长一致，光纤顶部只剩下金属半球形阵列。将待测样品吸附在金属半球形阵列表面，光源从光纤一端耦合进入，从光纤内部照射金属结构，激光在金属结构的作用下产生可测量的拉曼信号，经光纤收集后从另一端输出由光谱仪分析。本发明结构简单，适用于加工生产。
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公开(公告)号：CN117538294A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410009087.2
申请日：2024-01-04
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种基于MZI—LSPR检测胆固醇浓度锥形光纤传感器及制备方法，属于光纤传感技术领域；制备方法包括：将单模光纤的涂覆层去除，再进行融拉，使其成为光纤腰部直径小于20um的锥形光纤；将氯化金溶解在去离子水中，在回流下煮沸，在搅拌下加入柠檬酸钠，溶液反应，直到颜色从浅黄色变为深红色，并经过滤得到AuNPs；再将Au膜镀在腰部表面，然后将腰部浸入DTT溶液中进行改性，之后再浸泡在AuNPs溶液进行修饰；将经AuNPs修饰后的腰部浸泡在PMBA和MEA的混合溶液中进行修饰；将经PMBA分子修饰后的锥形光纤腰部浸泡在β‑CD溶液中，之后用去离子冲洗锥形光纤纤芯表面未结合的PMBA分子，即可制备出锥形光纤传感器。
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公开(公告)号：CN108195494B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810204154.0
申请日：2018-03-13
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于狭缝表面等离激元效应的光学压力传感器及压力检测方法，所述光学压力传感器主要构成为：刻蚀有脊形波导阵列的基底，在其表面溅射一层金属膜，外部加上套筒保护器件内部结构。基底上的一维或二维金属阵列之间的间隙(gap)在特定频率光子激发下形成Gap‑SPP。压力使基底发生形变，进而使阵列之间gap的大小改变，进而引起SPP波长的改变，将压力信号转为光学信号来检测。本发明基于SPP共振模式的变化来检测压力的变化。对比基于法泊腔压力传感器，本发明对光纤距离敏感膜的距离不敏感，因此可以减少温度的影响，同时易于加工制造。
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公开(公告)号：CN115360232A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211018417.1
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/80 , H01L21/337
Abstract: 本发明公开了一种Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括半导体Si衬底，半导体Si衬底上设有P型重掺杂半导体Ge的源区、N型重掺杂半导体Si的漏区和设于源区与漏区之间的STI氧化层；源区和漏区之间设有N型轻掺杂半导体Si的沟道区域和N型重掺杂半导体Si的Pocket区域，源区侧部设有嵌入到Pocket区域的半导体Ge凸起，嵌入的凸起形成Ge/Si异质结结构；沟道区域和Pocket区域之间设有异质栅电极，异质栅电极的侧部设有侧墙区，沟道区域和Pocket区域的表面设有栅介质层。本发明晶体管具有更高的开态电流、更陡峭的亚阈值摆幅斜率、更强的栅控能力、优秀的射频特性，同时能够抑制双极性电流，改善隧穿场效应晶体管亚阈值特性。
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公开(公告)号：CN115113233A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210767424.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双向重构后向散射信号的激光雷达云层检测算法，包括：对激光雷达后向散射信号的预处理；根据理想洁净大气条件下的后向散射信号特征筛选相应的前向插值点，利用Akima插值法得到前向重构信号，结合自适应阈值和经验阈值进行云的分层、误判的排除和云层区间的确定；在此基础上进一步筛选出后向插值点并利用Akima插值得到后向重构信号，通过与前向重构信号取平均得到重构的无云信号；以云峰处为界将区间分为2段，在段内分别选取预处理信号中强度小于模拟信号的若干个元素，根据元素个数确定云底或云顶高度。本发明对云层进行更准确的划分，实现了更高的云层检出率和反演准确率。
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