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公开(公告)号:CN118538800A
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202410495572.5
申请日:2024-04-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种(010)面β相III族氧化物复合结构及其制备方法,此复合结构包括自下而上依次设置的:上表面以(110)晶面高Al组分AlGaN结尾的复合衬底101、III族氧化物复合引导层102和(010)面β相III族氧化物薄膜103。此复合结构以III族氮化物标准制备工艺为基础,解决了当前(010)面β相氧化物缺乏合适异质外延衬底的问题,为外延生长高质量(010)晶面III族氧化物结构提供了新的解决方案。