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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119451331A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411429129.4
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10H20/821 , H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/816 , H10H29/01 , H10H20/825 , H10H20/818 , H10H29/30
Abstract: 本发明公开了一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法，其结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN基复合缓冲层、N型GaN层、含有微孔阵列的掩膜层、六方密堆积的N型GaN六角岛结构、在N型GaN六角岛上制备的量子阱、载流子调控层和P型InxGa1‑xN层等。其中六方密堆积的N型GaN六角岛与量子阱构成了微型LED显示单元的发光结构，以独立台面结构为单元可以避免刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高亮度；以六方密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上的有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。该结构有效抑制了传统GaN基微型LED制备工艺对光效的负面影响，对GaN基微型LED显示器的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119300571A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411429289.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10H20/821 , H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/816 , H10H20/01 , H10H20/825 , H10H20/818 , H10H29/30
Abstract: 本发明公开了一种独立台面结构的非极性面微型发光二极管(Micro‑LED)及其制备方法，基于选区外延和侧向外延实现外延结构的充分弛豫，可有效抑制外延层中缺陷的产生。同时，在相互独立的台面上生长相互独立的量子阱等Micro‑LED功能层，可以免量子阱刻蚀损伤制备Micro‑LED，消除传统方案通过工艺刻蚀减小LED尺寸造成的量子阱刻蚀损伤和额外导致的非辐射复合，有效提高Micro‑LED的效率。本发明为制备Micro‑LED提供了新的结构和方法，有利于推动Micro‑LED的商业化应用。
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公开(公告)号：CN119300570A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411428799.4
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10H20/821 , H10H20/812 , H10H20/816 , H10H20/01 , H10H20/818 , H10H20/825 , H10H29/30
Abstract: 本发明公开了一种双出射方向的Micro‑LED结构及其制备方法，其结构包括向上晶面为非极性面的N型GaN层、掩膜层、N型InxGa1‑xN三角岛、量子阱层、P型层、电极以及其它功能层。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得具有高度对称性的N型InxGa1‑xN三角岛，并在三角岛的两个对称斜面上生长LED外延层，形成双出射方向的Micro‑LED结构，可作为近眼裸眼三维显示的基础显示单元；同时，在三角岛斜面上生长相互独立的外延LED结构，可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高发光效率；以密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。
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公开(公告)号：CN119545997A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411429192.8
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10H20/821 , H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/816 , H10H29/01 , H10H20/818 , H10H20/825 , H10H29/30
Abstract: 本发明公开了一种含驱动的微型发光二极管(Micro‑LED)结构及其制备方法，其结构包括向上晶面为非极性面的氮化镓(GaN)层、含有微孔的掩膜层、GaN立体三角岛、以及在三角岛一侧斜面上设置的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构、另一侧斜面上设置的Micro‑LED结构。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，在两侧分别设置HEMT和Micro‑LED结构，可以直接利用一侧的HEMT驱动另一侧的Micro‑LED，不仅解决了传统Micro‑LED需要额外驱动的问题，还避免了传统选区外延MicroLED结构时微孔为电流的束缚。此外，在三角岛斜面上生长具有独立结构的Micro‑LED，可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高发光效率；以密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。
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公开(公告)号：CN119300441A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411428321.1
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种对称的氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构及其制备方法，HEMT结构包括向上晶面为非极性面的GaN层、掩膜层、GaN立体三角岛、AlxGa1‑xN层、绝缘介质层以及各功能电极。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，基于此特点成对制备的HEMT具有原子层面的一致性，并且左右对称的半极性面AlGaN/GaN异质结能够产生浓度方便控制的二维电子气(2DEG)，实现高质量、高性能、高一致性的成对GaN基HEMT，可以应用在镜像电流源、差分放大等电路中，相较于传统器件具有更好的一致性和稳定性。
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